TDK株式会社(东京证券交易所代码:6762)新近推出爱普科斯 (EPCOS) EP9系列变压器(订购代码:B82804E)。相比于专为IGBT及FET栅极驱动电路而设计现有E10EM系列表面贴装变压器,新系列元件尺寸更为紧凑,且优异性能可满足500 V系统电压的严苛汽车及工业应用要求,同时具备绝缘性能好、耦合电容超低和耐热性强的特点。该新系列产品迎合了TDK积极推动绿色转型,迈向更加电气化和可持续未来的理念。
一般的逆变器、开关电源、电机驱动等应用中都需要2个以上mosfet或者IGBT构成桥式连接,其中靠近电源端的(比如图中红色部分)通常被称为高压侧或上臂、靠近地端的通常被称为低压侧或下臂(比如图中蓝色部分),高低只是针对两者所处位置不同,电压值不一样来区分的。 如果用驱动单个mosfet的方法去驱动高压侧的功率管,当需要关断下臂的时候,那么基本上臂是无法导通的,所以上臂和下臂的驱动电压值是不一样的,上臂要略高于下臂。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列小型栅极驱动变压器---MGDT,可在高功率的国防和航天、工业及医疗应用中显著节省空间。Vishay Custom Magnetics的MGDT系列器件采用小尺寸20.57mm x 18.42mm平面封装,高度为11.43mm,损耗小,最小爬电和电气间隙为8mm。