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256核心！ 16nm路由芯片已投片，紫光股份的7nm在研发中

尽管母公司紫光集团目前面临破产申请的麻烦，但旗下的子公司运营还是正常的，其中紫光股份日前表示该公司研发的16nm路由芯片已经投片，7nm高端芯片也在研发中。紫光股份董秘在互动平台上回应网友提问时表示，公司从2019年开始研发网络芯片，去年年末公司基于16nm工艺的高端网络处理器芯片已正式投片，目前正在做产品测试，预计在今年第四季度发布基于该网络处理器芯片即“智擎660”的系列网络产品。公司还将研发7nm的高端路由器芯片，保持量产一代、设计一代的迭代方式不断进行技术演进。据此前消息，紫光股份旗下的新华三今年4月份发布了其自主研发的智擎600 系列芯片，采用16nm工艺，拥有256个处理核心，4096个硬件线程，共180亿个晶体管，线卡性能高达2.4Tbps，能够满足运营商及互联网骨干网络的需要。 2022年新华三将继续突破核“芯”技术，计划推出更高规格的智擎800系列，实7nm制程、处理核心数量超过500个、晶体管数量较智擎600系列提升122%。根据公司官网，目前新华三是国内第一家具备高级语言编程能力网络处理器的系统厂商。日前紫光股份透露，该公司研发的16nm工艺路由芯片已经投片，拥有256个核心，预计今年第四季度发布基于该网络处理器芯片即“智擎660”的系列网络产品。此外，紫光股份还透露下一代芯片已经在研发中了，将升级到7nm工艺。据消息人士爆料，紫光股份的7nm路由芯片拥有超过500个内核，同时晶体管数量相比16nm芯片提升122%。这个7nm芯片将用于子公司新华三下一代的智擎800系列路由产品中，预计今年底排序流片，2022年正式用于路由器产品中。在高端路由器市场上，华为、思科是技术、市场领先的两大巨头，其中华为2016年就推出了自研的Solar 5.0系统，制程工艺升级到16nm，集成45亿门路，拥有288个核心，3168个线程，吞吐量比上代提升4倍。华为从1999年开始自研路由芯片，用了17年才达到16nm工艺水平。与之相比，紫光股份旗下的新华三2020年6月份完成首款芯片研发，2021年就升级到了16nm工艺，用时只有1年多，进步可谓神速。当然，华为起步早、技术雄厚，这也是领先紫光股份的地方，可惜的是华为新一代的7nm路由芯片已经无法量产，紫光股份的7nm高端路由芯片明年就能问世了。近日，紫光集团被债权人申请破产重整一事引起了人们的广泛关注，市值3000亿芯片巨头被申请破产重整!紫光集团发生了什么?。紫光集团公告称，收到北京一中院送达的《通知书》，芯片商紫光展锐就“紫光集团被债权人申请破产重整”一事发布声明称，目前尚未发现公告事宜会对展锐目前的生产经营活动产生直接影响。紫光集团公告称，收到北京一中院送达的《通知书》：相关债权人以我集团不能清偿到期债务，资产不足以清偿全部债务且明显缺乏清偿能力，具备重整价值和重整可行性为由，向法院申请对我集团进行破产重整。虽然公告未点名是哪一家债权人，不过紫光股份、紫光国微在近日发布公告称，收到间接控股股东紫光集团告知函，债权人徽商银行向北京一中院申请对紫光集团进行重整。从紫光集团公告不难发现，银行质疑紫光集团资不抵债，所以申请破产重整。紫光集团今年曾公开披露，其旗下已有6只债券违约，并且表态：公司已启动债务风险化解工作，将积极与持有人沟通制定债务解决方案。实际上，早在2019年，紫光集团境外债波动就引发关注。紫光集团当时发布旗下境外债异常波动的声明：紫光集团及下属主要企业均经营正常。紫光集团境内外无违约事件发生，公司境内外现金充足、资金流动性稳健。紫光集团2019年曾发布境外债异常波动声明。紫光集团在2019年报中表示，2019年，紫光集团在集团层面带息负债同比减少209亿元，由年初1611亿元减至1402亿元。

时间：2021-07-22 关键词：路由芯片紫光股份 7nm
紫光股份7nm路由芯片，超过500核心，1年等于华为17年

日前紫光股份透露，该公司研发的16nm工艺路由芯片已经投片，拥有256个核心，预计今年第四季度发布基于该网络处理器芯片即“智擎660”的系列网络产品。此外，紫光股份还透露下一代芯片已经在研发中了，将升级到7nm工艺。据消息人士爆料，紫光股份的7nm路由芯片拥有超过500个内核，同时晶体管数量相比16nm芯片提升122%。这个7nm芯片将用于子公司新华三下一代的智擎800系列路由产品中，预计今年底排序流片，2022年正式用于路由器产品中。在高端路由器市场上，华为、思科是技术、市场领先的两大巨头，其中华为2016年就推出了自研的Solar 5.0系统，制程工艺升级到16nm，集成45亿门路，拥有288个核心，3168个线程，吞吐量比上代提升4倍。华为从1999年开始自研路由芯片，用了17年才达到16nm工艺水平。与之相比，紫光股份旗下的新华三2020年6月份完成首款芯片研发，2021年就升级到了16nm工艺，用时只有1年多，进步可谓神速。当然，华为起步早、技术雄厚，这也是领先紫光股份的地方，可惜的是华为新一代的7nm路由芯片已经无法量产，紫光股份的7nm高端路由芯片明年就能问世了。尽管母公司紫光集团目前面临破产申请的麻烦，但旗下的子公司运营还是正常的，其中紫光股份日前表示该公司研发的16nm路由芯片已经投片，7nm高端芯片也在研发中。紫光股份董秘在互动平台上回应网友提问时表示，公司从2019年开始研发网络芯片，去年年末公司基于16nm工艺的高端网络处理器芯片已正式投片，目前正在做产品测试，预计在今年第四季度发布基于该网络处理器芯片即“智擎660”的系列网络产品。公司还将研发7nm的高端路由器芯片，保持量产一代、设计一代的迭代方式不断进行技术演进。据此前消息，紫光股份旗下的新华三今年4月份发布了其自主研发的智擎600 系列芯片，采用16nm工艺，拥有256个处理核心，4096个硬件线程，共180亿个晶体管，线卡性能高达2.4Tbps，能够满足运营商及互联网骨干网络的需要。 2022年新华三将继续突破核“芯”技术，计划推出更高规格的智擎800系列，实7nm制程、处理核心数量超过500个、晶体管数量较智擎600系列提升122%。根据公司官网，目前新华三是国内第一家具备高级语言编程能力网络处理器的系统厂商。紫光股份早在1999年就已经上市，上市以来股价表现并不是太好，早在2000年左右，紫光股份的股价就已经达到过80多元，如今后复权之后，股价依然只有140元左右，二十年的时间，股价涨幅没有超过一倍，甚至跑输银行利率。纵使紫光股份在收购新华三后营收和净利增长率有着大幅的下跌，进入了一个发展的瓶颈期，但是云基础服务的未来市场广大，紫光股份还在国内服务器市场市占率第二，云管理平台市占率第一，SDN市占率第一，未来发展可期。紫光股份有限公司(UNIS)是信息电子产业的中国高科技A股上市公司(股票简称紫光股份，代码000938)，由清华紫光(集团)总公司1999年发起设立。2018年4月8日，紫光股份(000938)突然发布《关于公司董事长辞职的公告》称，该公司第七届董事会于当天收到公司董事长赵伟国提交的书面辞职报告，赵伟国因工作繁忙申请辞去公司董事、董事长职务。辞职后，赵伟国不再担任公司任何职务。紫光股份聚焦IT服务领域，着力打造“云—网—端”产业链，向云计算、移动互联网和大数据处理等行业应用全面深入，核心业务覆盖硬件、软件、技术服务，是集现代信息系统研发、建设、运营、维护于一体的全产业链服务提供商，能够为大型客户的信息化需求提供完整的IT服务。

