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  • 聚焦芯生态,贸泽电子赞助2020中国(深圳)集成电路峰会

    2020年10月29日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布赞助支持2020中国(深圳)集成电路峰会(IC峰会)。大会为期两日,于10月29-30日在深圳华侨城洲际大酒店召开。本届峰会将以“新时期,芯生态”为主题,以新时期创新共赢、开放合作为理念,聚焦集成电路设计产业、研讨先进特色制造和封装工艺、探索创新生态体系、促进产品创新应用。 近年来,在国家政策扶持以及市场应用带动下,中国集成电路产业发展非常迅速。随着传统产业的转型升级,一些大型、复杂的自动化系统开发应用不仅提高了对芯片的需求,还要求国内集成电路产业在全面提升创新能力、优化产业链结构上能够快速提升。为进一步促进中国集成电路产业发展,此次峰会将面向包括集成电路设计、制造、封测、应用等集成电路行业上下游全链条的专业人士,邀请国内外著名院士、专家学者、技术大咖和企业家围绕集成电路关键核心技术与产业化、集成电路产业链生态建设和协同发展、未来技术发展与热点应用、资本整合与产业模式创新、芯片与整机企业联动等主题进行研讨和交流。贸泽电子作为全球电子元器件分销商,深知集成电路的发展对国家的重要性,对本次峰会进行赞助和支持,以行业之力积极投身到集成电路产业的建设中。 贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表示:“集成电路是支撑国民经济和引领科技前进的关键力量,贸泽电子也一直坚信,充分利用全球资源加强合作和创新,加大对国内集成电路行业的人才培养,将有助于集成电路产业更好地发展。近年来,贸泽电子也在不断地拓展全球集成电路的合作资源,帮助从事集成电路领域的工程师提供新产品和技术支持,并就集成电路方面与原厂携手开展各类专题活动,让工程师能够获得更多的技术知识,以更好地运用到实际的研发创新中。同样,本次集成电路峰会的举办更是为集成电路产业相关的人士提供了全面、丰富、专业的交流平台,贸泽电子也会始终保持对国内集成电路产业的关注,深化创新与合作,助力整体集成电路产业继续蓬勃发展。”

    时间:2020-10-29 关键词: 贸泽电子 集成电路峰会 ic

  • 低功耗成为首选,那何为IC功耗控制技术?

    低功耗成为首选,那何为IC功耗控制技术?

    低功耗是设计人员追求的目标之一,针对功耗,目前大家已经推出诸多低功耗方案。为增进大家对功耗的认识,本文将对IC功耗控制技术予以介绍。如果你对本文内容具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 在许多设计中,功耗已经变成一项关键的参数。在高性能设计中,超过临界点温度而产生的过多功耗会削弱可靠性。在芯片上表现为电压下降,由于片上逻辑不再是理想电压条件下运行的那样,功耗甚至会影响时序。为了处理功耗问题,设计师必须贯穿整个芯片设计流程,建立功耗敏感的方法学来处理功率。 不应该等到快要出带才开始担心功耗问题。如果这样,你可能会发现减少功耗的工作做得太少了,也太晚了。 忽视任何一种消耗功率的因素。例如,当你试图减少开关功耗的时候,泄露功耗却可能是更值得重视的部分。过多的峰值功耗可能在片内和片外都造成大的噪声毛刺。 相信减少电源电压或使用小几何尺寸的工艺将解决功耗问题。更低的电源电压减小了噪声裕量,并且减慢了电路运行速度,这使得难以达到时序收敛,甚至难以满足功能规格。在90纳米及以下工艺,会呈现更大的漏电流。 指望一个“按钮式”的低功耗解决方案或方法。必须在设计过程中的所有阶段实现功耗管理——有时需要设计决策,有时更多的是自动化实现。 认为具功耗敏感的设计和自动降耗是互斥的。如果在一个完整的功耗管理设计方法中将二者结合,这两种技术将有效地帮助你克服功耗难题。 互连正在开始支配开关功耗,就像在前几个工艺节点支配时序一样。