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Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装60 V MOSFET
紧凑型5mm x 6mm器件可助力汽车行业节省空间并提高开关模式电源的效率
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Vishay推出采用PowerPAK® 1212 8S封装的-30 V P沟道MOSFET，RDS(ON)达到业内最低水平，提高功率密度，降低便携式电子设备功耗
器件占位面积10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m，FOM降至172 m*nC，均为业内最佳水平
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Vishay推出高效80 V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平
器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，导通电阻降至2.35 mΩ，栅极电荷为55 nC，COSS为614 pF。
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Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封装的新款同步降压稳压器具有高效率、高功率密度和优异的热设计等优点
通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V，内部补偿功能减少外部元器件
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Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
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Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封装的新款同步降压稳压器具有高效率、高功率密度和优异的热设计等优点
通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V，内部补偿功能减少外部元器件。
