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Intel Atom未来图形性能可提升四倍

部分用户看好Intel Ivy Bridge的一个因素为HD 4000图形核心的性能，从目前透露的测试结果来看，至少能与低端显卡所抗衡，在1280*800或1440*900级别的分辨率上运行一些3D游戏也没有问题。根据近日互联网上流传的路线图，Intel将把这一GPU带入低端市场，使上网本或者迷你机等也能享受到新图形核心带来的性能提升。Intel将在Haswell平台发布时期2013年第一季度，对低端入门级市场的Atom进行升级。新的Silvermont平台Valley View处理器将使用22nm工艺制程，完全采用SoC单芯片设计，具备最多4个物理核心和HD 4000类似的GPU水平。根据Intel工程师Jesse Barnes的说法，Valley View Atom处理器的GPU性能四倍于目前的N2600/D2700/N2800等采用PowerVR SGX GPU的型号。此外最大内存容量将提升至8GB（目前多为2GB或4GB），还将支持USB 3.0高速接口。而智能手机/平板电脑方面的Medfield平台Atom依据目前的消息仍将采用PowerVR的SGX54x GPU。

时间：2012-03-28 关键词： Intel 性能 atom
NEC公司刷新TPC-E性能记录

NEC(美国)公司宣布“配置了Intel？Xeon？E7处理器的Express5800/A1080a-E企业级服务器在TPCBenchmarkTME(TPC-E)[1]测试中达到最快的性能表现。”这个4，614。22tpsE(在TPC-E测试中的每秒事务数)世界纪录是由NECExpress5800/A1080a-E实现的，每tpsE成本为450。18美元。这个结果同时展现了微软新的SQLSERVER2012的高性能，从4月2日起可以在复杂的企业环境中支撑高端OLTP工作负载，以及实现NEC对交付领先的企业级SQLSERVER平台的承诺。建立在长达20年的开发经验基础上，以及支持Intel？Xeon？处理器E7的第五代NECExpress5800/A1080a-E服务器能在高负荷的SQLSERVER和虚拟机的环境中提供最优的投资保护、可靠性和可升级性。对于这些环境来说，宕机时间的代价非常高。 “微软很高兴地看到NEC又一次展现了他们在运行WindowsServer2008R2和SQLServer2012的企业级服务器上绝佳的性能特性。”微软SQLSERVER产品管理总监ClaudeLorenson说。“这个基准测试的结果展示了NEC经过证实的技术和SQLServer2012相结合，提供一个可以应对现在最繁重的工作负担的平台。” “基于NEC在主机和超级计算机运算方面雄厚的技术积累，NECExpress5800/A1080a企业级服务器的可靠性、可用性和适用性(RAS)特色是围绕IntelE7系列处理器而建立的，用来满足日益增长的关键业务应用的需求。”NEC(美国)公司企业技术IT产品副总裁MikeMitsch说。“这次发布继续展现NEC的一贯承诺，即以NECExpress5800企业级服务器产品来提供支持关键任务数据库系统的解决方案。” 除了保持领先地位之外，NEC的Express5800/1000系列服务器还保持另外2个前十位的TPC-E性能基准[2]，以此来展现NEC持之以恒的努力用于提高它的高端服务器产品线性能表现。TPC-E是一个行业标准基准，它被设计用来更广泛地代表当今的OLTP系统。这个参考标准模拟了一个有着客户、帐号和持有股份的经纪公司，客户能够在这个公司交易股票和监控他们的帐号及市场状况。 [1]NECExpress5800/A1080a-E配置了IntelXeonprocessorE7-8870(8处理器/80核心/160线程)、MicrosoftSQLServer2012EnterpriseEdition和MicrosoftWindowsServer2008R2EnterpriseEditionwithServicePack1;4，614。22tpsE，USD$450。18/tpsE，2012年4月2日起可用。可获得日期是针对北美市场。资料来源：TransactionProcessingPerformanceCouncil(TPC)。NEC的以上业内最高峰值是基于引用2012年3月28日发布在www。tpc。org的测试结果。 TPCBenchmark，TPC-E和tpsE是TransactionProcessingPerformanceCouncil的注册商标。 [2]除了这次发表的TPC-E结果以外，NEC的其他前十位的结果包括：NECExpres5800/A1080a-E配置IntelXeonProcessorE7-8870(8处理器/80核心/160线程)、MicrosoftSQLServer2008R2EnterpriseEdition和MicrosoftWindowsServer2008R2EnterpriseEditionwithSP1，4，200。61tpsE，USD$287。42/tpsE，2011年3月31日可实现;NECExpres5800/A1080a-E配置IntelXeonProcessorX7560(8处理器/64核心/128线程)、MicrosoftSQLServer2008R2EnterpriseEdition和MicrosoftWindowsServer2008R2EnterpriseEditionwithSP1，3，141。76tpsE，USD$768。92/tpsE，2010年7月30日可实现。