右图表明了互连对总动态功耗的相对影响。今天,设计师有能力通过布线优化来减少功耗。 在物理设计阶段,设计师也可以发现更多自动降耗的机会。在物理设计过程中自动降耗将是对设计流程早期以及逻辑综合过程中功耗减少的补充。 功耗是一个“机会均等”问题:从早期设计取舍到自动物理功耗优化,所有降低功耗的技术都彼此相互补充,并且需要作为每个现代设计流程中的一部分加以考虑。工程师在解决功耗问题的时候,可以把下面这些准则作为任何一种设计方法学的有机组成部分加以应用。 应该理解功耗是与性能(时序)、功能以及你的设计成本一样重要的设计参数。在做设计决策和权衡时把功耗因素考虑进去。流程早期明智的设计决策能带来实质的功耗节省。然而,在设计过程的初始阶段,自动减少功耗则比较困难。 采用高级设计技术来减少功耗,例如电压/功率岛划分、模块级时钟门控、功率下降模式、高效存储器配置和并行。能减少功耗的高级抽象技术包括动态电压和频率调整、存储器子系统分区,电压/功率岛划分以及软件驱动睡眠模式等。 在RTL级和准RTL级精确估算功耗。了解对整体功耗有影响的设计因素和规范是设计师的任务,但是,高级功耗估算工具能够为设计者提供他们作适当折衷时所需的信息,这对设计师来说很有帮助。 研究所有自动降低功耗的机会,在降耗的同时还不能影响时序或者增加面积。例如,在逻辑综合阶段,寄存器时钟门控能够被有效地使用,但是这样做可能会对物理设计过程造成时序和信号完整性问题。一个替代的方法就是在物理设计阶段实现时钟门控,这一阶段已经能得到精确的时序和信号完整性信息。 在物理设计阶段通过优化互连来减少高功耗节点的电容,从而节省功耗。一旦互连电容被减少,驱动这些更低电容负载的逻辑门可以有更小的尺寸或者被优化来产生更低的功耗。使用多阈值电压单元替代来减少泄漏功耗也能够在物理级得到有效实现。 以上便是此次小编带来的“功耗”相关内容,通过本文,希望大家对IC功耗控制技术具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2020-10-23 关键词: 功耗 指数 ic

  • 摩尔定律引发的技术革命下,中国半导体产业的机会

    出品 21ic中国电子网 付斌 网站:21ic.com 伴随 5G、AIoT的发展和国际关系的日渐紧张之下,集成电路产业逐渐受到一致关注。 2020 年 10 月 14 日, “第三届全球IC企业家大会暨第十八届中国国际半导体博览会”(IC China 2020 )于上海开幕,会上各位专家指出了行业的痛点和机会所在。   摩尔定律放缓催生新材料新架构 摩尔定律是产业一直以来遵循的重要法则,回溯1965年当时提出价格不变情况下,集成电路可容纳的元器件数量每年都会翻番,性能也会提升一倍。十年后,这项定律被修改为两年一翻番。时至今日,多核众核、功耗、密度、频率已逐渐失效,只有晶体管密度还在继续前向发展。   中国工程院院士吴汉明认为,在制程节点20nm以后叫做后摩尔时代,2nm和1nm是否还会走下去,这是业界仍未知的领域,未来的挑战非常大。但从另一个角度来看,对于中国集成电路来说,发展速度变慢也是一个机会。   摩尔定律在发展过程中曾经主要遭遇了三大瓶颈,其一,受到材料限制,发明了电化学镀铜和机械平面化的双镶嵌结构(dual damascence process)技术;其二,受到设备物理限制,Si栅极和SiO2栅极电介质材料被金属栅极和高K电介质取代;其三,受到光刻限制,193nm以上的制程工艺,应运而生了光刻技术。   实际上,正是因为受到这种限制,光刻工艺和刻蚀工艺便成为了后摩尔时代芯片图形发展的两个重要技术。通过公式得知,光刻工艺技术受到NA、k1、λ几个参数影响,在制程节点32nm-45nm下产生了浸没工艺、10nm-16nm下使用多重曝光工艺、5nm-7nm则使用极紫外线(EUV)工艺。   但与此同时,EUV光刻也面临着光源、光刻胶和掩膜版三大挑战。