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  • 康佳志在打造中国一流的半导体产业平台

    康佳志在打造中国一流的半导体产业平台

    近期，氮化镓概念在资本市场备受关注，部分个股曾出现连日涨停。同样都是氮化镓半导体技术，作为国内领先的电视品牌厂商，康佳开发的氮化镓技术首先应用于光电显示器件，而国内大多数公司把氮化镓用于功率器件的氮化镓晶体管和用于通信电路的氮化镓射频放大器。康佳电子工程师介绍，二者同为化合物半导体产品，一个是二极管，一个是场效应三极管，在制造工艺等方面既有相似性，也各有其特殊性。功率器件强调的是输出能力、效率、复杂环境下的抗干扰特性等;Micro LED产品最大的不同在于它是发光器件的微型化，在巨大数量的情况下，保证其特性的一致性。 “以4英寸晶圆为例，假设用来制造10um×15um的Micro LED器件，可以制造约1300万颗。4英寸晶圆面积约为一本书的面积的1/4。在这么小面积上切1300万颗芯片，且保持波长均匀性，难度极大。对制造工艺、材料要求都极为苛刻。”李宏韬说。 记者了解到，2019年9月，康佳设立重庆光电研究院，注册资本20亿元，其中康佳出资15亿元，布局半导体光电领域。重庆康佳光电技术研究院目前负责开展Micro LED产品为代表的氮化镓等化合物半导体技术与应用研发。“康佳在Micro LED芯片研发上已取得初步突破，申请了超过100项国际国内专利。其中，半导体光电器件技术已经完成显示多个规格的芯片样片研制，2020年可用于实际产品。”李宏韬说。 2019年12月底，重庆康佳光电技术研究院与深圳市联建光电有限公司共同出资设立重庆康建光电科技有限公司，推进Mini LED及Micro LED新技术在公共视讯的商用化进程。北京工业大学光电子技术教育部重点实验室邰建鹏、郭伟玲团队认为，如今Micro LED的过渡技术Mini LED技术已经相当成熟，在高端显示和车载显示有着巨大的应用潜力，在未来研究中可靠性、尺寸效应、巨量转移等技术会有突破，而Micro LED显示技术将会推动显示行业向前发展。 从2018年成立半导体事业部开始，1%的“小目标”成为康佳集团上下非常看重的突破。康佳布局半导体存储产业，1%是康佳存储芯片在2020年销售额的一个“小目标”。康佳集团总裁周彬说，这个只是绩效考核目标，而非对股东的业绩承诺。深康佳A在2月13日表示，如果其51%控股的合肥康芯威存储技术有限公司，在2020年销售1亿颗存储主控芯片的目标达成，按照目前对存储主控芯片价格的预测计算，1亿颗存储主控芯片相应的销售总金额预计约为2.5亿元，占本公司2020年销售收入的比重将不超过1%。 “我们的目标是要打造中国一流的科技创新驱动的半导体产业平台。基于这一目标，康佳半导体业务已经在存储、光电、半导体应用及服务等领域进行了快速布局。”周彬说，除了光电领域之外，康佳希望能够打通半导体存储领域的“设计+封测+渠道”全产业链。 今年1月，在拉斯维加斯举行的2020年美国消费电子展中，来自中国的各大黑色家电品牌展出多款最新电视机产品，继续推动高清显示行业向前。例如，海信的卷曲屏幕激光电视、创维的4.6毫米超薄机身自发光壁纸电视、TCL的8K量子点技术显示器(QLED)电视等，受到广泛关注。康佳集团展出的电视机新品是236英寸“APHAEA Smart Wall”，它由1亿颗Micro LED芯片自发光，可实现2K、4K、6K、8K不同分辨率，以及16：9、21：9、1：1不同纵横比例拼接逼真影像，全面实现私人定制。黑色家电业内的一个共识是，显示技术对于彩电行业至关重要，几乎每一次显示技术迭代，都将决定谁能占据更大市场份额。Micro LED显示技术此前主要被日韩公司掌握。2012年，日本索尼公司在2012美国消费电子展中首次展示了55英寸Crystal LED Display TV原型机。2018年，韩国三星公司推出了146英寸的“The Wall”电视机。 发光二极管(light emitting diode，简称“LED”)是一种半导体发光器件。Micro LED是该领域内一项新兴的显示技术，相比于传统液晶显示技术、硅基液晶技术 (LCOS)、OLED技术， Micro LED显示有着响应速度快、自主发光、对比度高、使用寿命长等优势。 2018年底，康佳在合肥成立康芯威存储技术有限公司，作为“设计”产业环节的代表企业;2019年下半年，康佳集团成立康佳芯盈半导体科技(深圳)有限公司，从事“封测+渠道”环节。据深康佳公告，合肥康芯威存储技术有限公司拥有自主知识产权的首款存储主控芯片KS6581A已于2019年12月实现量产，首批10万颗当月完成销售。 “目前除了三星之外国际上少数有能力进行Micro LED 8K产品系统整合设计及生产的企业。”康佳集团副总裁李宏韬说，“Smart Wall”产品从芯片设计、产品系统设计、部件制造、产品组装等产业链过程均自主完成。北美市场将是康佳在2020年重点发力的区域。“康佳不再停留于代工类生产制造，努力实现科技输出、品牌输出，在全球目标市场培养起自己的产业能力，实现真正的全球化。”康佳集团总裁周彬说。 围在康佳集团看来，“Smart Wall”系列产品的推出，不是其电视制造能力的体现，而是其近年来布局半导体产业的成果。“康佳在Micro LED显示技术的突破点是氮化镓。以Micro LED为代表的半导体光电显示器件，其发光核心就是基于氮化镓发光二极管，氮化镓材料更大的材料能隙使其成为蓝色和绿色发光器件最佳选择。”李宏韬说。

