第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料,主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等。与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料拥有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导率、导通阻抗小、体积小等优势,特别适用于5G射频和高压功率器件。
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