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  • Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度

    Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年4月7日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装,10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。 日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %,比前代解决方案低31 %,占位面积减小50 %,有助于降低导通功耗,节省能源,同时增加功率密度提高输出。SQJA81EP 10 V条件下优异的栅极电荷仅为52 nC,减少栅极驱动损耗,栅极电荷与导通电阻乘积,即用于功率转换应用的MOSFET优值系数(FOM)达到业界出色水平。 器件可在+175 °C高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJA81EP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。 器件80 V额定电压满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度,从而减少需要并联的元器件数量,节省PCB空间。此外,作为p沟道器件,SQJA81EP可简化栅极驱动设计,无需配置n沟道器件所需的电荷泵。 MOSFET采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100 % Rg和UIS测试。 SQJA81EP现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。

    时间:2021-04-07 关键词: Vishay MOSFET DPAK封装

  • Vishay的新款第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器具有极高的反向恢复性能

    Vishay的新款第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器具有极高的反向恢复性能

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月31日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出10款新型第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器。这些Vishay新款15 A、30 A、60 A和75 A整流器具有出色反向恢复性能,提高AC/DC和DC/DC转换器以及软硬开关或谐振电路的效率。 日前发布的整流器反向恢复损耗比紧随其后的竞品器件低30 %,比前代FRED Pt解决方案低48 %,同时导通和开关损耗低,从而提高电动 / 混合动力汽车(EV / HEV)电池充电站高速LLC输出整流端,以及UPS应用高频级轻载和满载效率。 整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装,X型为Hyperfast超高速恢复整流器,H型为Ultrafast超快恢复整流器。X型整流器的优点是QRR低,H型整流器的优点是正向压降低。器件符合RoHS标准,无卤素,工作结温达到+175 °C。 器件规格表: 1IF = 额定电流,TJ = 125 °C 2TJ = 125 °C, IF =额定电流A, VR = 400 V, dIF/dt = 1000 A/μs 3TJ= 25 °C IF = 1 A dIF/dt = 100 A/μs, VR = 30 V 新型FRED Pt整流器现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。

    时间:2021-04-01 关键词: 整流器 FRED Vishay

  • Vishay推出通过AEC-Q200认证的高压厚膜片式电阻,可减少系统元器件使用量,并缩小PCB尺寸

    Vishay推出通过AEC-Q200认证的高压厚膜片式电阻,可减少系统元器件使用量,并缩小PCB尺寸

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月22日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出通过AEC-Q200认证的新系列高压厚膜片式电阻---CRHA。Vishay Techno CRHA系列电阻工作电压达3000 V,稳定性为1.0 %,额定功率高达1.0 W,有1206到2512五种封装尺寸。 日前发布的汽车级器件具有高压处理能力,精度和稳定性优于大多数标准厚膜片式电阻,设计人员可用以减少元器件数量,节省布局成本,缩小PCB尺寸。 电阻的阻值范围2 MΩ至500 MΩ,公差低至± 1.0 %,温度系数± 100 ppm/°C。这些技术规格使其成为汽车、工业和医疗应用电池管理,电源逆变器和高压电源电压监测、分压和稳压的理想器件。 CRHA系列电阻采用三面卷包配置带焊锡涂层的镍隔板端子。电阻符合RoHS豁免标准,无卤素。 器件规格表: CRHA系列电阻于2020年12月提供样品,2021年1月实现量产,供货周期8至12周。