时间：2021-07-21 关键词：路由芯片紫光股份 7nm
半导体王者归来？ Intel 7nm流星湖处理器即将出炉

在过去几年中，Intel因为CPU工艺(相对)落后而备受质疑，但在今年3月份的全新战略会上，新任CEO基辛格公布了未来的路线图，7nm工艺已经露出曙光，Intel开始找回自信了。在日前的财报会议上，Intel再次重申了他们的CPU路线图，今年的一个重点是10nm全线扩产，下半年就会超越14nm成为产能主力，用了6年多的14nm将退居二线。 10nm处理器中，Ice Lake移动版去年就出货了，服务器版前不久发布，也开始上市了，11代酷睿移动版则是第二代10nm SF工艺，15-28W版Tiger Lake-U、35W版Tiger Lake-H已经出货。45W版Tiger Lake-H最近也陆续出货了，移动市场的布局差不多了。桌面版处理器上，3月份发布的Rocket Lake，也就是11代酷睿还是14nm工艺的，下半年问世的是Alder Lake传闻会升级为第三代的10nm ESF工艺，并首次使用大小核架构，首发的最多16核24核心。今年2月份，Intel老将Pat Gelsinger(帕特·基辛格)取代前任CEO司睿博，开始执掌这家50多岁的半导体巨头，此前他誓言将带领Intel的半导体工艺重新伟大。担任CEO一个多月了，基辛格的表现很低调，也没有多少公开露面，更没有宣布什么大规模改革，不过业界都知道这些是不可避免的。 Intel CEO新官上任三把火，第一把火可能会在3月24日的主题演讲中公布，Intel此前已经宣告，基辛格将就Intel的业务、技术、创新等做对外演讲，全程开放直播，主题是“Intel Unleashed: Engineering the Future(技术引领未来)”。这次发布会的一个重磅产品已经确定了，那就是Ice Lake-SP处理器，10nm工艺，最多40核80线程，相比之前的14nm 28核设计强大了许多。但10nm处理器不会是唯一的明星，Intel需要拿出更有爆炸性的东西才能让人信服，所以业界预期这次演讲中，Intel将会公布新一代路线图，介绍未来几年的发展目标。其中7nm工艺的进展是关键的，之前的路线图上7nm工艺本该今年底量产，首发用于高性能Xe HPC显卡，然而去年Intel宣布延期半年到一年，后面又不断传出坏消息，预计要到2023年才能看到了。这几天，Intel公布了雄心勃勃的IDM 2.0战略，将投资200亿美元建设两座半导体晶圆厂，7nm工艺要在2023年量产，目标是要重回半导体领先地位。在14nm节点之前，特别是22nm首发3D晶体管FinFET工艺之后，Intel在2014年之前可以说是全球最先进的半导体工厂，官方PPT曾经表示他们领先友商至少3.5年，考虑到当时三星、台积电的情况，Intel此言不虚。当然，这几年情况变了，14nm工艺虽然性能很好，但是从2014到现在都用了7年了，台积电三星这几年中可是从28nm一路升级到了5nm工艺，明年都要量产3nm工艺了。就处理器的制程而言，Intel 曾经遥遥领先，不过其在 14nm 升级到 10nm 的过程中遇到了极大的麻烦。当 AMD 都推出两代 7nm 产品之后，Intel 第 11 代酷睿依然采用的是 14nm 制程。 Intel今年底会推出12代酷睿Alder Lake处理器，升级10nm ESF工艺，首次使用Golden Cove大核及Gracemont小核心组成的大小核架构，还有LGA1700插槽，支持DDR5、PCIe 5.0等先进技术。 12代酷睿有可能对战AMD的增强版Zen3+处理器，后者还有可能会用上AMD前不久宣布的3D封装，集成额外的缓存来提高性能，等待明年的5nm Zen4架构。 Intel下下代的处理器也在准备中了，那就是7nm Meteor Lake流星湖处理器，前不久Intel确认它已经Tape-In，所谓Tape-in在Tape-Out(流片)前，大概是IP模块完成设计验证阶段。流星湖处理器的进度可能比预期的要快，有爆料称今年底就可以看到Meteor Lake的ES工程样品，意味着Intel差不多只用半年时间就完成流片，速度快的不可思议。按照Intel的计划，7nm Meteor Lake处理器是在2023年开始出货，如果今年底就有ES样品，那2023年出货的时间是相当保守的，理论上至少可以提前到2022年下半年。不论如何，7nm Meteor Lake与AMD的5nm Zen4处理器一战是跑不了的。只是即便如此，明年 AMD 就将进入 5nm 制程时代，Intel 的 10nm 制程依然不够看啊。Intel 已经确认 7nm Meteor Lake 流星湖处理器已经到了 Tape-in 阶段大概是 IP 模块完成设计验证阶段。由于流星湖处理器的进度可能比预期的要快，有爆料称今年底就可以看到 Meteor Lake 的 ES 工程样品，意味着 Intel 差不多只用半年时间就完成流片，速度快的不可思议。按照 Intel 的计划，7nm Meteor Lake 处理器是在 2023 年开始出货，如果今年底就有 ES 样品，那 2023 年出货的时间是相当保守的，理论上至少可以提前到 2022 年下半年。台积电的5nm工艺密度是1.71亿晶体管/mm2，3nm工艺可达2.9亿晶体管/mm2，而Intel的10nm工艺是1.01亿晶体管/mm2，7nm节点可达2-2.5亿晶体管/mm2。对比的话，Intel的7nm工艺按最高水平来看，非常接近台积电的3nm工艺，哪怕在2023年问世，有这个水平的话也不比台积电差多少，不像现在这样14nm、10nm工艺被7nm、5nm遥遥领先。当然，以上都是极限水平，实际表现还要看处理器的具体情况，只是现在这个数据足以说明Intel的7nm工艺不容小觑，耐心等待两年，或许Intel真的王者归来了。

时间：2021-06-24 关键词： Intel 芯片 7nm
2.6万亿晶体管和7nm技术，WSE 2巨无霸芯片来了

全球最大芯片出第二代了!WSE 2 将于今年第三季度上市。WSE 2 采用 7 纳米制程工艺，晶体管数达 2.6 万亿个。近年来大量芯片进入市场，旨在加速人工智能和机器学习工作负载。基于不同的机器学习算法，这些芯片通常专注于几个关键领域，但它们大多有一个共同的限制——芯片大小。两年前，Cerebras 揭开了芯片设计领域的一场革命：他们研发了一款名为Wafer Scale Engine(WSE)的芯片，拥有 1.2 万亿个晶体管，是英伟达 GPU Titan V 的 57 倍。WSE 的尺寸比一台 iPad 还要大。Cerebras 的「暴力美学」曾引发人们惊呼：「WSE 的晶体管数量已经超过人类大脑中的神经元了!」Cerebras 也因此在业界闻名。美国硅谷创企 Cerebras Systems 推出了其新的 Wafer Scale Engine 2(WSE-2)处理器，该处理器为超级计算任务而构建，具有破纪录的 2.6 万亿个晶体管(市场上最大的 GPU 只有 540 亿个晶体管)和 85 万颗 AI 优化内核，大小类似餐盘，采用台积电的 7nm 工艺。这是 Cerebras 第二次使用整个 300mm 晶圆制造单颗芯片。这么大的晶圆一般会被切割成数百个独立芯片，Cerebras 却将其制成一个芯片。在庞大的体积之下，这种芯片相比同等算力的 GPU 集群，功耗和所占空间更小。 Tirias Research 首席分析师 Jim McGregor 在一封电子邮件中写道，虽然对于数以百万的 AI 算法来说，Cerebras 不像英伟达一样全面，但是 Cerebras 的解决方案显然已经吸引到了许多客户。从 2019 年交付 WSE 芯片起，在过去的一年里，已经有很多重量级用户使用了 Cerebras 的产品。比如美国阿贡国家实验室、劳伦斯利弗莫尔国家实验室、匹兹堡超级计算中心、爱丁堡大学的超级计算中心、葛兰素史克、东京电子器件等。在Hot Chips 2020，该公司首席硬件架构师Sean Lie表示，Cerebras对客户的主要好处之一是能够简化工作负载，以前需要使用GPU / TPU机架，而是可以以计算相关的方式在单个WSE上运行。Cerebras在多伦多，圣地亚哥，东京和旧金山拥有约300名员工。该公司首席执行官Andrew Feldman表示公司已经实现了盈利，已经部署了CS-1的客户很多，且已有更多的客户在远程试用CS-2。在SC20上，CS-1展示了自己针对火焰模拟的超强计算能力。在实际应用场景中，快速模拟燃煤电厂的燃烧过程，可以帮助人类预防大型事故的发生。美国能源技术实验室的科学家使用Cerebras CS-1和全球排名第81的超级计算机Joule同时模拟了发电厂中的燃烧过程。结果显示，CS-1不仅计算速度比Joule快约200倍以上，能耗和成本也远低于传统CPU超算。具体来说，造价数千万美元、具有84000个CPU内核的Joule能耗为450千瓦，在2.1毫秒内完成了计算;相比之下，研发成本百万美元的Cerebras功率约为20千瓦，花费时间约6微秒。 CS-2的部署将于今年第三季度进行，价格已从2-3百万美元升至“数百万”美元。 WSE的出现，是因为训练神经网络需要花费较多的时间，即便是当今最先进的模型，也需要几天或几周的时间进行训练，大型网络则需要数周。通常做法是在数十、数百甚至数千个GPU上进行分布式训练，以使训练时间更可控。其中最大的瓶颈，是这些庞大的处理器集群很难编程，而且数据必须在处理器和外部 DRAM 存储器之间进行多次传输，既浪费时间又消耗能源。所以WSE研发团队的初衷是扩大芯片，使它与 AI 处理器内核一起容纳所需的所有数据。把功耗降低到千瓦似乎被证明是超级计算的一个关键好处。但不幸的是，Lauterbach对此表示怀疑，他担心这项功能是否会成为数据中心的一大卖点。他说道：“虽然很多数据中心都在谈论节约能源，但归根结底，他们并不在乎，他们更想要性能。” 一个CS-2的性能相当于整个GPU集群的性能，同时具有单个设备的简单性。专为人工智能设计的Cerebras WSE突破了人们对芯片尺寸的想象，用很小的能耗和空间提升计算性能。

