8月20日至21日,南京将迎来国内集成电路产业的重要交流盛会。值此期间,硅芯科技将围绕“平台建设、技术路线、产业协同、生态展示”四大方向开展系列活动。其中,由硅芯科技主办的“3D IC产业协同创新会议(STCO协同创链·破局无人区)”将作为核心活动,与2026 ICDIA创芯展同期联动,共同推动3D IC与先进封装从技术创新迈向产业协同。
随着3D IC技术向10nm以下先进制程与HBM3/3E堆叠演进,电源完整性(Power Integrity, PI)面临电磁干扰(EMI)、热应力耦合、IR压降等复杂挑战。本文提出一种电磁-热应力多物理场协同仿真框架,通过构建热-电-力耦合模型,实现3D IC中TSV(硅通孔)、微凸块(Microbump)及RDL(再分布层)的压降精准预测与动态优化。实验表明,该框架使3D IC电源网络压降预测误差降低至3.2%,热应力导致的TSV电阻漂移减少68%,为高密度集成芯片的可靠性设计提供关键技术支撑。
随着半导体技术的飞速发展,3D集成电路(3D IC)凭借其高集成度、低功耗和卓越性能等优势,成为推动电子系统持续进步的关键力量。然而,3D IC的复杂结构以及日益严苛的性能和可靠性要求,使得在其整个生命周期内进行持续维护和优化变得至关重要。硅生命周期管理(SLM)作为一种新兴范式,通过监控、分析和优化半导体器件的设计、制造、测试和部署过程,为3D IC的发展提供了有力支持。