在第三代半导体的版图中,行业似乎早已形成了一种“默契共识”——碳化硅(SiC)主导电动汽车高压主驱,氮化镓(GaN)则局限于消费快充与车载OBC等辅助电源领域——牵引逆变器,是SiC的绝对专属领地。然而,VisIC的GaN将会改写这一格局,在80-350kW的大功率主驱逆变器中,氮化镓不仅能做高压,而且在效率、可靠性与系统成本上,正展现出超越碳化硅的巨大潜力。
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