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氮化镓“攻入”汽车主驱深水区：VisIC如何用D型技术颠覆SiC的行业共识？
在第三代半导体的版图中，行业似乎早已形成了一种“默契共识”——碳化硅（SiC）主导电动汽车高压主驱，氮化镓（GaN）则局限于消费快充与车载OBC等辅助电源领域——牵引逆变器，是SiC的绝对专属领地。然而，VisIC的GaN将会改写这一格局，在80-350kW的大功率主驱逆变器中，氮化镓不仅能做高压，而且在效率、可靠性与系统成本上，正展现出超越碳化硅的巨大潜力。
在第三代半导体的版图中，行业似乎早已形成了一种“默契共识”——碳化硅（SiC）主导电动汽车高压主驱，氮化镓（GaN）则局限于消费快充与车载OBC等辅助电源领域——牵引逆变器，是SiC的绝对专属领地。然而，VisIC的GaN将会改写这一格局，在80-350kW的大功率主驱逆变器中，氮化镓不仅能做高压，而且在效率、可靠性与系统成本上，正展现出超越碳化硅的巨大潜力。