    时间：2020-03-17 关键词： 半导体 氮化镓晶体管 氮化镓

  • 贸泽备货Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化镓晶体管

      21ic讯 贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo的QPD1025L碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) 晶体管。QPD1025在65 V 电压下的功率为1.8 kW，是业界功率最高的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 射频晶体管，提供高信号完整性和长覆盖距离，非常适合L波段航空电子设备和敌我识别 (IFF) 应用。 GaN技术卓越的性能和可靠性使其非常适合基础设施、国防和航空航天应用，如雷达、通信、 导航以及类似的应用。其性能的增强让设计师可以在提升系统性能的同时，灵活地节省电路板空间和系统成本。 贸泽供应的Qorvo QPD1025L是高电子迁移率晶体管 (HEMT)，同时支持脉冲波和连续波 (CW) 操作，以更高效地提供可与硅基LDMOS设备媲美的性能。该器件使用65 V电源轨供电，提供22.5 dB线性增益和 77.2%的典型功率附加效率 (PAE3dB)。QPD1025L晶体管提供内部输入预匹配，简化了外部板匹配，节省了电路板空间。 此款符合RoHS标准的无铅晶体管具有配套的QPD1025L评估板。

    时间：2018-05-31 关键词： 氮化镓晶体管 贸泽电子

  • TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管

    21ic讯 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6 GHz宽广的工作频率上提供30-37W (CW) 射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。 TriQuint新的氮化镓功率晶体管包括28V的T1G6003028-FS，其工作频率为直流至6 GHz，提供30W的输出功率，在3.5 GHz和6 GHz频率时的效率分别为55%和44%。T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法兰封装来满足不同封装的要求。TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法兰封装的T1G4003532-FL是用于S波段及类似应用的理想选择。它们在直流至3.5 GHz工作频率下提供37W (CW) 输出功率。上述两种32V器件均在3.5 GHz和6 GHz分别提供大于16dB和10dB的增益;其附加功率效率(PAE) 在5GHz和6GHz分别为60%和49.6%。 所有四款新的氮化镓晶体管均可承受高达10:1的驻波比(VSWR) 失配而不损害功能，同时为在高漏偏压条件下工作而优化，从而降低系统成本和散热管理成本。所有器件均可出口至大多数国家;详情请与TriQuint联系。 技术规格 – 新的TriQuint 氮化镓晶体管： T1G6003028-FS 直流至6 GHz的氮化镓射频功率晶体管：30W；在3.5 GHz时, 增益为14dB；在6 GHz时，增益为10dB；漏极效率：在3.5 GHz时为55%, 在6 GHz时为44%；28V在200 mA，承受10:1 驻波比，EAR99无法兰封装。 T1G6003028-FL 直流至6 GHz的氮化镓射频功率晶体管：30W；在3.5 GHz时, 增益为14dB；在6 GHz时，增益为10dB；漏极效率：在3.5 GHz时为55%, 在6 GHz时为44%；28V在200 mA，承受10:1 驻波比，EAR99法兰封装。 T1G4003532-FS 直流至3.5 GHz的氮化镓射频功率晶体管：30W CW；在3.5 GHz时, 增益超过16dB；在6 GHz时，增益为10dB；附加功率效率：在5 GHz时为60%, 在6 GHz时为49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 驻波比，EAR99无法兰封装。 T1G4003532-FL 直流至3.5 GHz的氮化镓射频功率晶体管：37W CW；在3.5 GHz时, 增益超过16dB；在6 GHz时，增益为10dB；附加功率效率：在5 GHz时为60%, 在6 GHz时为49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 驻波比，EAR99无法兰封装。 如需样品和评估板请联系产品营销部。访问TriQuint网站来接洽所在地区的销售代表。

