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ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)，开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压)，非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)，开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压)，非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
