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我国碳基半导体领域取得关键
碳基集成电路技术被认为是最有可能取代硅基集成电路的未来信息技术之一。“3微米级碳纳米管集成电路平台工艺开发与应用研究”的验收，标志着我国已经正式进入碳基芯片领先的时代。碳基芯片横空出世，中国芯片开启弯道超车。
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CMOS技术成就未来消费和工业设备的视觉
CMOS成像传感器采用全球快门技术，令成像器可捕捉到在快速动态场景中的图像，不致令图像模糊或弯曲。传统的卷帘快门传感器能逐行读取图像，因此若某个物体在帧内移动，每行将在不同的位置读取该物体，图像看似弯曲、模糊或者失真。全局快门传感器在读取图像进行处理前，能将整个图像整合并复制到一个存储区，确保图像清晰。
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以CMOS技术实现的微型化毫米波传感器
大多数商用雷达系统，特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统，均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然基于SiGe技术的77GHz汽车雷达系统满足自适应巡航控制时的高速度要求，但它们体积过大、过于笨重，占用了大量电路板空间。
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芯片光传输突破瓶颈,频宽密度增加10~50倍
整合光子与电子元件的半导体微晶片可加快资料传输速度、增进效能并减少功耗，但受到制程方面的限制，一直无法广泛应用。自然(Nature)杂志刊登一篇由美国加州大学柏克莱分校