掩模的整体产率约94.8%,但EUV掩模仅64.3%左右,EUV淹模比复杂光学掩模还贵三至八倍(40层到50层交替的硅和钼层组成)。     除了上述的光刻技术,目前纳米压印、X光光刻、电子束直写作为先进光刻技术正在高速发展之中,但这些技术在3-5内仍然有发展空间,并不会马上成为主流技术。   默克中总裁兼高性能材料业务中国区董事总经理Allan Gabor认为,展望未来,伴随摩尔定律的逐渐失效,正在催生新材料和新结构。在此方面,吴汉明也预测,随着工艺节点演进,摩尔定律越来越难以持续,预计将走到2025年。在这些挑战下,新材料、新工艺将是未来成套工艺研发的主旋律。   后摩尔时代有着四大发展模式,具体的方式包括:冯 -硅模式 ,二进制基础的 MOSFET和CMOS (平面) 及泛CMOS (立体栅FinFET、纳米线环栅NWFET、 碳纳米管CNTFET等技术) ;类硅模式,现行架构下 NC T FET (负电容)、 TFET (隧穿)、相变 FET、SET (单电子)等电荷变换的非 CMOS技术 ;类脑模式 3D封装模拟神经元特性,存算一体等计算,并行性、低功耗的特点,人工智能的主要途径 ;新兴模式,状态变换(信息强相关电态 /自旋取向 )、新器件技术(自旋器件 /量子 )和新兴架构(量子计算 /神经形态计算 )。   因而逻辑器件将会拥有三个趋势,其一是结构方面,增加栅控能力,以实现更低的漏电流,降低器件功耗;其二是材料方面,增加沟道的迁移率,以实现更高的导通电流和性能;其三,架构方面,类似平面NAND闪存向三位NAND闪存演进,未来的逻辑器件也会从二维集成技术走向三维堆栈工艺。   “摩尔定律放缓是不争的事实,但据OpenAI预估AI算力约每3.5个月翻倍,算力需求正已10倍年增长增加,甚至在摩尔定律不放缓下都难以满足日益增速的算力需求。”上海燧原科技有限公司创始人兼CEO赵立东如是说。   因此,一个小小的摩尔定律所引发的蝴蝶效应,迎接挑战的并非只有光刻、刻蚀技术,其实从工具链、产业链、产学研上来讲都是需要做好抓手,快速升级的领域。   全球产业合作具有非凡意义 “集成电路产业是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业,目前是新基建的基石,是信息社会的粮食”,工业和信息化部电子信息司副司长杨旭东在开幕致辞中如是说。   通过一组数据来看,目前我国集成电路产业发展已驶入快车道,年复合增长率已超过20%。2019年我国集成电路产业规模实现7000多亿元,同比增长15.8%,远胜于全球整体的负增长局面。而在今年上半年新冠疫情的影响下,我国半导体产业依然保持了16%的增长。   今年是特殊的一年,疫情的冲击,既是危、也是机。中国半导体行业理事长、中芯国际集成电路制造有限公司董事长周子学表示,半导体作为高度国际化的产业,在新冠疫情向全球蔓延情况下,也不可避免受到一定冲击。从前三季度信息产业运行来看,一方面对终端需求、物流等领域对半导体行业造成了一定负面影响,另一方面,随着线上办公、视频会议、网络授课等需求,以及5G等新兴应用的兴起,也为产业发展带来了新的机遇。   事实上,通过数据端来看,根据中国半导体行业协会的统计,上半年中国集成电路产业销售额为3539亿元,同比增长16.1%,上半年中国集成电路进出口同样保持着良好的增长势头,发展体现了极强的韧性。他表示,在全国许多产业处于非常不利的情况下,还能有这样的增长,对国家也是一个重大的贡献。   “半导体行业依靠全球市场和全球供应链而蓬勃发展,我们需要关注开放的贸易与创新,这既是成功的基石,也是消费者继续享受科技福祉的必要前提”, 美国半导体行业协会轮值主席、安森美半导体总裁兼CEO Keith D.Jackson强调了全球产业链协作的重要性,他认为没有一个国家能够独立提供整个产业链,中国政府恪守承诺坚定不移地实行开放政策,稳定对外贸易和投资,是令人鼓舞和振奋人心的,这笃定了外资公司的信心。   全球市场仍然是国产发展不容小觑的方向,通过中国半导体行业协会常务副理事长、中国电子信息产业发展研究院院长张立展出的一组数据显示,在过去35年中,全球半导体市场增长近20倍,年均增速达9%。