时间：2012-04-18 关键词： nec 性能记录 tpc-e
移动CPU的四核战争：性能不是一切

不管你是否乐于看到，移动CPU市场都正在爆发一场“核战争”。 4月25日，高通(微博)公司在中国北京展示了自己的“骁龙”S4移动系列处理器，除了双核版本之外，还包括其目前最高端的四核产品。S4四核移动CPU采用了高通自有的全新“Krait”微架构，将高通现有的Scorpion微架构CPU性能提升了60%。 “高通在意的并不是有几个核，而是给消费者更好的使用体验。”高通互联网服务集团总裁RobChandhok说。这句话意有所指。眼下高通在移动CPU市场上最大的竞争对手NVIDIA(英伟达)，已于2011年第四季度抢先发布了四核产品。在时机上，高通已经落后了一步，它希望扳回一城。英伟达的全球首颗量产四核移动CPUTegra3(图睿)，事实上内封了五个“核”。这种“4+1”设计是Tegra3在发布之时，英伟达重点宣传的卖点。除了四个处理器核心之外，它还有一个叫做“Companion”(伴核)的处理器，作为协同处理器，当用户执行一些简单、低频率的操作时，“Companion”会根据用户的操作情况开启或关闭，以达到低功耗、高性能的要求。 “4+1”个核被各自赋予了明确的分工。当用户执行简单应用时，系统只调用“Companion”这个协同处理器;当机器在运行简单2D游戏时，系统调用四核中的一个;如果用户进行视频聊天、Flash网页浏览以及多任务处理，系统会调用两颗核工作;而当四核同时启动的时候，就意味着机器处于全负荷状态，这个时候，执行的通常是网络多媒体处理或者大型游戏程序这样的任？务。采用这种结构是英伟达四核CPU能够抢先上市的关键。这家最初以制造显卡闻名的半导体厂商，在移动CPU的设计能力上一直落后于高通这样的对手—设计能力意味着CPU与整个系统是否能够完美配合，同时又与CPU的制造工艺与性能密切相关。迄今为止，英伟达仍然坚持在移动CPU上采用40nm的工艺制程(在半导体行业，工艺制程的数字越小，代表工艺越先进，CPU的散热性能也就越好)。这是相对目前英伟达在移动CPU方面的设计能力而言，所能达到的良品率最高、成本最合理的工艺。反观英伟达在显卡上的制造工艺已经提升到了？28nm——这比40nm领先了一代。为了使采用发热量较大的40nm制程的Tegra3顺利上市，英伟达在增加处理器核心数量的同时，谨慎地提升产品主频。在绝大部分Tegra2平板和手机上，处理器主频都维持在了1GHz;到了Tegra3，处理器核心频率最高只有1。4GHz。“伴核”处理器的存在，也在一定程度上分担了核心处理器的负担。与Tegra3相比，目前高通的骁龙S4四核处理器主频最高为1。7GHz，设计指标最高达到了2。5GHz，三星(微博)四核处理器Exynos的主频也达到了1。5GHz。如果综合考虑成本、性能和生产工艺等种种因素，英伟达的作法的确很聪明。采用40nm这种并不领先的工艺所制造的Tegra3顺利实现了抢先上市的目的，并且获得了HTC等手机公司的订单。HTC今年4月份刚刚发布的OneX手机，使用的正是Tegra3处理器，这也是两家公司的首次合作。不过这样的作法也被高通公司抓住了“把柄”。当骁龙S4的四核版本推出之时，高通公司强调了其在设计和性能上的领先，它有着更高频率的主频、28nm的先进制造工艺。同时也有着一系列能够节省电能的设计，比如“异步多核”技术，可以根据用户不同使用模式下的处理需求，独立调节每个核的动态时钟和电压，实现最优的系统功耗。骁龙S4为解决手机屏幕的耗电问题，还引入了两项新技术：BRITE和GridView。前者能根据屏幕上正在显示的内容，动态调整背光亮度并利用自然光，在适当的条件下可以降低高达50%的功耗;而GridView可以智能地以整页生成的方式刷新界面，在浏览网页时，这一技术可以使页面加载速度更快、滚动和视频播放更平滑，以及使HTML5应用的性能向App应用看齐。英伟达曾经借助Tegra2处理器，在2011年的手机市场上大出风头。在2011年至2012年财年，通过Tegra2的带动，NVIDIA的净利润达到5。81亿美元，是上一财年的2倍。不过英伟达同时也失去过一些重要客户。根据证券公司JMPSecurities的统计，2011年摩托罗拉移动Xoom的升级版Xoom2和最热销的智能手机DroidRazr，都使用了另一大芯片厂商德州仪器(TexasInstruments，简称TI)的芯片产品;2011年全球最畅销的Android手机三星GalaxySII，除了使用三星自有芯片以外，还使用高通芯片，但没有选择英伟达的产品;亚马逊(微博)一炮打响的平板产品KindleFire，同样也与Tegra处理器擦肩而过。高通公司在移动处理器领域的优势看起来一时仍然难以撼动。尽管英伟达曾经凭借聪明的策略抢先推出产品，但当高通也有了量产型的四核移动处理器时，英伟达这个新秀难免要遇到更大的挑战。但这也并不意外着挑战者完全没有机会。策略仍然很重要。眼下无论是高通还是英伟达，在市场策略上都无不强调了芯片的游戏性能：NVIDIA曾在一次技术展示上，利用Tegra3运行了大型3D游戏《边境之地》(这款游戏以往只在PC和游戏主机平台发售)，还在2月29日宣布了4款专为Tegra3优化的游戏;高通也在骁龙S4的发布会上，重点展示了2款3D游戏。不过并非每一位智能手机用户都是大型游戏的爱好者。当厂商们纷纷以游戏展示性能的时候，大部分日常应用和商务应用并没有得到良好优化，甚至出现过双核处理器性能超过四核处理器的尴尬情况。在热衷于核心部件“军备竞赛”的同时，如何为更多日常应用提供优化，恐怕才是下一阶段竞争的另一个关键。

时间：2012-05-24 关键词：移动 CPU 性能四核
三星计划携高性能CPU进军复印机市场

据彭博社报道，在成功挤掉昔日大哥索尼和松下，并成为电视机、内存芯片以及手机市场的新霸主后，韩国三星电子又将矛头对准了日本佳能及其身后每年有着320亿美元规模的复印机市场。韩国三星如今已是亚洲最大的消费者电子产品生产商。在过去十年里，三星先后成为电视机、内存芯片以及手机市场的新霸主，并从这些市场中赚取了超过800亿美元的利润。三星的崛起让日本电子产业遭遇到了前所未有的危机。加之来自苹果的竞争，曾经呼风唤雨的索尼都无法避免遭遇创纪录的亏损。 “而三星正是这一场风暴的中心，”市场调查机构Gartner东京分部的分析师Tomoko Mitani表示，“日本生产商都很想知道他们现在的计划是什么，有不少厂商都对三星提高了警惕。” 三星最新的计划是进军复印机市场，这包括了那些具备多种功能，如扫描和传真的产品。三星拿出的武器是在新的复印机和激光打印机中使用1GHz高性能处理器。这样的处理器与苹果在iPhone 4S中使用的拥有同等性能，意味着三星的产品将具备双核多任务高速处理能力。

时间：2012-08-30 关键词： CPU 三星性能复印机
NVIDIA：Tegra 4性能远胜高通Snapdragon

在大约一个月以前召开的国际消费电子展(CES)上，NVIDIA CEO黄仁勋(Jen-Hsun Huang)正式宣布推出新的Tegra 4芯片组，将其称为“世界上最快的移动处理器”。但是，这家公司当时几乎没有做任何事情来证明这种宣言是合理的，只是简单地表示这种芯片拥有Cortex A15 CPU核心和“72个GPU核心”。幸运的是，NVIDIA在移动世界大会(Mobile World Congress)上变得更加善谈，这家公司急切地盼望为这种最新的移动芯片组展示某些令人印象深刻的测试结果。或许“急切”这个词并非十分准确——NVIDIA非常不愿参与移动性能测试这种“游戏”，而这一点不足为怪。从很多方面来说，这些测试所展现出来的数字不能真实反映用户实际上所将拥有的体验。举例来说，早期测试发现，在使用性能测试软件Quadrant进行测试时，Nexus 4所能获得的评分总是低得令人诧异，但实际运行起来却非常良好。尽管如此，性能测试在很大程度上仍旧是必须进行的，而Tegra 4片上系统在这种测试中的表现良好。Quadrant是常用的移动性能测试工具之一，在使用这种工具进行的测试中，Tegra 4的表现并未令人失望，其评分超过了1.6万分，达到16591分。作为比较，三星/谷歌(微博)的Nexus 10(使用相对较新的双核1.7 GHz三星Exynos芯片)的通常评分仅为4000多分，华硕Transformer Pad Infinity TF700(使用1.6Ghz四核NVIDIA Tegra 3芯片)的表现也相差无几。在使用另一种工具安兔兔(AnTuTu)进行测试时，结果也大致相同。测试表明，Nexus 10和华硕TF700的评分为8000到9000分左右，而搭载Tegra 4的演示平板电脑的评分则总会达到3.6万分以上。最近以来，NVIDIA最重要的竞争对手之一是高通。在接受美国科技博客TechCrunch记者克里斯·委拉兹克(Chris Velazco)提问时，NVIDIA产品营销负责人马特·维布灵(Matt Wuebbling)急切地想要指出NVIDIA的产品与高通有何不同。在被问及NVIDIA对于高通升级后的Snapdragon芯片组了解多少时，他作出的回答十分简单：“我们对其所知甚深。”就他所说，Tegra 4的速度比高通Snapdragon 600芯片(用于新的HTC One等设备中)要快两到三倍。维布灵还指出，高通顶级芯片Snapdragon 800比Snapdragon 600的速度高出25%到35%，这意味着Tegra 4仍旧占据领先地位。虽然维布灵的言论是以高通发布的Snapdragon数据为基础的，但委拉兹克认为，用户还是应对他的这种比较持保留态度。委拉兹克表示，他并非故意要针对维布灵，但这种比较在通常情况下都不能反映最准确的事实。高通尚未就此置评。从Tegra 4所能提供的性能来看，很容易让人认为这种芯片组的能耗将是很高的，但事实并非如此。从Tegra 4演示程序来看，当用户在1080p显示屏上以最高分辩率播放一段视频时，能耗最多不超过1瓦特——在通常情况下，能耗应该在900到950毫瓦之间。而与此相比，Droid DNA等设备同等情况下的能耗大约为1.2瓦特。