时间：2021-04-22 关键词：晶体管芯片 WSE2 7nm
国产光刻胶迎来首条生产线，对7nm芯片制造产生重大影响

光刻胶是集成电路生产制造的核心材料，也是微电子技术的微细图形加工的关键材料之一。光刻胶的质量与性能对芯片的成品、性能具有至关重要的影响，更是集成电路生产制造中产业链中技术门槛最高的微电子化学品之一，也是当前电子领域中重要的基础应用材料之一。多年来，光刻胶研发被列入我国高新技术计划、重大科技项目。今年9月28日，国家发展改革委、科技部、工业和信息化部以及财政部联合印发的《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》中明确提出，要加快在光刻胶、高强高导耐热材料、耐腐蚀材料等领域实现突破。自美国接二连三在半导体领域发起出口限制，我国半导体国产化进程也备受关注。而事实上，当前我国在半导体的设计、封测以及制造三大关键程序已有了初步的发展。近日，芯片生产的关键材料——光刻胶领域迎来了一则好消息，预计将对我国7nm芯片生产带来重大突破。早期油墨感光产品所用的配方均依赖进口，一旦供给端出现问题，生产就会陷入被动。但自主创新走起来又非常难，特别是国内起步晚，很多技术都被外国垄断。在实现从“0到1”的突破中，我国企业面对重大阻力，一方面来自外部环境，当时业内领先企业大多向海外购买成熟配方直接投产，以便迅速抢占市场;另一方面来自企业内部，不仅关键技术研发遭遇瓶颈，而且研发出的产品屡屡遭受市场质疑。幸运的是，近年来国家生态文明建设力度不断加大，为公司带了发展机遇。面对日益严格的环保核查，国产产品以优异的性价比打开了市场销路，逐步占据了一定市场份额。而我国宁波南大光电材料有限公司(以下简称“南大光电”)公开宣布，该司首条ArF光刻胶生产线已正式投产，估计项目完全达产后年销售额将达10亿元。目前南大光电已将这款ArF(193nm)光刻胶的样品已经送到客户手上进行测试，预计将会收到更多订单。光刻胶是生产制造集成电路的核心材料，主要起到将作用“将设计的图像从模板中转移到晶圆表面合适的位置”的作用。因此，光刻胶的质量和性能对芯片最终的成品、性能等具有重要影响。要知道，虽然我国不乏光刻胶生产企业，但是主要都集中于G线(436nm)、I线(365nm)等低端品种，ArF光刻胶等高端种类几乎100%依赖进口。 2019年，我国光刻胶市场本土企业的销售规模达到70亿元，在全球占据了约10%的市场份额。然而，若进一步划分到高端市场，就会发现，当前全球高端光刻胶制造有95%集中在美国和日本企业手上，日本信越化学、东京日化等企业在这其中尤为突出，垄断了将近90%高端光刻胶市场。意识到我国在高端半导体材料领域的不足，近年来我国企业晶瑞股份、上海新阳以及上文提及的南大光电也在积极钻研，试图打破美日企业的垄断。其中，早在2017年，南大光电就将“ArF193nm光刻胶项目”的开发提上日程。另外，晶锐股份则选择了借用“外力”发展高端光刻胶。今年9月下旬，晶瑞股份发布了一则令业界“为之沸腾”的消息，该司将通过代理商(Singtest Technology PTE.LTD.)从韩国半导体生产商SK海力士(SK Hynix)手上购买一台ASML光刻机设备。业内人士指出，这台光刻机的总价值约为1102.5万美元(折合约7523万元人民币)，是一台“二手货”。按照计划，晶瑞股份将此工具用于高端光刻胶的生产。要知道，ArF光刻胶对28nm到7nm工艺的芯片生产具有关键作用。而截至目前，我国最大的芯片代工商——中芯国际最先进的芯片制程也才达到了14nm。考虑到美国自9月中旬就颁布了芯片配件的出口新规，再加上荷兰巨头ASML的EUV光刻机迟迟未到货，中芯国际的芯片制程发展也受到一定束缚。如今，凭借多年自主研发和实践积累，我国企业已逐步掌握了树脂合成、光敏剂合成、配方设计及制造工艺控制等电子感光化学品核心技术，陆续推出了多种处于行业领先地位的PCB感光油墨产品，可有效提高电子线路图形精确度，降低产品次品率，同时可适应PCB技术向高密度、高精度、多层化发展的趋势。而我国供应商在光刻胶领域取得重大突破，意味着中芯国际在半导体材料供应商又多了一层保障。