预计到2030年,全球半导体市场规模有望增长到万亿美元规模。存量市场上,如手机、服务器等产品中,半导体价值量持续提升;新兴市场上,如5G、人工智能、智能汽车等,成为半导体增长重要驱动力。   值得一提的是,全球半导体贸易值为产值的3~4倍,半导体供应链呈现高度全球化的态势。比如硅片生产主要集中在日本、中国台湾,晶圆制造集中在中国台湾、中国大陆、韩国、日本、美国,封装测试主要集中在中国大陆、马来西亚、新加坡,整机组装集中在中国大陆、中国台湾、马来西亚、越南、墨西哥等。2019年中国大陆集成电路进口金额达3055.5亿美元,出口金额达1345亿美元。   美国半导体行业协会总裁兼CEO John Neuffer在会上指出,中国是世界上最大的电子消费国,也是美国芯片制造商最大的市场。2019年,中国市场占美国半导体公司收入的36%。如今,中国已经拥有了17%的芯片产量,预计到本世纪末,这一比例将增长到约28%。此外,中国半导体企业创新能力正在不断加强,参与全球半导体产业的程度不断加深,尤其是在晶圆厂和OSAT领域。   日本、韩国、中国台湾等地都逐渐成为了全球半导体产业链中重要的一员。“这种全球化和区域专业化推动着半导体行业发展至今,竞争力是推动半导体进步的一个重要原因。历史表明,其他国家在半导体行业的崛起确实带来了新的挑战,但全球产业链的成功表明我们有能力去面对这种竞争。”   中国半导体行业正在开花 目前中国半导体行业落后已经成为了不争的事实,但从历史来看,从第一块硅单晶诞生、第一块硅集成电路诞生到年产量100万块的过程当中,我国与美国以及日本的差距并不大;但从年产量1000万块开始,我国产业就与其他国家产生了巨大的差距。   究其原因,从数据来看,中国的基础研究的经费投入比例为5%,相对其他国家的12%-24%,比较少。另外,这部分的研发大部分投入都是在试错方面,基础研究比先进国家的差距非常大。   因此,吴汉明认为,集成电路产业技术创新上拥有两大壁垒,分别为战略性壁垒和产业型壁垒。战略性壁垒方面,他认为重点三大卡脖子制造环节在工艺、装备/材料、设计IP核/EDA上,在此方面的产业链长,设计的领域宽;而产业型壁垒方面,他认为基础研究薄弱,产业技术储备匮乏。   不过好消息是,经过半导体技术的演进和行业的变迁,全球半导体产业正在不断迁移至中国大陆,中国大陆已逐渐成为产业第三次转移的核心。根据芯微原电子(上海)股份有限公司董事长兼总裁戴伟民的介绍,转移的原因主要是由于手机和物联网时代的序幕拉开,而这最终导致产业链从IP厂商和轻设计厂商的浮现。   盛美半导体设备股份有限公司董事长王晖认为半导体设备公司的兴起与成长紧紧跟随全球芯片制造中心的迁移,而此迁移的路线依然与全球半导体产业迁移的道路相同,未来10年中国将成为全球半导体芯片制造的重心。   通过数据来看,国产芯片本土市场正在逐渐增加,2019年市场规模达到了29.5%。2013-2020年,中国半导体行业的复合增长率达到了15.7%。不仅如此,我国集成电路市场已覆盖芯片、软件、整机、系统、信息服务领域,中国已经逐渐成为全球集成电路企业发展的沃土。   “中国发展离不开世界,世界发展也需要中国。”   我国积极参与X86、ARM、MIPS等全球生态,我国阿里、中兴微、华米等5家企业成为RSIC-V的白金会员,中国积极参与全球各类标准制定和建设……   从集成电路产教融合发展联盟成立到国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》等多个政策利好的发布,中国的集成电路正在把握住摩尔定律放缓以及5G、物联网爆发的这波机会。    近期热度新闻 【1】Xilinx回应AMD 300亿收购传闻,异构计算成为“战场”? 【2】华为老对手思科被罚!129亿! 【3】英特尔、高通、特斯拉、苹果组成“反对联盟”:抗议Nvidia-ARM收购案 干货技能好文 【1】关于PCB回流,看这一篇就够了! 【2】PCB从业者必读:特殊走线画法与技巧! 【3】干货!端口设计中的保护电路 你和大牛工程师之间到底差了啥? 加入技术交流群,与高手面对面  添加管理员微信 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-10-16 关键词: 半导体 摩尔定律 ic