    时间:2021-03-23 关键词: PCB 电阻 Vishay

  • Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模块可支持新一代微处理器

    Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模块可支持新一代微处理器

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月16日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出九款采用热增强型5 mm x 6 mm PowerPAK® MLP56-39封装,集成电流和温度监测功能的新型70 A、80 A和100 A VRPower® 智能功率模块。Vishay Siliconix SiC8xx系列智能功率模块提高能效和电流报告精度,降低数据中心和其他高性能计算,以及5G移动基础设施通信应用的能源成本。 日前发布的功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。为提高能效,器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET® Gen IV技术,这一技术确立行业性能基准,显著降低开关和传导损耗。SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式,提高全负载范围的效率。 采用电感器DCR监控功耗的解决方案,电流报告精度为7 %,而SiC8xx 系列器件采用低边MOSFET进行检测,精度误差小于3 %。从而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc. 和 Nvidia Corporation等公司大电流处理器和片上系统(SoC)性能,改进热管理。器件适用于同步降压转换器、CUP和GPU的多相VRD、存储器以及DC/DC VR模块。 SiC8xx功率模块输入电压为4.5 V至21 V(如表中所示),开关频率高达2 MHz。故障保护功能包括高边MOSFET短路和过流报警、过热保护和欠压锁定(UVLO)。 SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三态PWM逻辑电平,兼容各种PWM控制器。 智能功率模块现可提供样品并已实现量产,供货周期为16周。

    时间:2021-03-16 关键词: 微处理器 云计算 Vishay

  • Vishay推出100%无铅(Pb)版NTCALUG系列NTC Lug头热敏电阻

    Vishay推出100%无铅(Pb)版NTCALUG系列NTC Lug头热敏电阻

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月9日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其流行的NTCALUG系列负温度系数(NTC)环形接线头热敏电阻推出100 %无铅(Pb)版,成为业内此类产品中完全符合RoHS无豁免标准的先进器件。 NTCALUG系列热敏电阻采用100 %无铅(Pb)陶瓷,消除了回收和处置过程中可能产生问题的有害物质,从而为更清洁的环境做出贡献。此外,RoHs 豁免条款7c-l 允许玻璃中含铅,这款产品是完全无铅的,在条款7c-l过期以后,我们的产品也是完全符合无铅设计要求的。 NTCALUG系列包括各种可在汽车、消费电子和工业应用中进行精确温度感测的器件。标准环形接线头热敏电阻可在+150 °C高温下连续工作,可靠性长达5,000小时(干燥高温)。器件采用镍导体和薄型环舌接线头设计,热梯度低,小型环形接线片传感器特别适合空间受限应用实现快速温度测量。 NTCALUG系列器件有AEC-Q200和cULus两种认证版本,额定绝缘电压达2.7 kVAC,结构坚固,环形端子便于安装。热敏电阻提供一系列定制选项,可满足各种特殊设计要求,适用于电动汽车(EV)电池管理系统、消费电子、3D打印机,暖通空调系统(HVAC)、焊接设备、替代能源系统、电机驱动器、电力电子设备等。 器件规格表: 100 %无铅(Pb)版NTCALUG系列热敏电阻现可提供样品并已实现量产(后缀“A”表示产品编号),供货周期为12周。

    时间:2021-03-09 关键词: 热敏电阻 NTCALUG Vishay

  • Vishay推出饱和电流高达420 Amp的新款汽车级插件电感器

    Vishay推出饱和电流高达420 Amp的新款汽车级插件电感器

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月3日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款小型1500外形尺寸汽车级插件电感器---IHXL-1500VZ-5A,电感值减小30 % 的情况下饱和电流可达420 A。Vishay Dale IHXL-1500VZ-5A适合汽车应用,DCR典型值低至0.12 mΩ,可在+155 °C高温下连续工作。 日前发布的器件符合AEC-Q200标准,采用屏蔽复合结构,小型封装尺寸为38.1 mm×38.1 mm×21.9 mm,支持高达235 A连续直流电流。IHXL-1500VZ-5A适合用来取代大电流输入滤波器,12 V / 24 V / 48 V DC/DC转换器中体积较大且昂贵的竞品解决方案,适用于开关稳压器、差模和升压功率因数校正以及电池充电系统。插件引线配置可根据客户要求修改,以适应金属件固定或焊接端接。 IHXL-1500VZ-5A可处理高瞬变电流峰值,无硬饱和。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,对热冲击、潮湿和机械振动具有很强的耐受能力。 器件规格表: (1) 直流电流 (A) 造成一小时后ΔT约为40 °C (2) 直流电流 (A) 造成一小时后ΔT约为100 °C (3) 直流电流 (A) 造成L0下降约20 % (4) 直流电流 (A) 造成L0下降约30 % IHXL-1500VZ-5A现可提供样品并已实现量产,供货周期为8到10周。

