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3D IC电源完整性多物理场耦合：电磁-热应力协同仿真与压降优化 摘要
随着3D IC技术向10nm以下先进制程与HBM3/3E堆叠演进，电源完整性（Power Integrity, PI）面临电磁干扰（EMI）、热应力耦合、IR压降等复杂挑战。本文提出一种电磁-热应力多物理场协同仿真框架，通过构建热-电-力耦合模型，实现3D IC中TSV（硅通孔）、微凸块（Microbump）及RDL（再分布层）的压降精准预测与动态优化。实验表明，该框架使3D IC电源网络压降预测误差降低至3.2%，热应力导致的TSV电阻漂移减少68%，为高密度集成芯片的可靠性设计提供关键技术支撑。