时间：2013-02-26 关键词： NVIDIA 性能 snapdragon tegra
高性能DSP核心抢攻嵌入式视觉市场

为了满足行动手机、汽车和视讯产品的高性能和高功效成像需求，嵌入式视觉演算法正持续快速发展，并在数位讯号处理(DSP)核心IP公司之间开启了全新的战场。继Ceva公司在一年前发布可程式的低功耗成像与视觉平台MM3101之后，今年2月，Tensilica公司也推出了名为IVP的成像与视讯资料层处理器单元(DPU)。 Tensilica公司的IVP DPU是一种可授权的半导体IP核心，专门设计用于从主处理器卸载复杂的成像功能。据Tensilica公司创办人兼CTO Chris Rowen透露，虽然目前IVP IP核心主要用于大众市场，但已有两家客户将它运用于其系统晶片中。 IVP DPU具有每秒每瓦执行5,000亿画素作业的能力，采用台积电(TSMC)的28nm制程技术制造。据Tensilica公司介绍，IVP DPU中每颗核心占用面积不到0.5平方毫米，因此非常适合低成本应用。推动对于成像/视讯处理器核心的需求来自于各种新功能，例如行动手机和数位相机中使用的高动态范围影像撷取、脸部辨识与追踪;数位电视(DTV)中使用的手势控制与视讯后处理;先进驾驶辅助系统(ADAS)中的正面碰撞警示、车道偏离警告等。这些复杂的成像/视觉演算法发展非常迅速，以致于行动手机和汽车公司希望「在数周内而不是几个月内」，就能将这些新功能整合于其产品系统中，Tensilica公司成像/视讯总监Gary Brown表示。多种方案选择对于系统供应商来说，成像/视讯处理解决方案有多种方案备选，从在CPU中完成所有功能到卸载成像功能至GPU，或是增加专用于成像功能的硬线逻辑等各种选择。「举例来说，光是在1.5GHz频率的A8 四核心上进行视讯处理，而不包括其它功能，也很容易就达到3瓦功耗。」Rowen表示。对于行动手机或数位相机而言，想要单独在CPU上做到这一点尤其困难，特别是当这种消费系统需要在拍照的同时连续执行高动态范围等演算法时。 IVP处理器核心架构透过使用硬线逻辑，可实现一些专用功能，如脸部检测、视讯稳定或物件追踪等。但是，随着越来越多的高阶人机界面功能向下转移到消费设备上，从现在开始的两个月内就必须提供更多新的硬线模组。 Tensilica的IVP DPU平台架构将成像功能卸载到GPU是另外一种选择。值得注意的是，GPU的侧重点在于浮点运算和3D绘图处理，Rowen认为，这种修改可能会降低成像效率，并增加晶片占用面积。此外，GPU较难以进行编程处理，他补充道。 Berkeley Design Technology公司总裁Jeff Bier解释，处理即时影像或视讯资料一般需要「每秒数百亿次作业，」这是因为「我们将复杂的演算法运用于即时资料，并从画素中撷取含义——这是嵌入式视觉的本质——也是个困难的问题。」另外，这个难题「从一般意义来看，事实上还未能解决，」Bier补充道。这意味着「演算法开发方法可能极具试验性和反覆性。」因此，从另一方面来看，所需要的成像/嵌入式视觉解决方案是可加以编程的，也较易于开发，他指出。基于高效处理器的架构 Linley Group公司资深分析师J.Scott Gardner赞同Jeff Bier的看法。「相较于视讯编解码具有详细定义的演算法，让设计者可烧录于硬体中;而嵌入式视觉所用的演算法实际上是无限制的，而且还一直在发展中。」他表示。 Gardner把嵌入式视觉称为「完美的应用」，因为它能「充分利用演算法中固有的资料层平行机制」。然而，仅拥有大量画素运算单元是不够的，他补充道，「记忆体系统和汇流排架构必须设计成能够以接近每秒10亿画素的速率高效率地提供画素资料。」那么在针对嵌入式视觉应用实现最佳化处理器时，设计者必须具备哪些特殊能力?Jeff Bier列举：必须能应用多种架构化平行机制，充分利用画素处理平行特色;支援更短与更长的资料类型(如8位元、16位元和32位元)，这样当需要较低精度时，就能平行执行更多作业以及节省记忆体频宽，而在需要较高精度时也能立即得到满足;提供非常高的记忆体频宽，以便能使所需的大量资料有效率地进出处理器;提供专门的指令，以便有效率地建置这些演算法中所使用的关键作业。事实上，Tensilica公司的IVP架构就能满足许多这种要求。IVP基于四路可变长度指令扩展(FLIX)架构。FLIX是Tensilica版本的VLIW架构，提供混合了紧密编码指令的高度平行机制。IVP采用一套32路向量单指令多资料(SIMD)的资料集和一条平衡的9级管线。这种架构包含一个直接记忆体存取(DMA)传送引擎，支援高达每秒10GB的吞吐量和每周期1,024位元(64x16位元画素/周期)的局域记忆体吞吐量，可充分满足解析度和画面播放速率要求。IVP还采用了许多特殊成像作业指令，可加速8位元、16位元和32位元画素资料类型和视讯作业模式，据Tensilica公司介绍。 Tensilica IVP vs CEVA架构当然，Tensilica并不是第一家致力于开发成像和嵌入式视觉用处理器核心的公司。CEVA公司于2012年1月发布的MM3101与Tensilica的IVP有许多相似之处，也混合使用了VLIW和SIMD。 CEVA-MM3101平台专用于满足最先进的成像增强和电脑视觉应用等极端计算需求 Gardner认为，「随着Tensilica进入嵌入式视觉市场，CEVA将必须重新改善其MM3000平台。」相较于Tensilica的IVP，CEVA公司的MM3101提供较低的原生运算性能和较小的记忆体频宽。Tensilica支援32路SIMD(512位元向量)，可能平行处理32个16位元画素，相形之下，MM3101在使用两个128位元的向量处理单元时仅支援每周期16个16位元画素，Gardner解释道。此外，虽然CEVA的MM3101有一个独立的256位元向量载入/储存单元，但Tensilica的IVP支援每周期高达2个512位元的参考记忆体，可实现高达4倍的记忆体频宽。

时间：2013-05-02 关键词： DSP 性能核心嵌入式视觉
英特尔将发布新凌动芯片性能接近主流芯片

据国外媒体报道，英特尔将在5月6日发布Silvermont微架构。这种微架构将分别产生用于平板电脑和智能手机的代号为“Bay Trail”和“Merrifield”的凌动处理器。这将是凌动处理器自从五年前为上网本推出以来英特尔首次发布对这种处理器的重新设计。英特尔在声明中称，英特尔执行副总裁达蒂·珀尔马特(Dadi Perlmutter)将介绍英特尔下一代凌动处理器微架构。这种处理器将面向从低功率平板电脑和智能手机到微型服务器以及数据中心等广泛的市场。新的凌动处理器将采用像英特尔主流的酷睿处理器那样的更高性能的乱序设计，并且也像主流处理器一样采用速度更快的英特尔图形芯片。换句话说，新的凌动处理器与2008年以来生产的凌动处理器完全不同。新的凌动处理器将集成最多四个基于英特尔22纳米3D晶体管设计的处理器内核。所有这些内核都是首次用于为平板电脑和小型设备设计的英特尔芯片。更重要的是新的凌动处理器将与目前的凌动处理器一样省电。这种重新设计的凌动处理器对于英特尔是非常重要的。Windows 8平板电脑毫无疑问将速度更快并且应该能够速度更快地运行多任务的Windows 8应用。当前的凌动处理器在运行多任务Windows 8应用方面有些不足。这种新的凌动处理器还能够使英特尔与高通和英伟达等ARM处理器厂商展开新的竞争。这些厂商在安卓设备方面占统治地位。使用“Merrifield”处理器的新的Android手机将在明年年初出现。

