-
三维鳍式GaN高线性微波功率器件技术获重要突破
中国电科(CETC)第五十五研究所(NEDI)微信公众号4月12日报道，该所重点实验室张凯博士发表在国际半导体器件权威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的论文《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》即《三维鳍式GaN高线性微波功率器件》被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》进行专栏报道，受到国内外业界关注。
