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更薄的IIIA族氮化物结构
随着社会的不断进步，技术的不断发展，科技产品也日新月异，产品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的设计者来设计，功率器件对电子产品是功不可没的。瑞典的研究人员在碳化硅(SiC)上生长出更薄的IIIA族氮化物结构，以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管(T-HEMT)和其他器件。
随着社会的不断进步，技术的不断发展，科技产品也日新月异，产品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的设计者来设计，功率器件对电子产品是功不可没的。瑞典的研究人员在碳化硅(SiC)上生长出更薄的IIIA族氮化物结构，以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管(T-HEMT)和其他器件。