时间：2013-05-02 关键词：发布性能英特尔凌动芯片
ADI：高性能解决方案助推嵌入式系统发展

近几年随着数字革命的愈演愈烈，嵌入式系统得到了飞速的发展，应用领域也在不断扩展到与人们生活息息相关的方方面面。本次采访我们特别邀请到ADI公司精密ADC产品线产品应用经理魏科，就嵌入式处理器MCU/DSP的市场和技术进行探讨。为IC工程师解读嵌入式系统的技术发展趋势，介绍ADI的高性能嵌入式解决方案。魏科 ADI公司精密ADC产品线产品应用经理 1. 2013年MCU/DSP领域的热门关键词有哪些? 魏科:总体而言，更低成本、更低功耗、更小尺寸始终是业界不懈追求的目标。纵观MCU领域在近几年的发展历程， “多核技术”、“高性能DSP”、“MCU/模拟整合”、“Cortex-M”等一直都是该领域的热门，数字革命的推动令MCU/DSP产品在音响、辅助驾驶、电机控制、智能监控、生物识别、生命维持和救护等领域得到了广泛应用，同时广泛的应用又拉动了MCU/DSP产品的增长。 2013年，随着无线通信基础设施、汽车电子、智能视频监控、工业自动化控制和航空航天等嵌入式应用领域市场需求的推动，DSP和其他一些处理器等不同技术将继续走向融合。 2. ADI有哪些相应的解决方案?主要面向哪些应用? 魏科:为实现高速、多DSP信号处理、融合信号/控制处理、固定功能处理及微控制器应用等多种功能，ADI公司推出了包括Blackfin、SHARC、SigmaDSP、TigerSHARC、ADSP-21xx及模拟微控制器的嵌入式处理器和DSP产品组合。同时ADI拥有独具特色的包含高精度模拟信号处理外设的MCU系列，如ADuC702x、ADuC712X、ADuC703x、ADUC706X、ADuCM3xx系列。ADI的MCU和DSP产品关注于无线通信基础设施、汽车电子、智能视频监控、工业自动化控制和航空航天等嵌入式应用领域，致力于为用户提供完整的集成解决方案。 ADI针对嵌入式视觉应用进行优化的双核Blackfin处理器ADSP-BF60x ADI最近推出的新一代双核、1GHz处理能力的Blackfin处理器ADSP-BF60x系列针对嵌入式视觉应用进行了优化，并均配备一个称为“流水线视觉处理器(PVP) ”的高性能视频分析加速器。PVP是靠近Blackfin内核的一组功能模块，专为加快图像处理算法和降低整体带宽要求而设计。该PVP加速器每秒能执行高达250亿次的数学运算，其结合两个Blackfin内核，为强大且灵活的处理器奠定了基础，从而实现极高的分析性能。这些处理器将是未来高级汽车辅助驾驶系统 (ADAS)、工业机器视觉和安防/监控系统等应用的理想之选。同时，ADSP-BF60x提供全面的开发工具、开发板和扩展板，包括CrossCore Embedded Studio软件开发工具、高速仿真器、EZ-Kit开发板和专用EZ-Extender卡。ADSP-BF60x Blackfin处理器系列以强大的性能，极低的功耗，便利的设计以及实惠的价格实现高级分析功能，从而使嵌入式视觉系统能得到更广泛的应用。 ADI基于BF506F的汽车电动助力转向系统(EPS) 电动助力转向系统(EPS)是未来转向系统的发展方向，该系统由助力电机直接提供转向助力，省去了液压动力转向系统所必需的动力转向油泵、软管、液压轴、传送带和皮带轮，既节省能量，又保护环境，逐渐成为轿车的标准装置。根据咨询公司Strategy Analytics对中国EPS市场的预测，在2010-2017年期间中国的EPS市场的年复合增长率将达到16.9%，约1800万套。 BF506F是一个400MHz主频的低功耗处理器，片上4MBFLASH，双12bits，2MSPS12通道高速ADC，拥有CAN、UART通信接口，6对PWM输出。与同类产品相比，BF506F主频更高、片上FLASH更大、ADC数量采样率均比较高，更重要一点，BF506F更有成本优势。在外设资源相差不大，高主频意味着比较高的运算处理能力，因此，选择BF506F系列处理器实现EPS，在硬件平台不用变更的情况下，更容易实现算法、控制策略升级。 ADI基于ADSP-BF592的视频分析传感器基于BF592的视频分析传感器定位为极低成本，功能单一，外观小巧的产品，因此，设计时尽量紧凑，采用一体板方式。模块图如下：如上图所示各模块，首先通过PPI接口从摄像头视频信号采集YUV数据，然后存为背景，再通过运动检测的方法得到前景，通过对前景进行过滤分析，然后判断是否有运动物体闯入场景，从而得到是否有入侵的报警数据，最后通过RS232通信接口将报警数据传送到客户端。 BF592是Blackfin处理器产品系列的低成本入门级处理器，BF592提供200 MHz和400 MHz内核时钟速度，外设集包括两个SPORT口、一个PPI、两个SPI、四个通用计数器以及一个包含VDK RTOS和C运行库的工厂编程指令ROM块，其特性和成本针对不需要外部存储器或可执行闪存的计算密集型工业、汽车和通用应用进行了优化。BF592采用低成本9x9mm LFCSP封装，提供商用和工业温度等级以及通过汽车应用认证的产品。400-MMAC / 200-MHz Blackfin DSP售价1.99美元，评估板售价99美元。可以看出，基于BF592的视频分析传感器是一款极低成本，体积小，功耗低的产品，非常适用于智能楼宇，物联网的领域。 ADI针对铅酸电池传感器的高集成度ADuC703x系列欧美国家预测2020左右微混动系统在传统燃油车的装配比例将达到约50%。典型的微混动技术即发动机启停系统。汽车在等红灯之类的怠速止步情况下，可以通过这个系统将发动机关掉以降低油耗。该系统需要对铅酸电池的状态进行精确监控。ADI最早推出用于铅酸电池管理的系统级芯片ADuC703X。它集成高倍数PGA、高分辨率ADC、一块ARM7核、以及LIN等外设。可以测量mA级别至上千安培的电池电流动态范围，同时测量电池电压和温度。其32位内核基于这些测量数据进行电池电量和健康状态的高效计算，经LIN传送至发动机电喷控制系统。在这一领域，ADI目前占有绝对市场份额。 ADI针对工业变送器应用的SOC解决方案ADUCM360 高性能模拟前端、系统低功耗、高集成度、宽工作温度区间是工业过程控制应用的主流发展需求。(ADUCM360+AD5700+AD5421 )为工业变送器应用提供了最佳解决方案。其中，ADUCM360内置两个4K采样率、24位 SD ADC，采用32位ARM Cortex-M3内核，片上集成Flash/EE 存储器。AD5700是一种单芯片HART解决方案, AD5421是一款完整的环路供电型4 mA-20 mA数模转换器(DAC)。这三颗器件构成一个完整的工业变送器系统，典型整体工作功耗小于3.5mA。高性能、低功耗、高集成度是其突出特点。 ADI 针对高端光模块的SOC解决方案ADUC702X/ADUCM712X 高性能模拟前端、小封装、定制化、宽工作温度区间是通信领域中光模块应用的主流发展需求。ADI为高端光模块中的系统监控提供了市场中占据主导地位的解决方案。ADUC7020是现阶段PON OLT市场中的最重要的应用平台，ADUC7023/ADUC7121/ADUC7122为当前各种主流光模块(SFP+/QSFP+/XFP/CFP)提供了一体化的集成应用平台。 ADUC7023集成有12位SAR ADC、4路12位DAC，以及温度传感器、参考源和其他标准外设，基于ARM7TDMI内核，为小型化的光模块提供了高可靠的系统解决方案。ADUC7121是市面上唯一一款集成有12位SAR ADC、12位VDAC以及11位IDAC的ARM7TDMI内核的小封装SOC。在可调激光器模块、CFP应用中是首选解决方案。 3. 很多人认为Cortex-M0、M3和M4将取代现有的8位，16位以及32位MCU称谓，您如何看待该说法? 魏科:我们认为，基于CORTEX的32位MCU内核将会成为主流的SOC应用平台。