    时间:2021-03-03 关键词: 滤波器 电感器 Vishay

  • Vishay推出性能先进的高可靠性表面贴装陶瓷安规电容器

    Vishay推出性能先进的高可靠性表面贴装陶瓷安规电容器

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年 2 月 26 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列业界先进的Y1额定500和1500 VDC表面贴装交流线路额定陶瓷片式安规电容器---SMDY1。Vishay BCcomponents SMDY1系列器件适用于恶劣高湿环境,具有业界高容量4.7 nF。 日前发布的电容器适用于电源、太阳能逆变器、智能电表和LED驱动器EMI / RFI滤波电路。对于这些应用,同业竞品最高容量仅为1.5nF,Y1额定电压为300 VAC,且没有DC额定电压值。此外,SMDY1系列提高了耐湿性,达到IIB类湿度等级(符合IEC60384-14附件I要求),潮湿敏感度达到2a级。 SMDY1系列电容器适用于表面贴装回流焊工艺,降低生产成本。其高度低于插件器件,PCB背面不需要间隙空间。器件符合RoHS标准,无卤素,由镀铜瓷片构成,采用符合UL 94 V-0耐火等级的阻燃环氧树脂封装。 器件规格表: SMDY1将于2021年第1季度提供样品并实现量产,供货周期为10周。

    时间:2021-02-26 关键词: 电容器 SMDY1 Vishay

  • Vishay推出新款高阻值比、高工作电压ACAS AT精密薄膜片式排阻

    Vishay推出新款高阻值比、高工作电压ACAS AT精密薄膜片式排阻

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年2月 22 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT精密汽车级薄膜片式排阻经过进一步强化,阻值比提高至1:100,工作电压达100 V。Vishay Beyschlag器件为设计人员提供更大的灵活性,他们可在更宽的范围内选择分压器应用输入电压,或实现比上一代器件提高五倍的放大系数。 Vishay Beyschlag ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT在一个衬底上分别集成两个和四个电阻,成本低于使用多个高精度分立电阻,同时其稳定的分压比提高了应用稳定性。为提高精度,通过AEC-Q200认证的排阻结合了多种特性,包括可在+155 °C高温下工作,具有严格至± 0.1 %的绝对公差,± 0.05 %的相对公差,低至± 10 ppm/K的绝对TCR和± 5 ppm/K相对TCR。器件阻值为47 Ω~150 kΩ,阻值相等也可以不等。 除了优异的耐高温性能,ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT还耐受各种恶劣环境,在+85 °C、相对湿度85 %,1000小时条件下,器件潮湿敏感度l∆R/Rl小于0.5 %,出色的耐硫性符合ASTM B 809标准。新型排阻ESD防护能力达到1000 V,阻芯最高额定耗散为0.125 W。 ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT适合用于要求固定电阻比特别稳定的精密模拟电路、分压器、信号调理、运算放大器(OpAmp)和反馈电路。典型应用包括汽车电子中的引擎控制单元、变速箱控制、安全、电源、车身电子、制动系统、气候控制、转向技术和照明、音频设备和仪表,工业电子中的电池测量系统、传感器、计量表和精密放大器。