时间：2020-11-14 关键词：半导体光刻胶 7nm
重大突破！首款7nm车规级芯片明年流片：芯擎科技总部落户武汉

2020年10月20日，吉利控股旗下的汽车芯片设计企业——芯擎科技的总部也正式落户湖北武汉经济技术开发区。这是继去年4月，投资90亿元的吉利控股的高端整车项目落户湖北武汉经济开发区之后，去年12月，吉利集团旗下的注册资本高达1.5亿美元的亿咖通(武汉)科技有限公司也落户武汉。在此次活动上，芯擎科技首席执行官汪凯博士还宣布，由芯擎科技设计的首款7nm车规级芯片将于明年流片。聚焦汽车芯片，力图打破国外垄断汽车的“电动化、智能化、网联化和共享化”正在深刻改变着传统汽车的产品形态和技术架构、制造过程和服务方式、产业链和价值链、消费和使用模式，使汽车从“功能”时代走向“智能”时代。数据显示，截止2020年，中国智能网联汽车的市场规模可达到1000亿美元以上，并有望在2025年进一步增长至2126亿美元，同时国内车联网市场有望占到全球市场规模的约27%，发展前景广阔。而在汽车“新四化”的实现过程中，汽车半导体芯片则是其中的关键命门。根据赛迪智库的一份数据显示，2005年汽车电子成本占比仅有20%，而现在汽车的电子成本已经提高到了50%以上。汽车的“新四化”，将带动汽车主控芯片、ADAS/自动驾驶芯片、射频芯片、功率器件、传感器等汽车半导体芯片需求的快速增长。数据也显示，2017年全球汽车电子市场规模达到了1435.4亿美元，同比增长9.5%，预计未来5年将保持8.2%的年平均复合增长率。随着汽车电子市场的增长，2017年全球汽车半导体市场的规模也已超过了360亿美元。近年来都保持在9%左右的增长速度。可以说，对于国产智能网联汽车产业来说，掌握核心的汽车芯片片，才能够在未来的技术竞争中与对手拉开差距。车规级芯片的自主研发成为了推动汽车产业转型升级的重要环节之一，也是关系到国家产业安全的重大战略项目。然而不容忽视的是，目前在汽车半导体芯片市场，主要被恩智浦、英飞凌、瑞萨、德州仪器、意法半导体、博世、安森美、罗姆半导体、ADI、东芝等国外厂商所占据，中国在汽车半导芯片领域仍非常薄弱。在此背景之下，2018年，吉利控股集团子公司亿咖通科技与知名半导体IP厂商Arm中国及众多知名投资机构联合成立了芯擎科技，专注于实现高性能车规级芯片和模组的研发、制造和销售。值得一提的是，作为吉利控股子公司，亿咖通科技专注于汽车智能化与网联化，主要为吉利汽车提供数字座舱电子产品、主动安全电子产品、无人驾驶传感器与控制器，以及车联网云平台和大数据平台的运营服务。吉利控股集团副董事长、芯擎科技董事长杨健先生也表示：“芯擎科技的研发团队拥有高端服务器芯片和汽车传统芯片开发经验和成功案例，可以完整提供从传统汽车电子架构到下一代智能网联汽车电子架构中的全部高端芯片;拥有自主研发的多核异构低功耗SoC架构设计、功能安全和信息安全引擎设计;搭建了最完善的设计流程，实现芯片的高性能、低功耗、高度灵活性、高安全性和复杂计算模型。我们将遵循市场商业规则，拓展国内外市场，向客户提供从传统汽车芯片到下一代智能网联汽车高端芯片的宽幅选择。这对突破我汽车芯片重点领域、关键技术，打破国际垄断，抢占未来产业发展制高点，推动汽车产业转型升级，降低国家汽车产业安全风险，具有重大的战略意义。” 为何落子武汉? 武汉市在多年前就提出了“依托武汉经济技术开发区，联合蔡甸区、汉南区建设中国车都”的规划，经过近十多年的发展，如今仅在武汉的经济技术开发区内，就聚集了7家汽车整车企业、12个汽车总装工厂、500多家汽车零部件企业。目前，上汽通用、神龙汽车(二汽-雪铁龙合资公司)、东风本田、东风风神、吉利等众多知名整车厂商都在武汉市建有生产工厂。据武汉汽车产业发展办公室统计，2018年武汉市汽车产量为170万辆，汽车及零部件产业产值达4000亿元，已连续9年成为武汉市经济第一大支柱产业。除了汽车产业之外，近年来，武汉也在大力的发展集成电路产业。资料显示，湖北是国内较早确定集成电路发展方向的省份之一，是国内集成电路行业发展最活跃的产业集聚区。武汉作为中国重要电子信息产业基地，已跻身国家四大集成电路基地城市之列，并入选首批国家战略新兴产业集群名单。显然，作为“中国车都”和“国家四大集成电路基地城市之一”的武汉，凭借自身的产业集群优势，以及丰富的大学人才资源(武汉拥有全球第一的大学生储备数量)，自然也成为了发展国产汽车芯片的理想之地。此次，芯擎科技与长江经开汽车产业投资基金达成的战略合作，正是基于双方对湖北武汉集成电路产业发展的美好前景以及汽车产业转型升级的共同目标所形成的。湖北省长江经济带产业引导基金总经理刘战明先生表示，加强与吉利控股集团的合作一直是湖北省委省政府的重大战略决策。2016年以来，先后设立了三支专项基金支持吉利集团落地项目的投资建设，基金总规模逾230亿元，用于引导其将旗下车规级芯片项目、车联网项目、高端整车制造项目等落地湖北。此次吉利控股的亿咖通科技与安谋中国在开发区合资成立芯擎科技后，短时间内组建了一流的研发团队，对标世界一流竞争对手产品，开发一流高性能芯片产品，逐步扩大自主创新比重，积淀了一定的产业领域开发优势。期待芯擎科技加速成长，早出成果，成为具有国际竞争力的世界一流芯片设计制造企业。希望通过对芯擎科技项目的支持，充分发挥专项基金的引领、撬动和放大作用，为国产汽车芯片领域的应用开发融资助力。武汉经济技术开发区管委会副主任李林先生表示，武汉开发区高度重视开放合作的汽车电子产业的新生态，正全力推动传统汽车向下一代汽车转型升级，推动传统制造向智能制造转型升级，致力于提升产业的“硅含量”、“芯含量”，着力打造产业集聚高地，人才集结的热土，建设宜居宜业的汽车现代化产业体系。在湖北“一芯两带三区”的战略布局下，越来越多以集成电路为代表的高新技术产业、战略性新兴产业和高端成长型产业选择在武汉落地发展，以汽车芯片、无人驾驶为代表的下一代汽车产业正加速在开发区落户聚集。相信芯擎科技项目的落地，将为这一生态链的上下游带来重要的技术创新、产业创新和服务创新，将成为开发区汽车产业的高质量发展带来新的驱动力。杨健董事长也特别感谢了武汉开发区对芯擎项目顺利落地给予的支持。他认为，汽车产业是武汉重要支柱产业，武汉正在打造全球汽车产业集群。芯擎科技将借助武汉本地优势产业生态，努力成为世界领先的汽车电子芯片整体方案提供商，芯擎科技落户开发区对区域产业转型升级与高质量发展所带来的深远影响将会令人期待。亿咖通科技CEO沈子瑜也表示：“作为湖北武汉的企业，亿咖通科技已成长为中国汽车智能化的领先科技企业。此次芯擎科技落户武汉开发区，围绕汽车芯片将双方研发资源充分协同，借助武汉的汽车产业集群优势和人才优势，早日实现产品的量产落地。相信芯擎科技将立足于武汉，为中国汽车半导体产业做出突出贡献。” 芯擎科技的另一股东代表——Arm IP产品事业群总裁兼安谋科技中国董事Rene Haas先生也通过视频表示，中国市场已经占据世界汽车产量近三分之一，随着中国市场对汽车辅助驾驶技术需求的增长，中国本土汽车产业创新迎来巨大机会。Arm相信芯擎科技能够成为开发智能安全计算解决方案的领导者，同时他也表示，芯擎科技将在推动整个中国汽车生态系统的发展过程中发挥绝佳的关键作用。首款7nm车规级芯片明年流片随着芯擎科技武汉总部的正式开业，以及与长江经开汽车产业投资基金的《战略合作协议》正式签署，芯擎科技首席执行官汪凯博士表示，接下来双方将在资金、产业等方面会有更深层次的合作，“我们会不断在武汉加大研发力量，随着研发力量的加大，我们也会有更多的产品在武汉研发出来，所以这是一个双赢的、互赢的发展。” 具体到产品方面，汪凯博士透露，芯擎科技一直专注于车规级芯片的研发，而首先的发力的方向是智能驾仓，SE1000则是其首款针对智能驾仓的主控芯片，这将是一款最高端芯片，可以解决整个智能座舱所需的各种要求，它将会采用7nm工艺(目前在汽车行业里仍是最先进的工艺)，符合AEC Q100标准，将在2021年流片。汪凯博士表示：“我们相信随着吉利汽车(对SE1000)进行试用之后，很快能够在行业里面推广起来，我们将以这个为突破点，再扩展到更多类型的芯片。" 除了智能驾仓之外，域控制器和自动驾驶芯片则是芯擎科技发力另外两大方向。据透露，芯擎科技未来将会推出一款高阶的自动驾驶芯片AD1000，算力可高达256TOPS，预计会在2024年商用。此外，芯擎科技未来还将会考虑通过与其他厂商合作，涉足连接芯片、传感器、功率器件等领域。 “我希望芯擎科技不仅仅只是几个元器件的提供商，而是作为整体汽车芯片的解决方案提供商。”汪凯博士说到。值得一提的是，虽然芯擎科技属于吉利集团间接控股的汽车芯片公司，但是芯擎科技的目标并不止于为吉利提供汽车芯片，还希望为更多的车企提供汽车芯片。 “汽车芯片这个行业不是一就而成的，因为它需要时间、技术的积累。我们芯擎科技可以把芯片在相对短的时间做出来，也是因为整个团队这么多年的积累形成。随着芯擎科技不断壮大，我相信我们的研发力量会越来越强。芯擎科技作为吉利集团的一份子，我们会和吉利，包括亿咖通，紧密合作，去定制他们所需要的产品。这样会有一个优势，就是会比传统的汽车芯片厂商的有优势，因为我们能够和终端汽车厂商紧密合作。这样我们会有机会在比较短的时间之内能赶上国际上先进的产品和品牌。我相信随着时间的推延，我们研发力量不断增加以及扩展，我相信会在不远的将来能够赶上世界上先进的芯片的技术。”汪凯博士最后总结说到。

