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突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~
据业内消息，本周西安一高校半导体研究团队宣布在半导体材料研究上取得突破！该研究成功在 8 英寸硅片中制备出高质量的氧化镓外延片，标志着在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
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SiC和GaN并不是终点，功率半导体氧化镓到底是什么
SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。
