高介电常数栅电介质和金属栅极技术(以下简称HKMG)使摩尔定律在45/32纳米节点得以延续。目前的HKMG工艺有两种主流整合方案,分别是“先栅极”和“后栅极”。“后栅极”又称为可替换栅极(以下简称RMG),使用该工艺时高介电常数栅电介质无需经过高温步骤,所以VT偏移很小,芯片的可靠性更高。
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