    时间:2021-02-22 关键词: 分压器 排阻 Vishay

  • Vishay的新款高速PIN光电二极管提高生物传感器性能,适用于各种可穿戴电子设备

    Vishay的新款高速PIN光电二极管提高生物传感器性能,适用于各种可穿戴电子设备

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年2月19日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款可见红外高感光度高速硅PIN光电二极管---VEMD8081,扩充光电二极管产品组合。Vishay Semiconductors VEMD8081采用矩形4.8mm x 2.5mm顶视表面贴封装,厚度薄至业内领先的0.48mm,典型反向光电流为33 µA,提高可穿戴设备和医疗应用生物传感器性能。 VEMD8081在相同封装尺寸条件下,反向光电流比其前身VEMD8080大15 %,为设计人员提供直接替代器件,增加信号输出提高性能,或减小LED电流延长电池寿命。 VEMD8081位于两个绿色脉动LED之间,可在运动追踪器和智能手表等可穿戴设备中进行心率检测。光电二极管接收皮肤反射回来的光,将其转换为输出电流,器件提高了灵敏度,可进行更精确的测量。VEMD8081矩形形状最大化光电二极管感光区,消除一般正方形光电二极管浪费的面积。结合红光和红外发射器,器件适用于医疗监护仪的SpO2测量。 VEMD8081高灵敏度感光面积达5.4 mm²,利用Vishay成熟的晶圆技术,可在较宽光谱范围内,检测350 nm至1100 nm可见光和近红外辐射。器件开关速度快,容值低至50 pF,适用于高采样率。 VEMD8081半感光角为± 65°,工作温度40 °C至+85 °C,峰值灵敏度波长为840 nm。光电二极管符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020标准3级,可在车间存放168小时。 VEMD8081现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

    时间:2021-02-19 关键词: 生物传感器 光电二极管 Vishay

  • Vishay新款高温NTC热敏电阻适合应用于汽车快速、高精度温度检测

    Vishay新款高温NTC热敏电阻适合应用于汽车快速、高精度温度检测

    2021年2月18日,宾夕法尼亚、MALVERN——日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款符合AEC-Q200标准的NTC热敏电阻——NTCLE350E4,采用PEEK绝缘镍铁(NiFe)合金引线,热梯度低。Vishay BCcomponents NTCLE350E4热敏电阻耐高温达+185°C,适合各种汽车应用快速、高精度温度检测。 NiFe合金NTCLE350E4传感器导线导热性目前在市场上最低。因此,器件热梯度小于0.01K/K(或1%),几乎不向周围环境散发热量,可进行高精度温测,优于铜等其他导线材料几个度量级。为加强高湿度条件下的可靠性,传感器PEEK绝缘引线与封装环氧树脂之间具有高粘合强度。NTC检测芯子最大直径为2.4mm,空气中快速响应时间为6秒。NTCLE350E4具有高精度、快速响应和耐高温能力,适用于内燃发动机冷却液、燃料、歧管气体压力(MAP / TMAP)传感器,以及暖通空调(HVAC)应用。在电力牵引电机中,器件可灌封或模压到传感器中,保护大电流连接器。除废气再循环(EGR)应用外,NTCLE350E4还可以用作变速箱系统和液冷起动发电机系统的油温传感器(OTS)。传感器符合RoHS标准,+25°C(R25)条件下阻值为2.1kW至30kΩ,公差为1%,β值(B25 / 85)为3435K至3984K,公差±0.5%。器件最大功耗100mW,提高了耐毒性气体和耐酸性能力。NTCLE350E4现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。

    时间:2021-02-18 关键词: 热敏电阻 NTC Vishay

  • Vishay推出新款宽边薄膜片式电阻,其性能和可靠性更适合用于汽车和工业系统

    Vishay推出新款宽边薄膜片式电阻,其性能和可靠性更适合用于汽车和工业系统

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年2月8日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,公司推出新型0612外形尺寸器件,扩充NCW AT系列宽边薄膜片式电阻。Vishay Beyschlag NCW 0612 AT电阻具有出色的高温性能和极佳的长期稳定性,额定功率高达1 W,阻值低至0.10 W,适用于汽车和工业应用中的电力电子设备。 结合先前发布的NCW 0406 AT,日前发布的AEC-Q200标准器件宽边几何形状具有优异的温度循环稳健性。此外,电阻可在+175 °C高温下工作,高耐硫能力符合ASTM B 809要求,85 °C和85 %相对湿度条件下具有出色的耐湿性。 这些性能指标使设计者能够在恶劣和高温环境中使用NCW AT系列电阻,且不影响额定功率或电气性能。在大量现代专业功率电子领域,功率耗散、可靠性、稳定性和强健性设计是主要考虑因素,新款电阻是这类应用的理想选择。典型应用包括DC/DC转换器、LED驱动器,DC电流监控和电池管理系统。 器件规格表: NCW 0612 AT系列电阻现可提供样品并已实现量产,供货周期为九周。

