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氮化镓将走向何方？
增强型氮化镓 (GaN) 晶体管已商用五年多。市售的 GaN FET 设计为比最先进的硅基功率 MOSFET 具有更高的性能和更低的成本。这一成就标志着 60 年来第一次在性能和成本方面任何技术都可以与硅相媲美，并标志着古老但老化的功率 MOSFET 的最终取代。
增强型氮化镓 (GaN) 晶体管已商用五年多。市售的 GaN FET 设计为比最先进的硅基功率 MOSFET 具有更高的性能和更低的成本。这一成就标志着 60 年来第一次在性能和成本方面任何技术都可以与硅相媲美，并标志着古老但老化的功率 MOSFET 的最终取代。