时间：2020-10-22 关键词：车规级芯片芯擎科技 7nm
中芯国际突破关键技术，IP实现自主国产

近日，中国一站式IP和定制芯片企业芯动科技宣布：已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。N+1工艺在功耗及稳定性上与7nm工艺相似，但性能要低一些(业界标准是提升35%)，主要面向低功耗应用，其后还会有面向高性能的N+2。 N+1工艺是中芯国际在第一代先进工艺14nm量产后，第二代先进工艺的代号。据透露，与14nm相比，N+1工艺有了更大的突破——性能提升20%、功耗降低57%以及逻辑面积缩小63%，中芯国际联合CEO梁孟松披露，在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺提升较小。流片是芯片量产前的一个必要步骤。为了测试集成电路设计是否成功，需要对芯片进行试生产，以检验电路是否具备所需的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地量产芯片;反之，就需要找出其中的原因，并进行相应的优化设计。中芯国际的N+1工艺有望于2020年底小批量试产。按照这样的时间表推测，如果顺利的话，中芯国际N+1工艺确实可能会在2021年规模量产。除了手机处理器使用到最先进芯片制程之外，许多的芯片对于制程的要求并不高，以台积电为例，台积电2019年晶圆出货量达1,010万片12寸晶圆约当量，上年为1,080万片12寸晶圆约当量。先进制程技术(16nm及以下更先进制程)的销售金额占整体晶圆销售金额的50%，高于上一年的41%。提供272种不同的制程技术。而剩余的50%都是16nm以上制程，可以说，中芯国际的7nm工艺将满足国内绝大部分芯片需求。在目前缺少第五代EUV光刻机的情况下，中芯国际也很难再向5nm工艺迈进。目前中芯国际收到美国的制裁，也在一定程度上影响了其先进制程的研发，虽然中芯国际受到美国出口限制，但是目前中芯国际的情况还未到最糟糕的时刻。目前美国并未将中芯国际列入实体清单，中芯国际也仍有望顺利获得部分的许可，以使得部分成熟的制裁的生产能够维持。不过，对于中芯国际来说，其目前仍严重依赖美系半导体设备供应商，包括美国美国应用材料、泛林集团、科磊、泰瑞达等。所以，首先需要考虑的则是，如何维持足够长时间的运转，以便能够支撑到不受美国制约的去美化产线的建成。中芯国际的未来，还要靠国内建成完善成熟的芯片产业链，从而可以实现高端芯片设计制造都可以在国内完成。

时间：2020-10-13 关键词：中芯国际芯片 7nm
Intel Meteor Lake 12代酷睿即将来袭！7nm硬扛AMD

近年来，Intel处理器推进的速度是相当之快，只是受制于架构和工艺，一时间还无法完全反制AMD。 Intel此前已经发布了11代酷睿的首个成员，面向轻薄本的Tiger Lake-U，接下来还会有针对游戏本的Tiger Lake-H、用于桌面的Rocket Lake-S，前两者都是10nm，后者则还是14nm。桌面上的下一步是Alder Lake，也就是12代酷睿，首次引入10nm工艺，并首次应用大小核混合架构(Golden Cove+Gracemont)，类似超低功耗的Lakefield，预计2021年下半年登场，并改用新的LGA1700封装接口，搭配600系列主板，不排除首次支持DDR5内存。再往后呢?就是Meteor Lake(流星湖)，早在一年前就听说了这个名字，据称它就将是Intel的第一个7nm工艺高性能处理器，全面覆盖服务器、桌面、笔记本，预计2022-2023年问世，采用全新的CPU架构，而且仍然是大小核混合设计，一个是Ocean Cove，一个是Gracemont。现在，Intel工程师向Linux 5.10内核提交了一个特殊的补丁，第一次加入了对于Meteor Lake的初步支持，主要是涉及网卡驱动方面。更多信息暂无，但是很显然，Intel已经开始了Meteor Lake平台的研发工作，事实上就在不久前，Intel已经开始为新平台招聘软件工程师了。按照时间节点，Meteor Lake肯定要面临AMD Zen4架构的冲击，后者会用到台积电的5nm工艺。不过，总而言之，Intel、台积电的工艺制程不能单纯对比数字，但是可以预料，Zen4绝对会非常强大，再加上台积电工艺的红利，Intel的压力依然可想而知，在未来几年仍然不会很好过。

时间：2020-10-04 关键词： Intel cpu处理器 7nm
外包7nm利好Intel：机构罕见下调AMD股票评级

势如破竹的AMD，罕见被一家金融机构下调了股票评级。原来，Northland Capital Markets分析师Gus Richard将AMD的股票评级从跑赢大盘降为大盘水准。Richard对AMD股票的预期是80美元，这比周一收盘的84.40美元低了5.5%。 Richard解释，他认为AMD下半年在数据中心业务上面临更严峻挑战，首先是客户需求减弱，其次是以ARM为代表的精简指令集阵营仍在不断蚕食x86的市场地位。另外，Richard还提到了Intel。他对于Intel合作台积电打造7nm产品表示看好，毕竟这可以克服Intel 7nm延期的产能问题。由于AMD同期也是台积电7nm，所以会对AMD的收入造成影响。需要指出的是，Richard对AMD的“悲观”显得有些形单影只。就在上周，机构Cowen将AMD的股价预期上调到了100美元，他们对苏姿丰博士的领导力极为看好。事实上，除了CPU，AMD还致力于在10月前发布RDNA2架构的Big Navi显卡。

时间：2020-09-16 关键词： Intel AMD 股票评级 7nm
从未存在的“7nm”光刻机

2020年8月28日，随着近年来芯片行业的发展，大众对于光刻机的关注度越来越高。媒体和厂商也更加频繁地使用“7nm光刻机”这样的关键词来进行宣传。但事实是：从来就没有什么救世主，也没有7nm光刻机。 7nm只是一种工艺的代号，它和光刻机本身是不挂钩的。按照一般人的理解7nm光刻机就是指能制作7nm工艺的光刻机，这个命名方式乍看起来很合理，实际上漏洞百出。截取自中芯国际招股书举个例子，在中芯国际财报中，公司透露了会将部分生产28纳米芯片的设备转用于生产其它制程产品。假设中芯国际用于生产28纳米芯片的光刻机将来用于生产45纳米芯片，那么这台光刻机原来应该叫“28nm”光刻机，就因为它生产了45nm芯片，那么他就应该变成更为落后的“45nm”光刻机了？那如果将来它再回来生产28纳米芯片，那么它就又升级成了“28nm”光刻机？但整个过程中光刻机的本质并没有改变啊。武汉弘芯不是什么救世主近期网络上所谓关于武汉弘芯的“7nm”光刻机抵押在银行的消息，闹得沸沸扬扬。但这真的是“7nm”光刻机吗？武汉弘芯半导体制造有限公司（HSMC）于2017年11月成立，总部位于中国武汉临空港经济技术开发区。公司汇聚了来自全球半导体晶圆研发与制造领域的专家团队，拥有丰富的14纳米及7纳米以下节点FinFET先进逻辑工艺与晶圆级先进封装技术经验。值得说明的是，14纳米及7纳米的相关工艺经验来武汉弘芯中来自台积电等公司的“前员工”，并不是指公司已经具备了相关的生产技术。截取自武汉弘芯官网在官网的项目时程中，武汉弘芯14纳米工艺大概会在2020年下半年开始测试流片，其7纳米工艺在2020年开始研发。而中芯国际在2019年时，其14纳米工艺已经实现量产。另外关于武汉弘芯所谓的“7nm”光刻机，根据相关消息此光刻机已被抵押。数据来自天眼查根据天眼查上的数据，我们可知武汉弘芯所谓的“7nm”光刻机实际型号为TWINSCAN NXT:1980Di。2019年12月22日，武汉弘芯半导体举行了首台高端光刻机设备进厂仪式，就是为了迎接这款光刻机。数据来自ASML 从ASML官网的数据中我们可以看到，这款2015年推出的光刻机光源波长为193nm，属于DUV光刻机。且从官网的型号表上可以看到，这款光刻机并非“最优秀”的DUV光刻机。 ASML官网上的一款EUV光刻机要是想制造工艺尺寸更小的芯片，换光源是比较直接且立竿见影的办法。因此国外为了阻碍我国尖端芯片制造产业的发展，极力限制我国进口波长大致为13.5nm的EUV光刻机，但对于技术相对落后的DUV光刻机限制并不大。2020年3月4日，中芯国际从荷兰ASML进口的一台大型光刻机已顺利进入深圳厂区，据悉此台光刻机即为DUV光刻机。关于武汉弘芯所谓的“7nm”光刻机的命名问题，这款光刻机是否真的能做到7nm工艺呢？目前已有一家中国企业可以用同样水平的DUV光刻机制造7nm工艺的芯片，这家中国企业名为：台湾积体电路制造股份有限公司。其中台积电第一代7nm工艺N7和第二代7nm工艺N7P均采用了DUV光刻机制造，但是为了更好的性能，其第三代7nm工艺N7+则采用了更为先进的EUV光刻机制造。在这其中其实还有一些偷换概念的问题，举个例子：文森特·梵高是一名著名的画家，他的画作价格不菲，甚至有些画作价值过亿。不过梵高早年穷困潦倒，使用的画笔也很普通，但这并不影响梵高用普通的画笔创作出诸多优秀的画作。那么这时如果有一个人买到了梵高同款的普通画笔，他就能成为梵高吗？他就能创作出价值过亿的画作吗？光刻机只是半导体制造工艺的开始，武汉弘芯已经有了台积电同款“画笔”，那么武汉弘芯能否做出同款的“N7”和“N7P”呢？偷换概念的“7nm”光刻机：业界原本的分类业界对于光刻机主要是根据其使用光源进行命名和分类。比如现在处于尖端地位的EUV（extreme ultra violet）光刻机，这类光刻机使用了极紫外光作为光源。目前业界的EUV光刻机大多使用的是波长为13.5nm左右的极紫外光。另一种业界比较主流的光刻机就是DUV（deep ultra violet）光刻机了，这类光刻机使用的是深紫外光作为光源。目前业界的DUV光刻机大多使用的是波长为193nm的氟化氩准分子激光（ArF excimer laser）或者波长为248nm的氟化氪准分子激光（KrF excimer laser）作为光源。光刻机只是个开始相信大家都注意到了，市面上主流的DUV光刻机光源的波长只有193nm，而现在主流的芯片制造工艺都已经到了14nm。如果要用193nm的光源刻出更细的线条，这还需要更多的技术支持。我们可以通过这个公式来大致看一下193nm的光源能刻出的工艺分辨率，其中： R，分辨率，比如90nm、65nm、45nm之类。 λ，激光的波长，现在业界已经从248nm过渡到了现在最常用的193nm，还有更为先进的13.5nm。 n，为介质折射率，空气约1，水约1.44。 NA，为数值孔径，和镜子大小，以及距离有关。 k1，系统常数，代指掩膜等相关技术。所以通过这个公式我们可以大致计算出，在一般情况下193nm波长的光源分辨率也就能做到60nm左右（相关系数取一般值，此结果仅供参考）。那么接下来的问题就是如何突破这个所谓的“一般情况”了。对此业界大体有两种解决办法,浸润式光刻和多重曝光。浸入式光刻技术是在2000年初首先由麻省理工学院林肯实验室亚微米技术小组提出，他们认为在传统光刻机的光学镜头与晶圆之间的介质可用水替代空气，以缩短曝光光源波长和增大镜头的数值孔径，从而提高分辨率。水与空气的折射率之比为1.44:1如果用水替代空气，相当于193nm波长缩短到134nm,如果采用比水介质反射率更高的其液体，可获得比134nm更短的波长。简单来说就是运用了惠更斯原理，让光从一种介质折射进入另一种介质，那么在分界点相当于一个波源，向外发散子波。也就是说在这个过程中光的波长发生了改变，通过这种方式我们获得了一个波长更小的光源。一种多重曝光的流程示意图另外一种技术就是多重曝光了，在图中最上面是已经经过一次Patterning的保护层（绿色，如SiN）再加上一层光刻胶（蓝色）。光刻胶在新的Mask下被刻出另一组凹槽（中间）。最后光刻胶层被去掉，留下可以进一步蚀刻的结构。简单来说就是将本应一次曝光的图形分成两次甚至更多次曝光来制作。比如要刻几条等间距的线，单次曝光可能只能刻出间距100nm的线，那么这时候稍微再移动大概50nm再刻一次，这时候线与线的间距就变成50nm了。当然除了浸润式光刻和多重曝光，还有很多技术可以帮助进一步减小半导体制造工艺中的关键尺寸。但是比起用各种技术优化，直接更换光源会有较大的提升，即从波长为193nm的DUV光刻机换成波长大致为13.5nm的EUV光刻机。