时间：2013-07-31 关键词：方案发展 adi 性能
Intel优化傲腾可持续内存性能一个补丁提升116%性能

Intel日前向Linux内核提交了新的补丁代码，持续优化傲腾可持续内存的性能，双路系统上内存访问性能提升了116%。这个补丁主要适用于有傲腾可持续内存的系统，它在存储分层中不同于内存，也不同于闪存，而是介于二者之间。这个补丁的作用是将原本存放在傲腾可持续内存上的热页面（hot pages）正确转移到DRAM内存中，反过来也可以将冷页面（cold pages）存储在傲腾可持续内存上。由于DRAM内存的性能依然大大高于傲腾可持续内存，所以性能大幅提升也是很正常的。在测试中，80：20配比的读取：写入下，pmbench基准的内存访问性能基准测试性能提升了116%。傲腾DC可持续内存采用标准的DDR4外形规格与接口协议，完全兼容现有DDR4插槽，直接插上就能用，但需要和DDR4内存共处同一通道(也就是每个通道一条傲腾内存配一条DDR4内存)，且需要插在每通道更靠近CPU的一条插槽上。按照Intel的内存存储层级划分，傲腾DC内存紧跟在系统DRAM之后，主要用来提升系统内存容量，傲腾DC SSD固态盘则放在傲腾DC内存、传统闪存固态盘之间，提升存储性能。傲腾内存条容量目前提供128GB、256GB、512GB，最大功耗18W，频率最高等同于DDR4-2666，读取带宽最高6.8GB/s，写入带宽最高2.3GB/s。

时间：2020-03-03 关键词： Intel 性能 Linux 内存补丁傲腾
对于充电ic你了解多少?充电ic性能分析

对于充电ic，可能很多朋友并不了解，为增进大家对充电ic的认知，本文将对充电ic予以介绍，并对充电ic的性能加以分析。本文介绍的充电ic型号较老，但原理大抵相同。如果你对充电ic存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。 RT9161B充电IC实际上是RT9161/A的一种变形，有那么一个时期，锂离子电池已经开始被部分用户批量使用了，市场上却没有好用的充电IC，没办法的我用多颗IC构成了一个不好但是堪用的电路销售给用户，这个方案要比其它厂商提供的方案贵很多，但是可以避免电池出现安全和漏电问题，成功地度过了一段荒芜时期。 RT9501充电IC根据恒压充电阶段的充电电压的不同，这款型号被分为A和B两个分型，分别满足4.1V电池和4.2V电池的需要。这款产品的规格书至今可在立锜的官网上看到，说明它仍处于销售状态。 RT9501是个控制器，调整管需要外挂，完整的应用电路长成下面的样子： Q1是外挂的调整管，CS与CC端之间的电压差决定了它的工作状态或导通程度，R4在这里是一个必须的存在，因为CC端是一个漏极开路的电流吸入端子，此电流必须经过R4以后才能形成Q1源-漏之间的电压差;RCS的作用是检测充电电流的大小，充电电流流过它形成的电压差在VDD和CS端之间被IC所检测;BATT端对输出电压也就是电池电压进行检测;和电池放在一起的负温度系数(NTC)热敏电阻对温度进行检测，它与RT2并联以后和RT1一起对VDD供电电压进行分压再施加到温度检测端TS，内部电路根据TS端电压与VDD之间的关系决定何时容许充电、何时不容许充电。FB/CE端具有双重作用，它既可以对芯片进行使能控制，又可以作为输出电压反馈端来使用，这样就容许对不同充电电压的电池进行充电，也可满足精密调节电池充电电压的需求，在此电路中，它的作用是作为使能端CE而存在。STAT是个可有三种状态的输出端子，可用它对IC的工作状态进行表达。二极管D1的作用是防止反向电流流入供电源中，也能防止输入端与地短路带来的危害，因为Q1内部的寄生二极管会在输入电压低于电池电压时导通使电池失去电量。一种可以避免经过Q1流失电量的方法是用PNP晶体管代替P-MOSFET，其应用电路如下图所示：我们都知道PNP管是用电流来驱动的，采用此电路时CC端就要流过比较大的电流，这对降低功耗显然是不利的，而且CC端也有最大吸入电流的限制，所以在选用PNP管的时候要考虑它的电流放大能力，这个参数小了以后就可能不能达到希望的最大充电电流。作为第一代的锂离子电池充电IC，RT9501已经具有了完整的三阶段充电策略，充满以后可以自动停止充电进程，切断电池与供电源之间的联系，并且可以随时监视电池的电压变化情况，并在电池电压下降超过100mV时重启充电过程，尽可能确保电池电量总是处于可能的最高状态，为离开电源以后的设备提供最大续航力。下图是RT9501的充电策略曲线图，供读者参考：要实现这样的充电策略，IC的内部还是很复杂的，我们看到的外部电路其实仅仅是冰山之一角。下面就来欣赏一下RT9501的内部电路框图：当外部电源存在并且其电压高于电池电压和IC的启动电压的时候，充电IC根据电池电压状况决定自己的工作状态。如果电池电压低于预充电压阈值，电流控制回路就以很小的电流对电池进行充电，直至电池电压超过预充电压阈值，充电电流再切换到正常的设定电流进行恒流充电以便快速增加电池电量。当恒流充电使电池电压提升到电压控制回路所设定的充电电压时，电压控制回路的作用就盖过了电流回路的作用，此时的输出电压是恒定的，而输出电流则随着电池的越来越满而越来越小，当它小到一定的程度时(触及充电终止电流阈值)，我们就认为电池已经充满了，于是完全停止充电过程，调整管关断，再也没有电流流入电池。此后，复充控制电路对电池电压进行检测，如果它发现电池电压低于充电电压某个值(如100mV)，它便触发复充过程。很显然，复充阶段是从恒流充电开始的，此后它会进入恒压充电阶段，并在充电电流再次触及充电终止电流阈值时停止复充过程。睡眠状态的进入是以VDD电压低于BATT电压为条件的，这种状态通常都意味着外部电源已经撤下了，电路无法再获取电能为电池进行充电，IC此后的工作电源来自电池，这对电池来说纯属消耗，所以，这时的IC消耗会被最小化，很多电路都完全处于不工作的状态。在某些充电IC的规格书中常常会提及状态机的概念，实际上就是这些IC会不断对自己所面临的外在环境进行检测，同时也会记录已经经历过的一些状态，然后判定自己当前所处的状态，再根据此状态决定要采取的行为，这使得它们可以在任何时候都能进入最合适的工作状态。当理解了这一点以后，上面所说的那些充电过程就很容易被理解了，它们不过是状态机的不同状态被连接起来以后的外在显现而已，实际上它可能从来没有想过要去形成那些过程。作为一种早期的产品，RT9501容许的最高输入电压是7V，这在要求不太高的时代还是很合适的，毕竟大多数的供电接口都是5V输出。但是我们在实际的应用中常常可以看到更高的输入电压尖峰，这样的状态多是由不是很合适的电路在插拔中的瞬态过程造成的，所以，RT9501的后续产品们通常都具有十几V甚至30V的高压耐受能力。以上便是此次小编带来的“充电ic”相关内容，通过本文，希望大家对充电ic具备一定的认知。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，小编将于后期带来更多精彩内容。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!

