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确定 GaN 产品可靠性的综合方法
TI正在设计基于GaN原理的综合质量保证计划和相关的应用测试来提供可靠的GaN解决方案。氮化镓(GaN)的材料属性可使电源开关具有令人兴奋且具有突破性的全新特性—功率GaN。高电子迁移晶体管(HEMT)。HEMT是一种场效应晶体管(FET)，会使导通电阻会低很多。它的开关频率要比同等大小的硅功率晶体管要快。这些优势使得功率转换的能效更高，并且能够更加有效地使用空间。GaN可以安装在硅基板上，这样可充分利用硅制造能力，并实现更低的成本。然而，在使用新技术时，需要验证这项技术的可靠性。这份白皮书的主题恰恰是G
