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硅基光电探测器的暗电流抑制技术：工艺改进与测试验证
在光通信、量子计算及高精度光谱分析领域，硅基光电探测器凭借其与CMOS工艺兼容、响应速度快等优势成为核心器件。然而，暗电流（无光照时的漏电流）作为制约探测器灵敏度的关键因素，其抑制技术直接决定器件性能上限。本文从工艺创新与测试验证双维度，系统阐述硅基光电探测器暗电流抑制的前沿进展。
在光通信、量子计算及高精度光谱分析领域，硅基光电探测器凭借其与CMOS工艺兼容、响应速度快等优势成为核心器件。然而，暗电流（无光照时的漏电流）作为制约探测器灵敏度的关键因素，其抑制技术直接决定器件性能上限。本文从工艺创新与测试验证双维度，系统阐述硅基光电探测器暗电流抑制的前沿进展。
