Transphorm氮化镓芯片厂商普通股成功转板纳斯达克资本市场

2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已获准在纳斯达克资本市场(Nasdaq Capital Market，简称“纳斯达克”)上市。

Transphorm股票在纳斯达克市场的交易预计将于2022年2月22日开市时开始，并将继续使用股票代码“TGAN”。在转入纳斯达克市场前，Transphorm的股票将继续在OTCQX上交易。公司股东无需因转板纳斯达克而采取任何行动。Transphorm总裁兼联合创始人Primit Parikh对此公告评论道：“转板纳斯达克是Transphorm发展历程中的一个重要里程碑，既证明了Transphorm团队的全心投入和辛勤工作，也证明了我们在打造全球领先的氮化镓公司的过程中与宝贵客户和合作伙伴之间的密切协作。”

Transphorm的专利氮化镓平台在功率转换应用性能要求的关键方面不同于竞争对手的解决方案——从45W快速充电器/电源适配器到4kW游戏、数据中心服务器、加密货币挖矿和工业电源供应，再到可再生能源/能源及几十千瓦的更高功率汽车转换器和逆变器应用。Transphorm是少数几家垂直整合的高压氮化镓制造商之一，通过创新、外延晶片(核心原始材料)和制造工艺控制其氮化镓场效应晶体管(GaN FET)设计。Transphorm Inc (股票编号：OTCB TGAN)成立于2007年，总部位于加利福尼亚州戈莱塔，是氮化镓(GaN)功率半导体器件的先驱和领先供应商，同时也是少数拥有自主研发、生产和应用能力的生产厂家。目前拥有员工100多人，其中博士18人，在氮化镓领域工作经验总和超过300年。拥有关于氮化镓研发和应用的专利超过1000项。在美国加州和日本都设有工厂，年产能达三万片。

几十年来，硅基功率晶体管(MOSFET、场效应晶体管)构成了功率转换系统的支柱，可将交流电 (AC) 转换为直流电 (DC)，反之亦然，或将直流电从低压转换为高压。在寻求可以提高开关速度的替代品时，氮化镓 (GaN) 迅速成为领先的候选材料之一。GaN/AlGaN 材料体系表现出更高的电子迁移率和更高的击穿临界电场。结合高电子迁移率晶体管 (HEMT) 架构，与同类硅解决方案相比，它使器件和 IC 具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更低的电导损耗和更小的占位面积。GaN 是高功率应用的首选材料，因为导致晶体管击穿的临界电压(击穿电压)比硅高 10 倍。但对于低功率应用，GaN 仍然具有优于硅的优势，因为它具有出色的开关速度。“我们创建的基于 GaN 的 IC 为更小、更高效的 DC/DC 转换器和负载点 (PoL) 转换器开辟了道路。例如，智能手机、平板电脑或笔记本电脑包含可在不同电压下工作的芯片，因此它们需要 AC/DC 转换器来为电池充电，并需要设备内部的 PoL 转换器来产生不同的电压。这些组件不仅包括开关，还包括变压器、电容器和电感器。晶体管开关速度越快，这些组件就越小。

目前氮化镓可是有相当前景的，近日有投资者提问：“氮化镓能突破激光雷达发光和远度的瓶颈和探测高频使用场景关键需求。激光雷达这个应用场景，硅和碳化硅都没有办法解决快速开关的要求，是对氮化镓的刚需市场，也是氮化镓进入汽车领域的第一个应用场景。公司哪个子公司现在在这方面有投入?”。赛微电子于3月22日在投资者互动平台回应称，公司瑞典及北京产线均在开展激光雷达MEMS振镜的工艺开发业务;公司控股子公司聚能创芯具备成熟的氮化镓(GaN)外延材料生长及芯片设计工艺技术;公司子公司之间有开展相关研发合作。但由于车规产品的可靠性验证及认证周期较长，相关业务的成熟与发展尚需时日。

氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。