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单片式整合氮化镓芯片即将推出，imec为提升功率电路性能拼了
3月22日消息，比利时微电子研究中心(imec)氮化镓电力电子研究计划主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平台上，整合高性能肖特基二极管与空乏型高电子迁移率晶体管(HEMT)的成功案例。该平台以P型氮化镓(GaN)HEMT制成，此次研发成功整合多个GaN元件，将能协助新一代芯片扩充功能与升级性能，推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点(POL)转换器所需的开发动能，进一步缩小元件尺寸与提高运作效率。
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Transphorm氮化镓芯片厂商普通股成功转板纳斯达克资本市场
2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已获准在纳斯达克资本市场(Nasdaq Capital Market，简称“纳斯达克”)上市。
