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3D IC电源完整性多物理场耦合：电磁-热应力协同仿真与压降优化 摘要
随着3D IC技术向10nm以下先进制程与HBM3/3E堆叠演进，电源完整性（Power Integrity, PI）面临电磁干扰（EMI）、热应力耦合、IR压降等复杂挑战。本文提出一种电磁-热应力多物理场协同仿真框架，通过构建热-电-力耦合模型，实现3D IC中TSV（硅通孔）、微凸块（Microbump）及RDL（再分布层）的压降精准预测与动态优化。实验表明，该框架使3D IC电源网络压降预测误差降低至3.2%，热应力导致的TSV电阻漂移减少68%，为高密度集成芯片的可靠性设计提供关键技术支撑。
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硅生命周期管理（SLM）在3D IC中的应用：从流片到部署的数据闭环策略
随着半导体技术的飞速发展，3D集成电路（3D IC）凭借其高集成度、低功耗和卓越性能等优势，成为推动电子系统持续进步的关键力量。然而，3D IC的复杂结构以及日益严苛的性能和可靠性要求，使得在其整个生命周期内进行持续维护和优化变得至关重要。硅生命周期管理（SLM）作为一种新兴范式，通过监控、分析和优化半导体器件的设计、制造、测试和部署过程，为3D IC的发展提供了有力支持。
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