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GAA晶体管的物理极限，纳米片结构FinFET的量子隧穿抑制策略
在半导体技术持续向纳米尺度推进的过程中，晶体管结构的创新成为突破物理极限的关键。从FinFET到GAA(全环绕栅极)晶体管的技术迭代，本质上是对量子隧穿效应、短沟道效应等微观物理现象的主动应对。GAA晶体管通过纳米片或纳米线结构实现栅极对沟道的四面包裹，而FinFET则依赖三维鳍片结构抑制漏电流。两者在技术路径上的差异，折射出半导体行业在追求更高集成度与更低功耗过程中面临的深层挑战。
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基于GAA晶体管的3nm制程也正式开启了新的晶体管时代
8月18日，据相关爆料，台积电3nm(N3)制程将预计于第三季增加投片量，于第四季度进入量产阶段，台积电3nm采用了鳍式场效晶体管(FinFET)架构，N3制程采用TSMC FINFLEX 技术，将3nm家族技术的PPA进一步提升。