  • IC insights:中国大陆今年将占晶圆代工业务的22%

    ICinsights报告显示,中国大陆在2018年的几乎贡献了纯晶圆代工市场在当年的所有增长。2019年,中美贸易战减缓了中国的经济增长,但其晶圆代工市场份额仍然增长了两个百分点,达到21%。此外,尽管今年早些时候Covid-19关闭了中国经济,但据预测,到2020年,中国在纯晶圆代工市场的份额将为22%,比2010年的水平高出17个百分点(图1) 图源:ICinsights 预计日本仍将是纯晶圆代工销售的最小市场,今年的市场份额仅为5%(比2010年的份额仅增长2个百分点)。预计到2020年日本的晶圆代工市场价值约为36亿美元,日本的纯晶圆代工销售份额预计将约为2020年美洲纯晶圆代工市场(351亿美元)的10%。 IC Insights认为,未来纯晶圆代工服务的日本市场只会略有增长。日本的无晶圆厂IC公司基础设施很小,预计未来五年不会增长太多。因此,预计日本晶圆厂需求的几乎所有增长都将来自利用IC代工服务的大量日本IDM(例如瑞萨,东芝,索尼等)。 海思和其他无晶圆厂IC公司在中国大陆的兴起增加了该国对代工服务的需求。 总体而言,中国的纯晶圆代工销售额在2019年增长了10%,达到118亿美元,远好于去年纯晶圆代工市场总量下降1%的水平。此外,预计到2020年,对中国的纯晶圆代工销售将增长26% 联电在中国的销售额增长最快,跃升了19%。增长的动力来自其位于中国厦门的Fab 12X的持续增加,该工厂于2016年底开业。该晶圆厂目前的月产能为1.87K 300mm晶圆。预计到2021年中期将完成每月25,000片晶圆的扩展。 在2018年跃升59%之后,台积电在中国的销售额在2019年又增长了17%,达到69亿美元。因此,去年台积电的销售额增长几乎全部来自中国市场,中国在该公司销售中所占的份额从2016年的9%增至2019年的20%,翻了一番以上。2020年,总部位于中国大陆的中芯国际和中国台湾的台积电在中国大陆的预计销售预计将增长将分别达到32%和30%。对于中芯国际来说,今年该公司在中国大陆的销售额将增长32%,这与该公司在2019年录得的中国销售额下降7%相比有了很大的转变。 去年下半年,台积电在中国的销售强劲,这得益于其向无晶圆厂IC供应商海思(HiSilicon)销售7纳米应用处理器。2020年上半年,台积电在中国的大陆销售额持平于每季度2.2至23亿美元。鉴于台积电向海思的设备出货已于9月中旬结束,因此该收入能否在20年4季度被其他中国公司的销售所取代尚待观察。 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-10-15 关键词: 半导体 ic

  • 第三届全球IC企业家大会暨IC China2020在上海开幕

    第三届全球IC企业家大会暨IC China2020在上海开幕

    10月14日,由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办,中国电子报社、赛迪顾问股份有限公司、赛迪智库集成电路所、上海市集成电路行业协会承办的第三届全球IC企业家大会暨第十八届中国国际半导体博览会(IC China2020)在上海开幕。 工业和信息化部电子信息司副司长杨旭东,上海市人民政府副秘书长陈鸣波,中国半导体行业协会理事长、中芯国际集成电路制造有限公司董事长周子学出席开幕式并致辞。美国半导体行业协会轮值主席、安森美半导体总裁兼CEO Keith D.Jackson(傑克信)特别发来视频致辞。