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Dialog与台积电携手开发Bipolar–CMOS -DMOS技术
专精于高度整合电源管理解决方案的德商Dialog半导体公司与台积电近日共同宣布：携手开发下一世代的BCD（Bipolar–CMOS -DMOS，双极–互补金属氧化半导体–双重扩散金属氧化半导体）技术，提供行动产
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京都大学：“250℃高温下工作，电流放大率依然高达127”
图1：使用SiC的Si面时，BJT的电流放大率（点击放大） 图2：使用SiC的C面时，BJT的电流放大率（点击放大） 日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“ICSCRM 2011”上公布了正在研发的SiC制BJT（bip
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英飞凌增强IGBT产能，将向马来西亚生产线投资1.6亿美元
德国英飞凌科技(Infineon Technologies AG)宣布，将在2011年内向马来西亚的马六甲工厂投资1亿6000万美元。用于更新和增设工厂的研发设备及量产设备。由此，IGBT（insulated gate bipolar transistor）等的封装组装工
