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MOS 场效应管被静电击穿的原因分析
在现代电子技术领域，MOS 场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)凭借其独特优势，如高输入阻抗、低噪声、易于集成等，被广泛应用于各类电子产品中，从日常的手机、电脑到复杂的工业控制、通信设备等，都离不开 MOS 场效应管的身影。然而，MOS 场效应管对静电极为敏感，静电击穿问题严重影响其性能和可靠性，甚至导致器件永久性损坏，给电子产品的生产、使用和维护带来诸多困扰。深入探究 MOS 场效应管被静电击穿的原因，对提升电子产品质量、降低生产成本、保障设备稳定运行具有重要现实意义。