时间：2020-09-16 关键词：芯片光刻机武汉弘芯 7nm
光刻机EUV，中芯国际在第三代7nm工艺时引入

美国商务部下属负责出口管制的产业安全局(BIS)发布通知，称在美国境外为华为生产芯片的企业，只要使用了美国半导体生产设备，就需要申请许可证。这意味着，华为很可能不能再通过台积电量产自家海思设计的高阶芯片，而台积电是全球晶圆代工的顶尖企业，可以生产7nm(纳米)，甚至5nm的高端芯片。危机之下，中芯国际作为国内唯一能够提供14纳米制程的晶圆代工企业，成为“最强备胎”，目前华为已有产品芯片转由中芯国际代工。上海中芯国际，中芯南方厂区在火热量产14nm芯片的同时，也在抓紧建设二期产线;7nm工艺已研发多时，只是由于高端光刻机的缺位，研发进展不是很快。中芯国际同华虹宏力、日月光等“邻居”已和谐地融入到这座科学城中。目前，中芯国际已经开始量产14nm芯片，并拿到一笔来自华为海思14nm手机芯片的订单。在14nm产线上工作的周豪(化名)告诉记者：“最近加班比较多，已经向客户供应了8万多批货了;产线上也在招人，比如普工、助理工程师。”由于晶圆厂自动化程度较高，周豪的工作简单且枯燥，只要把晶圆放置到设备上，其他的事交给设备即可。作为普工，他的底薪为3300元，算上加班费，每个月能挣七八千元。58同城上，一条中芯国际招聘信息显示普工月工资在5500~7500元。相比产线上普工的工作，宋杰(化名)的工作显得高级些。在实验室工作的他，每天要做的是根据研发人员发来的Case做实验。“14nm产线设在中芯南方，去年下半年建成，今年开始量产;7~8nm的研发，也已经开展很久了。”宋杰说。据了解，中芯南方由中芯国际、国家“大基金”(国家集成电路产业投资基金)以及上海市“地方基金”(上海市集成电路产业投资基金)以合资的方式成立，为一座12英寸晶圆厂，能满足14nm及以下先进技术节点的研发和量产计划，14nm技术也可用于主流移动平台、汽车、物联网及云计算。宋杰还表示，受限于设备，中芯国际7~8nm的研发进展不是很快，做出来的成品没那么快，也没那么好，“同样一道工序，台积电只要一步就能完成，我们可能需要三四步”。高端光刻机的缺失，是其中最关键的问题，“除了光刻机，别的设备都能解决。” 早在3月，中芯国际对外公布已从荷兰ASML公司购入了相关光刻机设备，但并非是最新的EUV极紫外光刻机。国家集成电路基金二期和上海集成电路基金二期将分别向中芯南方注资15亿美元和7.5亿美元(合计约合160亿元人民币)。这个消息的释放，把刚从疫情阴影里走出来的中芯南方设备供应商的热情重新点燃。一位冷却设备供应商很看好与中芯南方的合作，他们已和中芯南方签约了几千万元的生意。 “你看，这么多的工人、这么多的设备，一片火热!国家很重视芯片行业，中芯南方效益会越来越好!”他看着正在修建的中芯南方二期产线，语气间流露出兴奋之色。据了解，在中芯国际上海厂区保留地块上，中芯南方将建设两条月产能均为3.5万片芯片的集成电路生产线(即SN1和SN2)，生产技术水平以12英寸14纳米为主。记者从员工、驻厂设备商等多个信源获悉，中芯南方已完成一期建设，目前正在建设二期。在中芯国际官网上，记者注意到，从今年年初到现在，中芯国际释放出的职位明显多于去年同期，特别是5月以来，增加了对生产运营类和业务支持类两种岗位的需求，大部分都接受应届生，比如生产线主管、设备工程师、工艺工程师、良率提升工程师、仓库管理员、助理工程师等。这或许是中芯南方14纳米新厂生产火热的一个注脚。华为的“危”，中芯国际的“机” 去年5月，华为被美国商务部列入“实体清单”，谷歌、伟创力、YouTube等美国本土公司对华为按下了暂停键，为此，华为通过“自研+去美化”的方式，开启多种自救模式。经过一年时间的调整，华为在“自研+去美化”上步步为营：先是在谷歌服务停供前推出自研的操作系统鸿蒙，其后在5G基站上不再使用美国零部件，再在Mate30、P40等高端机型上降低美国零部件含量，P40系列更是首次搭载HMS以替代谷歌GMS。相比之下，新一轮的限制将是华为真正的至暗时刻。和芯片设计不同，芯片生产的高投入不可能完全被一家公司所覆盖，就目前而言，大多数芯片制造商依赖于KLA、LAM和AMAT等美国企业生产的设备。中芯国际3月披露的公告显示，其采购了美国公司LAM和AMAT的设备，且采购金额较大。除了中芯国际，包括台积电在内的全球众多晶圆代工厂都是这两家厂商的客户，他们在沉积、刻蚀、离子注入、CMP、匀胶显影等领域技术领先，尤其先进制程设备，基本没有厂商可以替代这两家企业。世纪证券一份研报显示，在半导体设备与材料方面，关键技术被欧美日垄断，LAM和AMAT这两家美国公司暂停供货影响显著，其中AMAT的产品几乎包括除光刻机之外的全部半导体前端设备。而荷兰的ASML是高端光刻机的全球第一，国内企业与其研发投入与技术实力差距甚远。目前华为芯片制造主要依赖于台积电，美国限制升级，被解读为有可能迫使台积电对华为断供，导致华为无芯片可用。尽管这种猜测还可能有多种变数，但华为已经启动B计划。此前有媒体称，华为从去年下半年开始向中芯国际派驻工程师，帮助中芯国际解决其芯片生产过程中的技术问题。近期，华为已将中芯国际14nm工艺代工的麒麟710A芯片应用在荣耀Play 4T手机上。中芯国际则被认为迎来最好时机。160亿元的大基金二期加码主要面向中芯国际14 纳米及以下先进制程研发和产能，目前14纳米产能已达6000 片/月，目标产能为每月3.5 万片。而中芯国际最新发布的2020 年一季报显示，一季度营收9.05亿美元，同比增长35.3%，环比增长7.8%。此外，中芯国际决定将2020 年资本开支从 32 亿美元上调至 43 亿美元，增加的资本开支主要用于对上海300mm晶圆厂以及成熟工艺生产线的投资。 “转正”的期待然而，无论对华为还是中芯国际而言，依然有跨不过去的门槛。与台积电相比，中芯国际的工艺相对落后。现阶段中芯国际的工艺还停留在14nm，这是台积电4年前的技术，而台积电7nm工艺已大范围普及，几乎是如今各品牌5G旗舰手机和主流芯片的标配。根据规划，台积电今年开始量产5nm，2022年开始3nm的规模量产，甚至已规划好2nm。据了解，此次美国限制升级前，华为海思已加速将芯片产品转至台积电的7nm和5nm，只将14nm产品分散到中芯国际投片。但如果120天之后，无法使用台积电的5nm工艺，华为的5G旗舰手机可能要面对工艺制程的竞争压力。最新消息是，5月21日，台积电拿下了苹果5nm处理器的全部订单，下半年苹果的多款5G版iPhone处理器将采用5nm工艺，而华为此前发布的14nm制程的荣耀Play 4T手机只是千元出头的中低端手机。产能也有较大差距。中芯国际目前14nm月产能仅2000 ~3000片，预计到年底扩大到1.5万片，但这无法满足华为的胃口。台积电2019年财报显示，华为为其一年贡献了近350亿新台币的营收。更何况，中芯国际下一代制程何时能投产，才是“最强备胎”能否转正的关键。今年2月举行的2019年四季度财报会议上，中芯国际联席CEO梁孟松首次公开了中芯国际N+1、N+2代FinFET工艺情况。相比于14nm，N+1工艺性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小 63%、SoC面积缩小55%，这意味着除了性能，N+1其他指标均与7nm工艺相似，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。梁孟松表示，在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2之后的工艺才会转向EUV光刻工艺。事实上，台积电也是在第三代7nm工艺才开始引入EUV。对此，电子创新网CEO张国斌表示：“制程越小，工艺越高级，IC里的线宽越小，就需要更高级的光刻机;尽管EUV技术对7nm制程不是必需的，但EUV技术的注入能提高良品率，效果好。” 2019财报会议上，中芯国际表示N+1工艺的研发进程稳定，已进入客户导入及产品认证阶段。之前该公司表示去年底试产了N+1工艺，今年底会有限量产N+1工艺。 14nm量产后，N+1、N+2研发项目更加值得期待。张国斌：“只要中芯国际的N+1、N+2工艺能做出产品来，就能代替台积电为海思代工7nm芯片。” 中芯国际真正的考验将是7nm以下。7nm以下的制程少不了EUV技术，公开资料显示，台积电和三星的5nm芯片均采用了EUV技术。

