IGBT和MOSFET

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在电子器件高密度、高频化演进的进程中，IGBT和MOSFET成为核心器件

在数据中心直流供电系统向高密度、高频化演进的进程中，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低导通电阻、高频开关特性及高温稳定性，成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的核心器件。

模拟技术
2025-11-20

IGBT和MOSFET