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用于空间应用的 GaN 电源设计的问答
与需要定制制造工艺和封装以使半导体免受辐射影响的硅不同，氮化镓 (GaN) 器件由于物理特性和结构而在很大程度上能够抵抗辐射造成的损坏。 这些属性可以在卫星设计中加以利用。轨道电子必须承受伽马射线、中子和重离子的影响。质子占 空间辐射的 85% ，而较重的原子核占其余部分。辐射会恶化，中断敲除卫星电子元件。
与需要定制制造工艺和封装以使半导体免受辐射影响的硅不同，氮化镓 (GaN) 器件由于物理特性和结构而在很大程度上能够抵抗辐射造成的损坏。 这些属性可以在卫星设计中加以利用。轨道电子必须承受伽马射线、中子和重离子的影响。质子占 空间辐射的 85% ，而较重的原子核占其余部分。辐射会恶化，中断敲除卫星电子元件。