开幕式由中国半导体行业协会常务副理事长、中国电子信息产业发展研究院院长张立主持。 大会照片 工业和信息化部电子信息司副司长杨旭东在致辞中表示,集成电路产业是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业,是新基建的基石,是信息社会的粮食,也是全球各国在高科技竞争中的战略必争之地。 工业和信息化部电子信息司副司长杨旭东 杨旭东指出,我国集成电路产业发展已经驶入了快车道,年均复合增长率超过20%。2019年,我国集成电路产业规模实现7000多亿元,同比增长15.8%。这与国务院下定决心、地方政府保持恒心、集成电路产业找准重心、产业链上下游各环节团结一心是分不开的。 对于中国集成电路产业发展,杨旭东表示,一直以来,中国集成电路产业始终秉持开放发展、合作共赢的原则,充分利用全球资源不断深化国际合作,持续推进技术创新,努力融入全球生态。目前,中国在全球市场份额中占比接近50%,已经成为全球规模最大、增速最快的集成电路市场。外资企业对中国大陆集成电路销售收入的贡献率超过了30%,已经成为中国集成电路产业的重要参与者和推动者。他强调,中国愿意与各国进一步加强合作,欢迎世界各国企业在华投资和经营。 上海市人民政府副秘书长陈鸣波在致辞中指出,近年来,上海集成电路产业实现了长足发展。上海IC设计、制造、装备、材料、封测等领域的发展在全国名列前茅。 上海市人民政府副秘书长陈鸣波 陈鸣波介绍说,目前,上海已经集聚了超过600家半导体企业,累计完成投资超过3000亿元。自2016年以来,上海的工业增长率在17%左右。与此同时,上海市政府十分注重IC行业人才培养和吸引,人才集聚度约为40%。陈鸣波表示,随着户口政策的开放,人才集聚度还会进一步提高。 中国半导体行业协会理事长、 中芯国际集成电路制造有限公司董事长 周子学 中国半导体行业协会理事长、中芯国际集成电路制造有限公司董事长周子学认为,虽然,疫情对终端需求、物流等领域造成了一定负面影响,从而影响了半导体行业的发展。不过,线上办公、视频会议、网络授课等新兴应用需求的兴起,也为半导体产业发展带来了新机遇。未来,中国半导体行业将不断加强与全球半导体产业的合作交流,扩大对外开放,共享全球半导体产业发展的成果。 美国半导体行业协会轮值主席 安森美半导体总裁兼CEO Keith D.Jackson(傑克信) 美国半导体行业协会轮值主席、安森美半导体总裁兼CEO Keith D.Jackson(傑克信)表示,半导体行业依靠全球市场和全球供应链而蓬勃发展,产业需要开放贸易与持续创新,这既是产业健康发展的基石,也是消费者继续享受科技福祉的必要前提。 傑克信强调,半导体产业是全球性的,没有一个国家能够独立于整个产业链。中国政府恪守承诺,坚定不移地实行开放政策,稳定对外贸易和投资,这一做法笃定了外资企业的信心。 中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长、 芯创智(北京)微电子有限公司董事长吴汉明 在上午的开幕演讲环节,中国工程院院士、浙江大学微钠电子学院院长、芯创智(北京)微电子有限公司董事长吴汉明表示,目前 20纳米以上的技术节点占据了市场上82%的产能。在这些工艺节点上我国有巨大的创新空间和市场空间,因此这些工艺节点是国内企业需要大力发展的。此外,吴汉明认为,集成电路产业发展还需要巨大的资金投入、人才储备以及突破战略性壁垒和产业性壁垒。应对措施包括拥有相对可控的产业链和专利库。 中国半导体行业协会常务副理事长、 中国电子信息产业发展研究院院长 张 立 中国半导体行业协会常务副理事长、中国电子信息产业发展研究院院长张立表示,随着资金、技术、产品、人才等全方位的竞争加剧,当前全球集成电路产业已经进入到发展的重大转型期和变革期。未来,5G、人工智能、智能汽车等新兴领域将成为半导体市场发展的重要驱动力。预计到2030年,全球半导体市场的规模有望达到一万亿美元,市场前景非常广阔。 张立在大会上强调,中国的发展离不开世界,世界的发展也需要中国。