时间：2020-03-04 关键词：性能控制器充电ic 指数
vivo Z6性能解析

本文将对vivo Z6予以介绍，如果你想对它的具体情况一探究竟，或者想要增进对它的认识，不妨请看以下内容哦。 vivo Z6采用了时下流行的挖孔屏设计，右上角超小孔径仅为3.85mm，屏占比也达到了90.74%。屏幕尺寸为6.57英寸，2400x1080分辨率，3D四曲面设计，提供冰川纪、极影黑、星际银三种配色。性能方面，其搭载骁龙765G处理器，5G双模，支持Multi-Turbo 3.0 6涡轮加速引擎和专业电竞模式。内置5000mAh大电池，支持44W超快闪充。 vivo Z6散热也非常强悍，配备PC级超级液冷散热系统(85mm液冷管降温10℃+1000多平方毫米多层石墨散热片+Cooling Turbo智能热管理)。拍照方面，前置镜头1600万像素，后置四摄，分别是800万像素112度防畸变超广角镜头、4800万像素超清主摄(F1.79光圈)、200万像素独立人像景深镜头、200万像素4cm超微距镜头。经由小编的介绍，不知道你对它是否充满了兴趣?如果你想对它有更多的了解，不妨尝试度娘更多信息或者在我们的网站里进行搜索哦。

时间：2020-03-09 关键词：性能 vivo z6
华硕PRIME TRX40-PRO主板性能测评

在这篇文章中，小编将对华硕PRIME TRX40-PRO主板进行性能测评，如果你对这篇文章的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。测评如下：在Cinebench R15中，单核心分数205cb、多核心分数7330cb。在Cinebench R20测试中，单核心分数508pts、多核心分数16764pts。在CPU-Z Version 17.01.64版本中，单核心得分525、多核心得分20824.9。新版的CPU-Z V19及V19 AVX2测试，AMD锐龙Threadripper 3970X同样发挥出色。以上便是小编此次带来的华硕PRIME TRX40-PRO主板相关测评，此外，如果你想进一步了解有关它的其他方面的实际性能，不妨继续关注小编后期带来的更多相关测评哦。

时间：2020-03-09 关键词：性能华硕 trx40-pro
LED产品光电性能标准

随着科学技术的发展，LED技术也在不断发展，为我们的生活带来各种便利，为我们提供各种各样生活信息，造福着我们人类。光电性能对于LED产品尤为重要，那么大家是否了解LED产品有哪些光电性能呢?下面我们一起来学习一下LED产品光电性能有哪些测试标准。 1.电特性 LED的电特性参数包括正向电流、正向电压、反向电流以及反向电压，该项测试一般是利用电压电流表进行测试，在恒流恒压源供电情况下。通过LED电特性的测试可获得最大允许正向电压、正向电流及反向电压、电流这些参数，此外，还可以获得LED的最佳工作电功率值。 2.光特性主要包括光通量和光效、光强和光强分布特性以及光谱参数。光通量和光效：通常有两种方法，为积分球法和变角光度计法。虽然后者的测试结果最为精确，但因耗时较长，一般采用前者。在用积分球法进行测试时，可以将被测LED放置在球心，也可以放置在球壁。测得光通量之后，配合电参数测试仪就可以测得LED的发光效率，也就是光效。光强和光强分布特性：LED由于光强分布是不一致的，所以它的测试结果随测试距离和探测器孔径的大小变化而变化，可以让各个LED在同一条件下进行光强测试与评价，这样结果比较准确。光谱参数：主要包括峰值发射波长、光谱辐射带宽和光谱功率分布等。LED的光谱特性都可由光谱功率分布表示，通过光谱功率分布，还可以得到色度参数。一般光谱功率分布的测试需要通过分光进行，将混合光中的单色光逐一区分出来进行测定，可采用棱镜和光栅实现分光。 3.开关特性是指LED通电和断电瞬间的光、电、色变化特性，通过这项测试可以得到LED在通断电瞬间工作状态、物质属性等变化规律，从而了解通断电对LED的损耗。 4.颜色特性主要有色品坐标、主波长、色纯度、色温和显色性等，测试方法有分光光度法和积分法。分光光度法：通过单色仪分光测得LED光谱功率分布，然后利用色度加权函数积分获得对应的色度参数。积分法：利用特定滤色片配合光电探测器直接测得色度参数。 5.热学特性也指热阻和结温，热阻是指沿热流通道上的温度差与通道上耗散的功率之比，结温是指LED的PN结温度。LED结温的测试方法有两种，一种是采用红外测温显微镜或微型热偶测得LED芯片的表面温度，另一种是利用确定电流下的正向偏压与结温之间反比变化的关系来判定LED的结温。相信在未来的科学技术更加发达的时候，LED会以更加多种类的方式为我们的生活带来更大的方便，这就需要我们的科研人员更加努力学习知识，这样才能为科技的发展贡献自己的力量。

时间：2020-03-15 关键词：性能 LED 光电
索泰RTX 2060 6G 霹雳版，3A大作随便玩

本文将对索泰RTX 2060 6G 霹雳版 OC HA予以介绍，如果你想对它的具体情况一探究竟，或者想要增进对它的认识，不妨请看以下内容哦。索泰RTX 2060 6G 霹雳版 OC HA这款显卡是一张非常不错显卡，索泰RTX 2060 6G 霹雳版 OC HA显卡在性能上可以轻松应对一众网游，即使是最需要配置的几款单机3A大作也可以降低视频质量后进行体验游玩，基本上不需要担心画面卡顿、性能不足无法打开游戏等情况的发生。至于温控方面，这款显卡的三把散热风扇和超大散热鳍片可以告诉你什么才是真正的低温高性能。只要机箱风道通畅，长时间满负荷运行也不会有过热死机的问题。以上便是小编此次想要和大家共同分享的内容，如果你对本文内容感到满意，不妨持续关注我们网站哟。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!

