-
CMOS耗尽模式技术具有许多优势，第二部分
众所周知，当 V GS 在增强模式下为正时，N 型耗尽型 MOSFET 的行为类似于 N 型增强型 MOSFET;两者之间的唯一区别是 V GS = 0V时的漏电流 I DSS量。增强型 MOSFET 在栅极未通电时不应泄漏任何电流，因此当 V GS = 0V 时 I DSS必须 为 0，但当 V GS = 0V 时允许 I DSS电流流过耗尽型 MOSFET 的传导通道 。
众所周知，当 V GS 在增强模式下为正时，N 型耗尽型 MOSFET 的行为类似于 N 型增强型 MOSFET;两者之间的唯一区别是 V GS = 0V时的漏电流 I DSS量。增强型 MOSFET 在栅极未通电时不应泄漏任何电流，因此当 V GS = 0V 时 I DSS必须 为 0，但当 V GS = 0V 时允许 I DSS电流流过耗尽型 MOSFET 的传导通道 。
