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先进工艺节点下Calibre的DRC/LVS检查与物理验证修复流程
在5nm及以下先进工艺节点中，集成电路物理验证面临三维FinFET结构、多重曝光技术等复杂挑战。Calibre作为业界主流的物理验证工具，通过其DRC（设计规则检查）与LVS（版图与原理图一致性检查）功能，成为确保芯片可制造性的核心环节。本文以TSMC 5nm工艺为例，系统阐述基于Calibre的验证流程与修复策略。
在5nm及以下先进工艺节点中，集成电路物理验证面临三维FinFET结构、多重曝光技术等复杂挑战。Calibre作为业界主流的物理验证工具，通过其DRC（设计规则检查）与LVS（版图与原理图一致性检查）功能，成为确保芯片可制造性的核心环节。本文以TSMC 5nm工艺为例，系统阐述基于Calibre的验证流程与修复策略。