时间：2020-09-15 关键词：中芯国际光刻机 7nm
AMD嵌入式锐龙V2000首曝：终于升级7nm Zen2

AMD处理器从数据中心的霄龙到消费级的锐龙已经全线升级到7nm Zen2，而全新的Zen 3架构也即将到来，但是在嵌入式领域，AMD依然停留在最初的14nm Zen，毕竟它们的生命周期都太长了，动辄10年。今天，锐龙嵌入式V2000系列首次曝光，将取代两年半前发布的锐龙嵌入式V100系列，14nm Zen直接跨越到7nm Zen2，相信同样嵌入式的锐龙R1000、霄龙3000系列后续也会有类似升级。锐龙V2000系列本质上和笔记本上的锐龙4000H系列同宗同源，7nm工艺制造，集成Zen 2 CPU核心、Vega GPU核心，采用FP6整合封装，最多8核心16线程，比上代翻番，而且最低也有6核心12核心，直接取消了4核心及更低规格，同时集成最多4MB二级缓存、8MB三级缓存。 GPU方面最多7个计算单元，比上代反而少了4个，和锐龙4000系列如出一辙，另支持双通道DDR4、LPDDR4X内存。热设计功耗范围10-54W，比上代的15-45W有所拓展，但不同型号的分布也不再一样，包括两个高性能版、两个低功耗版。新系列已知至少四款型号：锐龙V2748：8核心16线程，主频2.9-4.15GHz，Vega 7 GPU，频率1.6GHz，热设计功耗35-54W。锐龙V2718：8核心16线程，主频1.7-4.15GHz，Vega 7 GPU，频率1.6GHz，热设计功耗10-25W。锐龙V2546：6核心12线程，主频3.0-3.95GHz，Vega 6 GPU，频率1.5GHz，热设计功耗35-54W。锐龙V2516：6核心12变成，主频2.1-3.95GHz，Vega 6 GPU，频率1.5GHz，热设计功耗10-25W。发布时间方面，锐龙嵌入式V2000系列有望在今年第四季度面世，但部分型号会拖到2021年第一季度，不过眼下新冠疫情仍然有很大的不确定性，不排除全部推迟到2021年第一季度的可能。

时间：2020-09-14 关键词：芯片 AMD zen2 锐龙v2000 7nm
IBM发布新款CPU：采用7nm工艺由三星电子代工

8月18日消息，据国外媒体报道，IBM日前发布了新款CPU POWER10，采用7nm工艺，由三星电子代工。图片来自IBM官方 POWER10面向企业混和云计算市场，比前代产品POWER9性能提升3倍以上。POWER10也是IBM首款商业化的7nm产品。 IBM预计，由POWER10支持的系统预计在2021年下半年面向市场。今年以来，AMD一直在发布新的7nm芯片，主导7nm CPU市场，外媒表示，IBM希望通过自有设计芯片取得一定市场。AMD芯片由台积电代工生产。周一收盘，IBM(NYSE:IBM)股价下跌0.66%至124.44美元，总市值约1108.24亿美元。

时间：2020-09-11 关键词： IBM 三星电子云计算混合云 7nm
联发科推出最新5G芯片天玑800U 7nm制程+5G双卡双待

8月18日消息，MediaTek宣布推出最新5G SoC—;—;天玑800U。作为天玑800系列的新成员，天玑800U采用先进的7nm制程，多核架构带来的高性能和5G+5G双卡双待技术将升级中高端智能手机的5G体验，助力加速5G普及。据悉，天玑800U 集成5G调制解调器，不仅支持Sub-6GHz 频段的独立（SA）与非独立（NSA）组网，还支持5G+5G 双卡双待、双VoNR语音服务、5G双载波聚合等前沿5G技术，带给用户更加高速、稳定的 5G 连接。天玑800U支持MediaTek 5G UltraSave省电技术，可根据网络环境及数据传输情况，动态调整调制解调器的工作模式，助力终端为用户提供更加持久的5G续航。此外，天玑800U采用7nm制程有利于处理器充分发挥性能优势同时降低功耗。天玑800U的CPU采用八核架构设计，包括含2个主频高达2.4GHz的ARM Cortex-A76大核，以及6个2.0GHz主频的ARM Cortex-A55高能效核心，拥有强劲的多核性能。此外，天玑800U还搭载ARM Mali-G57 GPU、独立AI处理器APU、LPDDR4X内存，支持turbo write闪存加速技术。

时间：2020-09-10 关键词：联发科芯片 5G 天玑800u 7nm
台积电：已制造超10亿颗功能齐全且无缺陷的7nm芯片

8月21日消息，日前，台积电官方宣布，已制造超10亿颗功能齐全且无缺陷的7nm芯片。台积电还表示，大批量制造的经验和教训不仅提高了产品质量，还推动了技术的发展。在7nm时代，台积电推出了极紫外（EUV）光刻技术，是第一家将EUV投入7nm时代商业化生产的公司。据了解，目前台积电已经服务了全球超过数十家客户，打造了超100款芯片产品。资料显示，台积电7nm的第一批产品包括比特大陆的矿机芯片、Xilinx（赛灵思）的FPGA芯片、苹果A12、华为麒麟980等。