    时间:2021-02-08 关键词: 工业 薄膜片式电阻 Vishay

  • Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效

    Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1月28日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出十款新型650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。 日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比,新型二极管处理电流相同的情况下,正向压降仅略有上升,坚固程度明显提高。 器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正(PFC)续流、升降压续流和LLC转换器输出整流,为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流为4 A~40 A,可在+175 °C高温下工作。 器件规格表: 新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

    时间:2021-01-28 关键词: 肖特基二极管 SiC Vishay

  • Vishay推出适用于强调高可靠应用领域的新型含铅(Pb)端接涂层SMD MLCC

    Vishay推出适用于强调高可靠应用领域的新型含铅(Pb)端接涂层SMD MLCC

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1月27日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列含铅(Pb)端接涂层的表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC),适用于近地轨道(LEO)卫星以及其他需要避免锡须的航天,国防和航空电子应用。其工作温度可达+150 °C。 Vishay Vitramon VJ....32含铅涂层系列端接涂层最小含铅(Pb)量为4 %。此前,含铅(Pb)端接涂层专门用于昂贵的高可靠性器件。日前发布的MLCC为必须防止锡须,但不需要达到航天级可靠性的航空系统设计人员提供了经济高效的替代方案。 VJ....32含铅涂层系列电容器采用贵金属电极(NME)技术和湿法工艺制造,采用C0G(NP0)和X7R电介质,从0402到1210有5种封装尺寸。采用C0G(NP0)电介质的器件,电容低至1.0 pF,–55°C ~ +125°C条件下,电容温度系数(TCC)为0 ppm/°C ± 30 ppm/°C,每十年最大老化率为0 %。X7R器件电容高于1.0 µF,-55 °C ~ +125 °C条件下,TCC为 ± 15 %,每十年最大老化率为1 %。 MLCC通过AEC‑Q200认证,满足设计人员汽车级可靠性的要求。 器件规格表: VJ....32含铅涂层MLCC现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。

    时间:2021-01-27 关键词: MLCC SMD Vishay

  • Vishay赞助的同济大学电动方程式车队勇夺冠军,支持培养下一代汽车设计师

    Vishay赞助的同济大学电动方程式车队勇夺冠军,支持培养下一代汽车设计师

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1 月 25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其赞助的同济大学大学生电动方程式车队---DIAN Racing首次荣获中国大学生电动方程式汽车大赛(FSEC)总冠军。 DIAN Racing车队由100多名成员组成,致力于提高汽车速度和能效,同时为国际清洁能源的发展做出贡献。每年,车队设计制造一款先进的电动赛车,参加包括FSEC在内的国际大学生方程式汽车赛。在2020年襄阳站的角逐中,DIAN Racing车队以设计报告和直线加速赛第一,8字绕环第二,耐久性第三的优异成绩获得本届比赛总冠军。 Vishay为车队今年参赛车型DRe20提供位置传感器,该传感器采用Vishay Sfernice Model 981 HE系列非接触式霍尔效应技术。360° 981HE0B4WA1F16安装在车身下转向柱末端,用来测量汽车方向盘转角,带有空心D轴的90° 981 HE2B1WA8H01和981HE3B1WB8H01,利用集成式弹簧复位功能,测量DRe20油门踏板角度。三种传感器线性精度均为± 0.5 %,可为VCU(车辆控制单元)提供精确测量数据,占用空间小,可靠性高—这是DIAN Racing车队荣获总冠军的关键因素之一。 Vishay电动和混合动力汽车产品获得AEC认证,耐高温,可靠性高,适用于各种应用,包括电机驱动、电池管理和DC/DC转换以及车载充电器。汽车级产品包括电容器、电感器、电阻器、电源模块、整流器、传感器、MOSFET等。