    时间：2012-12-18 关键词： 氮化镓晶体管 triquint 增益

  • 宜普公司开发板采用德州仪器公司专为驱动增强型氮化镓晶体管而设的栅极驱动器

    宜普电源转换公司(EPC)宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9003及EPC9006开发板， 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转用氮化镓技术。 EPC9003开发板是一种5 A最大输出电流的半桥电路设计，内含两个EPC2010 （200 V）氮化镓场效应晶体管，并采用德州仪器公司专为氮化镓器件而优化的低侧栅极驱动器（LM5114）。EPC2010专为太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电及同步整流器等应用而设。 此外，宜普公司宣布推出EPC9006 开发板，内含两个5 A最大输出电流、100 V的EPC2007氮化镓场效应晶体管，并使用德州仪器专为驱动氮化镓晶体管的100 V半桥驱动器（LM5113）。这块板上所使用的LM5113采用2英寸x2英寸的BGA封装，可以用来实现非常紧凑且配备驱动器的电源电路。受益于EPC2007性能的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关及高频电路。 推出EPC9003及EPC9006开发板的目的是简化评估氮化镓场效应晶体管的过程，因为这种开发板是块2英寸x1.5英寸单板，板上集成了所有关键元件，因此易于连接任何现有转换器。此外，电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。随开发板一起提供的还有一份供用户参考和易于使用的速查指南。 EPC9003及EPC9006开发板的单价为95美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。 氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持 • 速查指南： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9003_qsg.pdf http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9006_qsg.pdf • EPC2007、EPC2010及所有宜普氮化镓器件的数据表，可在这个网页下载:  http://epc-co.com/epc/Products.aspx • 关于开发板及其它设计支持的资料： http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/DemoBoards.aspx • 参看氮化镓产品的训练素材： http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/ProductTraining/eGaNtradeFETBasics.aspx • 氮化镓场效应晶体管应用手册 http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/ProductTraining/ApplicationofeGaNtradeFETs.aspx  

    时间：2012-10-11 关键词： 氮化镓晶体管 驱动 开发板 德州仪器公司

  • OKI为无线基站研制的氮化镓晶体管

       今天，OKI公司宣布将开始预备为无线基站研制的增强型伪同晶高电子迁移率氮化镓晶体管(GaN-HEMT)。这种晶体管的使用，将有效降低3G移动电话和PHS基站以及城域网基站的规模与能耗。     GaN-HEMT拥有3-10W/mm的高输出功率密度，是传统增强型伪同晶高电子迁移率砷化镓晶体管(GaAs-HEMT)的十倍，从而使得晶体管尺寸大大减小。就以前的一般情况而言，电功率总是与多枚晶体管结合在一起接收高输出的，然而，内嵌GaN-HEMT后，每枚晶体管的输出功率变大了，使用的晶体管数目自然就变少了，从而传输电路以及外围电路的尺寸也相应减少了。     GaN-HEMT能承受的电压量是GaAs-HEMT的3到5倍。从另外一个角度来看，因为工作电流降低了1/3-1/5，使得外围设备上的能耗也减少了，整个电路的能耗也就降低了。     OKI公司成功研制了工作于7.8W/mm高输出功率密度的GaN-HEMT样品，其饱和功率达到了50.2W，更重要的是其体积仅仅是同类产品的1/9。此外，其邻信道泄漏功率比（ACPR）（功率晶体管的性能指标之一）达到了-55dBC的低指数，是3G移动电话基站标准所规定的信号幅度的1/10。     OKI计划测试成功后于2006年初试销该产品，并于2006年下半年开始大批量生产。OKI的目标是，到2008年，在全世界范围内成功开拓30%的GaN高频功率设备市场。

    时间：2005-01-18 关键词： 无线基站 oki 氮化镓晶体管

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