时间：2020-09-10 关键词：芯片台积电 euv 7nm
联发科天玑800U发布：7nm制程/支持双5G 集成5G基带

8月18日消息，联发科推出新一代中端5G芯片天玑800U。据悉，联发科天玑800U基于7nm工艺制程打造，采用八核心设计，具体包括2×2.4GHz ARM Cortex A76大核+6×2.0GHz ARM Cortex A55能效核心，GPU为ARM Mali-G57。作为新一代5G Soc，联发科天玑800U集成了5G调制解调器。官方强调，联发科天玑800U不仅完整支持Sub-6GHz频段的SA与NSA组网，还支持5G+5G双卡双待、双VoNR语音服务、5G双载波聚合等前沿5G技术，带给用户更加高速、稳定的5G连接。而且联发科天玑800U支持联发科5G UltraSave省电技术，可根据网络环境及数据传输情况，动态调整调制解调器的工作模式，为用户提供更加持久的5G续航。此外，天玑800U还搭载独立AI处理器APU，支持turbo write闪存加速技术，可带来极速、流畅的5G性能。它同时支持120Hz FHD+屏幕刷新率，支持HDR10+标准，通过联发科MiraVision画质引擎带来超越HDR10+的画质效果，支持多种视频HDR优化功能。影像方面，联发科天玑800U最高可支持6400万像素摄像头和四摄组合，集成的MediaTek独立AI处理器APU与ISP提供一系列AI相机增强功能。

时间：2020-09-09 关键词：联发科芯片 5G 天玑800u 7nm
IBM POWER10 处理器亮相：7nm 工艺，比上一代芯片 AI 性能快 20 倍

8月17日消息经过五年打磨，IBM 今日对外展示了其下一代 IBM POWER 系列数据中心 CPU—;—;IBM POWER10，IBM 将利用外部芯片工厂与英特尔公司展开竞争。 ▲ 图源 IBM 官方表示，该处理器旨在提供一个满足企业混合云计算独特需求的平台，其采用三星 7nm 工艺制成，预计处理器能效、工作负载容量和容器密度将比 IBM POWER9 提高 3 倍。此外，Power 10 内置了嵌入式矩阵数学加速器 (Matrix Math Accelerator)。其在单槽计算方面，可提供相比 Power 9 快 10 倍、15 倍、20 倍的 FP32、BFloat16、INT8 的 AI 推理性能。 Power10 架构师威廉 · 斯塔克（William Starke）表示，Power10 将采用多种配置，虽然具体细节尚未公布，但最大单芯片模块产品不会超过 15 个 SMT8 内核，双芯片模块产品不会超过 30 个 SMT8 内核。 IT之家了解到，该处理器拥有 Memory Inception 技术，支持 PB 级内存群集，预计基于 Power10 平台的服务器系统将在 2021 年下半年上市。

时间：2020-09-04 关键词： IBM 芯片 AI power10 7nm
7nm上车台积电代工！传特斯拉正开发新芯片

对于自动驾驶汽车来说，性能优异的芯片至关重要，因为自动驾驶需要AI技术支撑，对于即时算力能力要求极高。而当前走在自动驾驶技术前列的特斯拉，也选择自己开发芯片。日前，据中国台湾媒体爆料，美国芯片设计企业博通与特斯拉共同开发了一款高效能运算芯片（HPC）。这款芯片最大的亮点就是采用了7nm制程工艺，以及系统级单晶元封装技术（SoW）。同时，在生产方面，该芯片将会交给台积电进行投产，预计在今年四季度开始投产工作，初期规模在2000片左右，到明年四季度将会实现大规模量产。对此，有业界分析人士指出，特斯拉的该芯片，将会替代特斯拉现有的自动驾驶芯片，从而为实现表现更为优异的完全自动驾驶功能，提供芯片支撑。也有说法称，该芯片可能充当特斯拉车型的下一代MCU（微控制单元），为用户的车机系统使用带来更好体验。据悉，当前特斯拉完全自动驾驶芯片，目前采用了的14nm制程工艺，代工方为韩国三星。其单颗芯片的算力可以达到72TOPS（每秒万亿次运算）。而特斯拉的自动驾驶车辆上，装载有有两颗这样的芯片，系统综合算力可到144 TOPS。事实上，当前特斯拉所正在用的自动驾驶芯片，就已经达到了业内前列水平。如果采用了7nm制程工艺，和更先进的封装技术，特斯拉在自动驾驶芯片领域的领先程度，又会进一步增强。

时间：2020-09-04 关键词：芯片特斯拉台积电自动驾驶 7nm
7nm安培势头太猛发布2个月就贡献1/4服务器营收

NVIDIA今天发布了2021财年Q2财报，营收38.7亿美元，大涨50%，净利润13.7亿美元，大会79%，其中数据中心业务营收17.5亿美元，大涨167%，首次超过了GeForce游戏卡业务。 NVIDIA上季度中数据中心业务大涨有多个原因，其中很重要一点就是7nm安培显卡，今年5月份正式发布A100加速卡，到7月底不过2个月时间，它就贡献了数据中心业务1/4的营收了。按照17.5亿美元的营收来算，1/4大概就是4.4亿美元，差不多是30亿人民币，虽然我们不知道A100加速卡的具体售价，但是超过1万美元太容易了，估计差不多卖出4万块了。当然，考虑到DGX A100的存在，实际数量可能会更少一些，这么一算2个月时间出货至少是3-4万块A100加速卡的样子。与上代Tesla V100发布之后期货了大半年的情况不同，7nm安培这一代直截了当，NVIDIA发布的时候就已经开始出货了，毕竟GTC大会原本是3月份召开的。对NVIDIA来说，A100加速卡现在还是产品发售的初期，增长势头才刚刚开始，2个月时间就已经这么猛了，后续前途无量。 NVIDIA的A100核心是台积电7N工艺，核心面积826mm2，542亿晶体管，集成108组SM单元，SXM4架构，6912个CUDA核心。 Tensor Core减少到了432个，但是性能大幅增强，支持全新的TF32运算，浮点性能156TFLOPS，同时INT8性能624TOPS，FP16性能312TFLOPS。显存方面，A100配备的也是HBM2显存，频率从1.75Gbps提升到了2.4Gbps，位宽5120bit，相比V100的4096bit增加了1024bit，容量也从16/32GB增加到了40GB。

时间：2020-09-04 关键词： NVIDIA 加速卡 a100 安培 7nm
PCIe 5.0 SSD硬盘2022年问世：4倍性能、7nm芯片工艺

去年群联联合AMD在X570平台上首发了PCIe 4.0主控芯片，现在已经在高端SSD中开始普及。群联表示，2022年PCIe 5.0技术的SSD主控问世，同时制程工艺也会从28nm微缩到7nm。在Q2季度财报会上，群联董事长潘建成公布了他们在PCIe 4.0市场上的进展，28nm制程的PCIe 4.0主控芯片已经出货150万颗，工艺也进一步导入12nm制程，目前的进度仅落后于业界一哥三星。潘建成表示，群联的12nm PCIe 4.0主控芯片将在8月份配合美国客户首发，10月底开始量产，2021年还有至少4款定制版主控芯片问世。再往后就要看下一代主控了，潘建成表示群联未来的SSD主控将支持PCIe 5.0及Gen X，性能更强，能效更高。同时，制程工艺也会大幅提升，从当前的28nm水平进入7nm节点，2021年导入，2022年正式推出。与PCIe 4.0相比，PCIe 5.0的速度再次翻倍，x1速率可达32GT/s，x16带宽可达64GB/s，双向带宽128GB/s。用于SSD硬盘的话，通常是PCIe 5.0 x4，带宽依然有16GB/s，是目前PCIe 3.0硬盘的4倍多，PCIe 4.0硬盘的2倍多。 PCIe 5.0主控芯片最大的问题还要看生态系统，群联搞定主控芯片不是问题，主要是AMD及Intel的处理器平台何时问世。不出意外的话，2022年的时候AMD的Zen4处理器、Intel的Sapphire Rapids处理器都会支持PCIe 5.0，还有DDR5内存，与PCIe 5.0硬盘正好组成黄金搭档。

时间：2020-09-01 关键词： pcie ssd 硬盘 5.0 主控 7nm

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