BTI/HCI

先进工艺节点的可靠性建模：BTI/HCI效应仿真与参数提取技术

随着半导体工艺进入7nm及以下先进节点，器件尺寸的持续缩小导致可靠性问题日益凸显。其中，负偏压温度不稳定性（Negative Bias Temperature Instability, BTI）和热载流子注入（Hot Carrier Injection, HCI）效应成为影响芯片长期稳定性的关键因素。传统基于经验模型的可靠性分析方法已难以满足先进工艺的精度需求，而基于物理机制的仿真与参数提取技术成为解决这一难题的核心路径。本文从BTI/HCI效应的物理机制出发，系统探讨先进工艺节点下的可靠性建模方法，并分析其技术挑战与未来方向。