-
EPC 在意大利开设基于 GaN 的电机驱动设计应用中心
新兴电子应用需要能够从更紧凑的平台中获得更高性能的电机设计。设计人员很难满足基于传统硅 MOSFET 和 IGBT 的电机驱动器电路的新要求。随着硅技术达到功率密度、击穿电压和开关频率的理论极限，设计人员控制功率损耗变得更加困难。这些限制的主要影响是在高工作温度和高开关率下的次优效率和额外的性能问题。
新兴电子应用需要能够从更紧凑的平台中获得更高性能的电机设计。设计人员很难满足基于传统硅 MOSFET 和 IGBT 的电机驱动器电路的新要求。随着硅技术达到功率密度、击穿电压和开关频率的理论极限，设计人员控制功率损耗变得更加困难。这些限制的主要影响是在高工作温度和高开关率下的次优效率和额外的性能问题。