    时间:2021-01-25 关键词: 同济大学 电动方程式车队 Vishay

  • Vishay推出小型1500外形尺寸新型通孔电感器,饱和电流达420 A

    Vishay推出小型1500外形尺寸新型通孔电感器,饱和电流达420 A

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1月15日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出小型1500外形尺寸新型通孔电感器---IHXL-1500VZ-51,在电感值减小30 %的情况下饱和电流高达420 A。Vishay Dale IHXL-1500VZ-51适用于再生能源、工业和通信应用,DCR典型值非常低,仅为0.12 mW,可在+155 ℃ 高温下连续工作。 日前发布的器件采用屏蔽复合结构,封装尺寸为38.1 mm x 38.1 mm x 21.9 mm,支持高达150 A连续DC电流。除开关稳压器、差模和升压功率因数校正扼流圈、通信基站电源,IHXL-1500VZ-51还可替代高温工业、太阳能和风电应用中大电流输入滤波器、DC/DC转换器使用的大型电感解决方案。 IHXL-1500VZ-51可处理高瞬态电流尖峰,不会出现硬饱和,195 % 额定电流条件下软饱和为20 %。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,对热冲击、潮湿和机械冲击有很强的耐受能力。 器件规格表: (1)直流电流 (A)造成一小时后ΔT约为40 °C (2)直流电流 (A)造成一小时后ΔT约为100 °C (3)直流电流 (A)造成L0下降约20 % (4)直流电流 (A)造成L0下降约30 % IHXL-1500VZ-51现可提供样品并已实现量产,供货周期为8至10周。

    时间:2021-01-15 关键词: 电感器 通孔电感器 Vishay

  • Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100 V 汽车级P沟道MOSFET

    Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100 V 汽车级P沟道MOSFET

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1月11日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件,而且10 V条件下其导通电阻仅为30 mW,达到业内优异水平。 日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比,导通电阻分别降低26 %和46 %,占位面积分别减小50 %和76 %。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功耗,从而节省能源,10 V条件下优异的栅极电荷仅为45 nC,减少栅极驱动损耗。 这款新型MOSFET可在+175°C高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJ211ELP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。 器件100 V额定值满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外,作为p沟道MOSFET,SQJ211ELP可简化栅极驱动设计,无需配置n沟道器件所需电荷泵。 MOSFET采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100 % Rg和UIS测试。 SQJ211ELP现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。

    时间:2021-01-11 关键词: AEC-Q101 Vishay MOSFET

  • Vishay推出600 V EF系列快速体二极管MOSFET,为功率转换应用提供业界最低FOM指标

    Vishay推出600 V EF系列快速体二极管MOSFET,为功率转换应用提供业界最低FOM指标

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年12月23日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出最新第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29%,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降60%,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。 Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出,以及即将发布的第四代600V EF系列产品,Vishay可满足电源系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求—包括图腾柱无桥功率因数校正(PFC)和软切换DC/DC转换器拓扑结构。 SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超结技术,10V条件下典型导通电阻仅为0.061Ω,超低栅极电荷降至50nC。器件的FOM为3.1Ω*nC,比同类最接近的MOSFET低30%。这些参数表明导通和开关损耗降低,从而节省能源。SiHH070N60EF有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别仅为90pf和560pF,可改善零电压开关(ZVS)拓扑结构开关性能,如LLC谐振转换器。器件的Co(tr)比同类紧随其后的MOSFET低32%。 日前发布的器件采用PowerPAK® 8x8封装,符合RoHS标准,无卤素,耐受雪崩模式过压瞬变,并保证极限值100%通过UIS测试。 SiHH070N60EF现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

    时间:2020-12-23 关键词: 快速体二极管 Vishay MOSFET

  • Vishay推出业界首款表面贴装,经过汽车应用认证的四象限硅PIN光电二极管

    Vishay推出业界首款表面贴装,经过汽车应用认证的四象限硅PIN光电二极管

    宾夕法尼亚、MALVERN —2020年12月18日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其光电子产品部推出业界首款标准表面贴封装,经过汽车应用认证的四象限硅PIN光电二极管---K857PE。Vishay Semiconductors K857PE感光度高,串扰仅为0.1 %,几乎无段间公差,适用于汽车、消费电子和工业市场各种传感控制应用。 日前发布的器件经过AEC-Q101认证,采用四支单片PIN二极管—每支感光区面积为1.6 mm2—集成在4.72 mm x 4.72 mm x 0.8 mm单体封装中(正贴)。K857PE封装侧面不透明,消除杂散光对光电二极管的辐照影响,具有优异信噪比。器件光响应线性度适于车用雨量/日光传感器、工业自动化系统、激光准直和虚拟现实等各种应用的小信号探测。 光电二极管基于外延技术,感光范围690 nm至1050 nm,Ee = 1 mW/cm2,波长850 nm条件下,区段反向光电流为8.5 µA。器件配有日光滤光片,半感光度角为± 60°,可在-40 ˚C至+110 ˚C温度范围内工作。K857PE符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,可在车间存放168小时,潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准。 新型四象限光电二极管现可提供样品,2020年第4季度实现量产,供货周期为10周。