时间：2020-03-16 关键词：性能显卡索泰
小新 15 2020最新报道

在这篇文章中，小编将为大家带来小新 15 2020笔记本的最新报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。小新 15 2020采用15.6英寸四边窄雾面屏，分辨率1920x1080，100% sRGB高色域，支持DC调光。顶部摄像头采用防窥盖板设计，轻轻一拨，即可遮挡摄像头，防止摄像头被打开泄露隐私。其配备全尺寸键盘，提供数字小键盘，三挡键盘背光，而且支持指纹开机二合一，一键进入系统。其C面还采用双扬声器设计支持杜比。需要注意的是，小新 15 2020不是全金属的机身，但联想集团平板电脑事业部高级产品经理@林林-一枝小白兔表示，A面的金属加上C面有点仿绒的质感摸起来特别舒服。性能方面，配置十代酷睿i7-1065G7 + 16G DDR4 3200 + MX350 + 512G SSD，电池容量70Whr。应该也会提供i5版本。以上便是小编此次带来的全部内容，十分感谢大家的耐心阅读，想要了解更多相关内容，或者更多精彩内容，请一定关注我们网站哦。

时间：2020-03-20 关键词：性能笔记本小新
Surface Pro X CPU性能测评

在这篇文章中，小编将对Surface Pro X的CPU性能加以测评。如果你对本文涉及的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。 1、GeekBench 4 跨平台CPU性能测试软件GeekBench 4都能够在Surface Pro X上正常运行。特别的是，GeekBench 4提供了ARM和X86两种测试环境用于选择，由此我们得以对Microsoft SQ1在两种环境下的性能进行比较。在GeekBench 4测试中，ARM环境下单核性能得分3246分，多核性能得分9496。相较于X86环境下的测试分数，无论单核分数还是多核分数，都存在50%左右的领先。 2、国际象棋测试在国际象棋中，Surface Pro X的性能倍数为10.88，分数为5222。 3、PCMark 10 PCMark 10对于ARM架构的Windows系统提供了一个应用程序测试方便跨平台比较性能。在这项测试汇总，将会测试基本办公环境下的几款应用速度，其中包括Word、Excel、PowerPoint和Edge浏览器。 4、3DMark 11 3DMark 11的测试中，P分为1974。 5、3DMark 新版3DMark对于低性能设备推出了专用的Night Raid测试项目，用于测试ARM Windows设备相当合适。 3DMark 11的Night Raid测试，Surface Pro X得分7061分。以上便是小编此次带来的Surface Pro X CPU性能相关测评，此外，如果你想进一步了解有关它的其他方面的实际性能，不妨继续关注小编后期带来的更多相关测评哦。

时间：2020-03-20 关键词： CPU 性能 surface
TVS管性能及选型技巧

大家都知道电路，那么知道什么是TVS瞬态电压抑制器吗?TVS瞬态电压抑制器。当两极受到反向瞬态高能量冲击时，能以 10 的负 12 次方秒量级的速度，将两极间的高阻抗变为低阻抗，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件。在浪涌电压作用下，TVS 两极间的电压由额定反向关断电压 VWM 上升到击穿电压 VBR，而被击穿，随着击穿电流的出现，流过 TVS 的电流将达到峰值脉冲电流 IPP，同时在其两端的电压被钳位到预定的最大钳位电压 VC 以下，其后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS 两极间的电压也不断下降，最后恢复到初态;TVS 管有单向与双向之分，单向 TVS 管的特性与稳压二极管相似，双向 TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联。一、其主要特性参数 1、反向截止电压 VRWM 与反向漏电流 IR：反向截止电压 VRWM 表示 TVS 管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流 IR。 2、击穿电压 VBR：TVS 管通过规定的测试电流时的电压，这是表示 TVS 管导通的标志电压。 3、脉冲峰值电流 IPP：TVS 管允许通过的 10/1000μs 波的最大峰值电流(8/20μs 波的峰值电流约为其 5 倍左右)，超过这个电流值就可能造成永久性损坏。在同一个系列中，击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小，一般是几 A～几十 A。 4、最大箝位电压 VC：TVS 管流过脉冲峰值电流 IPP 时两端所呈现的电压。 5、脉冲峰值功率 Pm：脉冲峰值功率 Pm 是指 10/1000μs 波的脉冲峰值电流 IPP 与最大箝位电压 VC 的乘积，即 Pm=IPP*VC;在给定的最大钳位电压下，功耗 PM 越大，其浪涌电流承受能力越大，在给定的功耗 PM 下，钳位电压越低，其浪涌电流的承受能力越大;另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形，持续时间和环境温度有关：典型的脉冲波形持续时间为 1ms，当施加到二极管上的脉冲波形持续时间小于 TP，则随着 TP 的减小脉冲峰值功率增加;TVS 所能承受的瞬态脉冲式不重复的，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积可能损坏 TVS。 6、稳态功率 P0：TVS 管也可以作稳压二极管用，这时要使用稳态功。 7、极间电容 Cj：与压敏电阻一样，TVS 管的极间电容 Cj 也较大，且单向的比双向的大，功率越大的电容也越大，极间电容会影响 TVS 的响应时间。 8、峰值电流波形：A、正弦半波 B、矩形波 C 、标准波(指数波形) D、三角波 TVS 峰值电流的试验波形采用标准波(指数波形)，由 TR/TP 决定。峰值电流上升时间 TR: 电流从 0.1IPP 开始达到 0.9 IPP 的时间。半峰值电流时间 TP：电流从零开始通过最大峰值后，下降到 0.5IPP 值的时间。下面列出典型试验波形的 TR/TP 值： EMP 波：10ns /1000ns 闪电波：8μs /20μs 标准波：10μs /1000μs 二、优点及缺点优点：响应速度快(为 ns 级)、瞬态功率大、漏电流低;其 10/1000μs 波脉冲功率从 400W～30KW，脉冲峰值电流从 0、52A～544A;击穿电压有从 6、8V～550V 的系列值，便于各种不同电压的电路使用。缺点：耐浪涌冲击能力较放电管和压敏电阻差; 稳压二极管：反应较慢;一般用于电压精度要求高的地方(一般较小)，防浪涌，击穿电压精准，各压值档都有;齐纳击穿; 压敏电阻：与稳压二极管相似，但不可恢复。三、选型依据及注意事项： 1、TVS 的最大反向钳位电压 VC 应小于被保护电路的损坏电压; 2、TVS 的额定反向关断电压 VWM 要大于或等于被保护电路的最大工作电压，若选用的 VWM 太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作; 3、交流电压只能用双向 TVS; 4、在规定的脉冲持续时间内，TVS 的最大峰值脉冲功率 PM 必须大于被保护电路可能出现的峰值脉冲功率，在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流; 5、结电容是影响 TVS 在高速线路中使用的关键因素，在这种情况下，一般用一个 TVS 管和一个快恢复二极管以背对背的方式连接，由于快恢复二极管有较小的结电容，因而二者串联的等小电容也较小，可以满足高频使用的要求; 6、需要考虑降额使用的应用; 应用场合：功率开关电路;整流二极管(与之同向);电源变压器;防直流电源反接或电源通断时产生的瞬时脉冲;抑制电机，断电器线圈，螺线管等感性负载产生的瞬时脉冲电压;控制系统的输入输出端。使用注意事项： 1、对瞬变电压的吸收功率峰值与瞬变电压脉冲宽度间的关系，手册给的只是特定脉宽下的吸收功率峰值，实际线路中的脉冲宽度则变化莫测，事前要有估计，对宽脉冲应降额使用; 2、对小电流负载的保护，可有意识地在电路中增加限流电阻，只要限流电阻的阻值合适，不会影响线路的正常工作，但限流电阻对干扰所产生的电流却会大大减小，这就有可能选用峰值功率较小的 TVS 管来对小电流负载电路进行保护; 3、对重复出现的瞬变电压的抑制，要注意 TVS 管的稳态平均功率是否在安全范围之内; 4、环境温度升高时要降额使用，TVS 管的引线长短，它与被保护线路的相对距离。四、应用举例直流电路中选用举例：整机直流工作电压 12V，最大允许安全电压 25V(峰值)，浪涌源的阻抗 50MΩ，其干扰波形为方波，TP=1ms，最大峰值电流 50A。选择： 1、先从工作电压 12V 选取最大反向工作电压 VRWM 为 13V，则击穿电压为 V(BR)=VRWM/0.85=15.3V; 2、从击穿电压值选取最大箝位电压 VC(MAX)=1.30×V(BR)=19.89V，取 VC=20V; 3、再从箝位电压 VC 和最在峰值电流 IP 计算出方波脉冲峰值功率： PPR=VC×IP=20×50=1000W 4、计算折合为 TP=1MS 指数波的峰值功率，折合系数 K1=1.4， PPR=1000W÷1.4=715W 交流电路选用举例：直流线路采用单向瞬变电压抑制二极管，交流则必须采用双向瞬变电压抑制二极管。交流是电网电压，这里产生的瞬变电压是随机的，有时还遇到雷击(雷电感应产生的瞬变电压)所以很难定量估算出瞬时脉冲功率 PPR。但是对最大反向工作电压必须有正确的选取。一般原则是交流电压乘 1.4 倍来选取 TVS 管的最大反向工作电压。直流电压则按 1.1—1.2 倍来选取 TVS 管的最大反向工作电压VRWM。 TVS 保护直流稳压电源实例：图中是一个直流稳压电源，并有扩大电流输出的晶体管，在其稳压输出端加上瞬变电压抑制二极管，可以保护使用该电源的仪器设备，同时还可图中是一个直流稳压电源，并有扩大电流输出的晶体管，在其稳压输出端加上瞬;变电压抑制二极管，可以保护使用该电源的仪器设备，同时还可以吸收电路中的集电极到发射极间的峰值电压，保护晶体管，建议在每个稳压电源输出端加一个TVS 管，可以大幅度提高整机应用的可靠性; 还有用 TVS 保护晶体管，集成电路，可控硅，功率 MOS 管(在栅源之间加上瞬变电压抑制二极管，可防止栅极击穿)，继电器等; 继电器的触点往往用大电流去开关电动机等大电流电感负载，而电感在开关时有很高的反电势，而且有较大的能量，往往把触点烧坏或击穿产生电弧等，必须对触点采取保护，抑制电弧的产生，以保护继电器。但是这种电弧产生的浪涌电流很大，过去采用电容或者用电容串联电阻、二极管、二极管串联电阻等抑制方案，现在采用瞬变电压抑制二极管方案效果更好。以上就是TVS瞬态电压抑制器的一些知识介绍，希望能带给大家启发。

