磷化铟(InP)的高电场电子漂移速度比砷化镓(GaAs)高，适合制造高速高频器件。此外，InP的热导率、太阳能转换效率、抗辐射特性等均优于GaAs,适合制造集成电路、太阳能电池等，目前主要被用于光纤、毫米波和无线领域。是
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