    时间:2020-12-18 关键词: 二极管 光电二极管 Vishay

  • Vishay高精度位置传感器荣获《电子发烧友》2020年度中国IoT创新奖

    Vishay高精度位置传感器荣获《电子发烧友》2020年度中国IoT创新奖

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年12 月 17 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其RAMK060绝对式旋转磁性编码器在《电子发烧友》(Elecfans)“传感器技术”评比中荣获2020年度中国IoT创新奖。 今年是中国IoT创新奖举办的第五届,旨在表彰过去一年推出的对物联网行业产生深远影响的产品和技术。入围提名以在线投票方式决定,获奖者由《电子发烧友》编辑和行业专家投票评选。本届参选评比中,Vishay的RAMK060高精度位置传感器以其为设计师提供比现有绝对式编码器更加可靠的性能,分辨率和精度优于传统霍尔效应传感器而获得高度认可。 60 mm版RAMK060采用先进的非接触式技术,精度大于13位,分辨率达19位,重复精度大于16位,可以抵抗外部磁场、湿度、大气污染、振动、机械冲击和温度变化。这种技术架构可提供具有安全保证的出色性能。器件采用转子+定子套件设计,以及离轴设计(用于空心轴组装),6.5 mm超薄尺寸和轻巧重量(低于55 g),使其非常适合用于空间小,而又需要高精度检测角度位置的应用。 绝对式旋转磁性编码器专利设计特别适用于要求精确且重复运动的应用,例如工业机器人和协作机器人的手臂关节,自导车辆方向盘,以及印刷、纺织制造和铣削加工机床。RAMK060在这些应用中的主要优点包括自校准补偿机械偏心,内置自监控,断电前记忆最后绝对位置。 《电子发烧友》主办的第五届中国IoT大会圆满落幕之际,于12月4日在深圳举行颁奖典礼公布获奖者。

    时间:2020-12-17 关键词: 位置传感器 电子发烧友 Vishay

  • Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装60 V MOSFET

    Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装60 V MOSFET

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年12月15日 —日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,这是采用PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足汽车行业节省空间以及提高DC/DC开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个5mm x 6mm的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边MOSFET,低边MOSFET的最大导通电阻低至8.6 mW。 与单个MOSFET解决方案相比,通过将两个TrenchFET® MOSFET封装在一个非对称封装中,今天发布的这款汽车级器件减少了元件数量和电路板空间需求,同时提高了功率密度。此外,其控制(高边)和同步(低边)MOSFET在裸片尺寸上的优化组合,可在占空比低于50%的功率转换中提供高于对称双器件的效率。 SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V时最大导通电阻为20 mW,典型栅极电荷为9.2 nC,而通道2 MOSFET在10 V时的导通电阻为8.6 mW,典型栅极电荷为19.2 nC。由于没有内部连接的开关节点,SQJ264EP为设计人员提供了将晶体管配置为不同拓扑的灵活性,包括同步降压或同步升压DC/DC转换器。 由于可在超过+175℃的高温环境下工作,双MOSFET能够提供信息娱乐系统、显示器、LED照明以及电动自行车等汽车应用所需的耐用性和可靠性。此外,与QFN单封装和双封装相比,SQJ264EP的鸥翼引线允许在其引脚下方实现更好的焊料流,增强自动光学检查(AOI)能力以及更高的板级可靠性。 这些MOSFET 100%通过了Rg和UIS测试,符合RoHS要求,不含卤素。 SQJ264EP的样品和批量产品现已开始提供,大宗订单的交货期为12周。

    时间:2020-12-15 关键词: PowerPAK Vishay MOSFET

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