英飞凌将在欧洲建设全球首座300毫米氮化镓功率半导体大规模量产基地
GaN超越硅的优势正变得越来越明显
英飞凌与NVIDIA合作开发氮化镓电源转换系统,支持800 VDC AI数据中心
GaN在射频功率领域会所向披靡吗?
AI数据中心迈向800V直流机架电源架构:Microchip与Navitas合作助力推动电源转型
全球首次:12 英寸氧化镓晶体长出"等径段",第四代半导体终于能切片了
英飞凌携功率半导体全价值链解决方案亮相PCIM Asia 2026
增强型GaN功率晶体管的门极驱动器匹配技术研究
聚焦更宽禁带:下一代电源系统设计中的新型宽禁带技术
宽禁带革命:GaN 晶体管重塑 100W 以下 AC-DC 转换器
3.57MHZ 11.79MHZ 19.12MHZ超声雾化项目
预算:¥60000