时间：2020-03-26 关键词：性能选型 tvs管
近红外OLED中的高性能近红外发光材料

近日，从西安交通大学获悉，该校理学院化学学科周桂江教授团队联合校电信学院与材料科学与工程学院相关专家团队，设计合成出一类分子结构简单而发光性能优异的近红外发光材料，打破了能隙规则(energy gap law)以及传统的近红外材料合成方法复杂低效，高性能近红外发光材料非常稀少导致格局，其相关研究成果近日以《利用氢键增强分子间聚集效应研发可制备高性能近红外有机发光二极管的磷光材料》为题，并在Wiley旗下期刊《先进科学》上发表。现在大街上随处可见的LED显示屏，还有装饰用的LED彩灯以及LED车灯，处处可见LED灯的身影，LED已经融入到生活中的每一个角落。近红外光在光治疗、生物成像、通信以及夜视显示等方面具有特殊应用，在可见光OLED快速发展的过程中，最大发射峰波长超过700 nm的近红外OLED也越来越受到人们的关注。当前，受制于能隙规则(energy gap law)以及传统的近红外材料合成方法复杂低效，绝大部分近红外OLED的发光外量子效率都低于10%，高性能近红外发光材料非常稀少。有鉴于此，西安交大理学院化学学科周桂江教授课题组青年教师杨晓龙博士设计合成了一类分子结构简单而发光性能优异的近红外发光材料，并与电信学院吴朝新教授以及材料科学与工程学院马伟教授等团队合作研究了该类材料在近红外OLED中的应用性能及其相关机理。研究发现，通过改变分子结构调控分子的静电势强弱以及分布区域，可以增强分子间的相互作用，进而改善材料的发光性能以及载流子传输性能。以该材料为发光分子，采用真空蒸镀方式制备的非掺杂OLED表现出非常优异的发光性能，最大发射峰波长为724 nm，最大外量子效率达到16.7%。可见光有机发光二极管(OLED)技术正在走进人们的生活，在信息显示如手机屏幕、电视屏幕以及发光照明如室内照明、汽车尾灯等应用场景中不断提高人们的应用体验与生活品质。现在的LED灯或许会有一些问题，但是我们相信随着科学技术的快速发展，在我们科研人员的努力下，这些问题终将呗解决，未来的LED一定是高效率，高质量的。

时间：2020-03-27 关键词：性能 OLED 近红外材料
微星GS 75游戏本配置、性能介绍

在这篇文章中，小编将为大家带来微星全新GS 75绝影游戏本的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。微星全新GS 75绝影游戏本配备17.3英寸300Hz电竞屏，最高可选i9-10980HK+RTX 2080S Max-Q。微星GS 75游戏本配备了一块17.3英寸IPS大屏，分辨率1920x1080，屏幕边框4.9mm，屏占比达到了85%。其平面刷新率高达300Hz，较一般传统笔记本面板提升五倍的刷新率，带来更生动鲜明的画面呈现，能更迅速的应变游戏中的突发状况。微星GS 75游戏本配备赛睿多彩背光游戏键盘，可根据个人喜好定制每一个按键，并通过键盘灯光接收游戏中的实时状态。性能方面，微星GS 75游戏本可选i7-10750H和i9-10980HK处理器，显卡可选RTX 2070S Max-Q和RTX 2080S Max-Q，均为Max-Q设计。标配16GB内存和1TB固态，最高可选32GB内存和2TB固态。经由小编的介绍，不知道你对它是否充满了兴趣?如果你想对它有更多的了解，不妨尝试度娘更多信息或者在我们的网站里进行搜索哦。

时间：2020-04-05 关键词：性能游戏本微星
荣耀30S，40W超级快充

在这篇文章中，小编将为大家带来荣耀30S手机的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。荣耀30S继续采用蝶羽纹理设计，并升级为双层膜片工艺，犹如一只彩蝶灵动自若。6.5英寸魅眼全面屏，2.4mm超窄侧边指纹，提供蝶羽翠、蝶羽白、蝶羽红、幻夜黑四色可选。荣耀30S延续了荣耀家族经典的Matrix Camera矩阵式设计，搭载6400万全焦段AI四摄，包括：6400万像素高清镜头、800万像素三倍光学变焦镜头、800万像素超广角镜头和一颗200万微距镜头共4颗摄像头。支持3倍光学变焦、20倍数码变焦。性能方面，荣耀30S首发搭载7nm麒麟820 5G SOC芯片，在“一代神U”麒麟810的基础上再次升级。8核CPU性能提升27%、新架构GPU图形能力提升38%、新升级NPU AI性能提升73%。荣耀30S支持40W超级快充，内置4000mAh大电池，德国莱茵TüV安全快充认证，30分钟充满70%。此外，得益于EROFS系统分区优化，F2FS精准空间清理，号称30个月久用如新。以上便是小编此次带来的全部内容，十分感谢大家的耐心阅读，想要了解更多相关内容，或者更多精彩内容，请一定关注我们网站哦。

时间：2020-04-07 关键词：性能荣耀 30s