集成电路产业是一个全球化的产业,任何一个国家都不可能自成体系。他表示,中国正持续营造一个开放合作、公平竞争的产业发展环境,促进全球范围内的分工协作共享,在公平竞争中实现产业繁荣。同时,中国正全面、系统地从财税、投融资、研发、进出口、人才、知识产权、市场应用等方面,不断出台优惠的政策来优化营商环境,维护市场公平竞争,加强知识产权保护等,集成电路产业的投资环境在不断改善。 美国半导体行业协会总裁兼CEO 约翰•纽菲尔 美国半导体行业协会总裁兼CEO约翰•纽菲尔通过视频向与会嘉宾介绍说,如今,半导体行业正面临独特而艰巨的挑战——摩尔定律接近物理极限、芯片创新成本增长、疫情的侵袭、反全球化浪潮和相关的经贸脱钩风险不断上升等。近年来,美国半导体企业已将收入的五分之一用于应对研发挑战,仅2019年的研发成本便接近400亿美元。 此外,紫光展锐(上海)科技有限公司执行副总裁周晨,默克中国总裁兼高性能材料业务中国区董事总经理Allan Gabor (安高博),上海华虹宏力半导体制造有限公司执行副总裁周卫平等嘉宾,就集成电路未来发展趋势和挑战做了展望和分析。开幕演讲环节由上海市经济和信息化委员会副主任傅新华主持。 在下午的主题演讲中,芯原微电子(上海)股份有限公司董事长兼总裁戴伟民,上海燧原科技有限公司创始人兼CEO赵立东,新思科技中国副总经理谢仲辉,上海集成电路产业投资基金管理有限公司总经理陈刚,地平线公司创始人兼CEO余凯,博世汽车电子中国区总裁Georges Andary(安德睿),盛美半导体设备股份有限公司董事长王晖,北京华大九天软件有限公司董事长刘伟平,全球半导体联盟(GSA)联合创始人、CEO及总裁Jodi Shelton(朱迪•谢尔顿),上海张江高科技园区开发股份有限公司副董事长、总经理何大军,豪威科技有限公司高级副总裁吴晓东发表精彩演讲。主题演讲环节由中国半导体行业协会副理事长、上海市集成电路行业协会秘书长徐伟主持。 来自美国、欧洲、韩国、日本、中国台湾等国家和地区的企业家、行业组织、专家学者;国内外相关行业协会组织、科研院所、金融机构、热点领域用户代表;国内外产业链主导企业代表以及国内外新闻媒体共同参加了本届大会。 为了突出专业、技术特色,聚焦当前行业热点,本次大会除主论坛外,10月15日还将举办六场分论坛,以及一场高峰论坛,分别是:5G芯片论坛、半导体产业链创新论坛、智能网联汽车芯片论坛、半导体知识产权发展论坛、长三角集成电路创新发展论坛、RISC-V创新应用论坛以及国产芯动能高峰论坛暨飞腾平台全栈解决方案白皮书及全生态图谱发布会。 与大会同期举办的第十八届中国国际半导体博览会(IC China 2020)将在上海新国际博览中心举办,展出面积超过15000平方米,参展企业超过200家,预计观展人数将超过2万人次。展会共设置半导体分立器件、高端芯片、半导体设计、半导体设备材料、半导体创新应用、半导体制造及封测6大展区,通过多种形式展示集成电路产业发展的成果,展示集成电路领域的新技术、新产品、新服务。 集成电路龙头企业参展踊跃,已有紫光集团、中芯国际、中微半导体、东京精密、迪思科、联发科、华虹宏力、华力微电子、华润微电子、大唐电信、天水华天、江苏长电、通富微、宁波江丰、积塔半导体、燧原科技、上海微电子、北方华创、华海清科、和舰、长晶科技、盛美半导体、爱博精电等200余家企业确认参展,更有来自北京、上海、天津、深圳、陕西、苏州、无锡、南京、山东及韩国等国家和地区的企业组团前来参展。 展会同期还举办了产业应用对接会、产业游学暨招聘会、城市主题日等丰富的现场活动。产业应用对接会邀请到长鑫存储技术有限公司、华润微电子有限公司、长江存储科技有限责任公司采购部负责人坐镇现场,与杭州长川科技股份有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、苏试宜特(上海)检测技术有限公司、纳瑞科技(北京)有限公司、无锡市奥斯韦特科技有限公司、HEALTHRIAN Co.,LTD、福建雅鑫电子材料有限公司等展商现场交流,实现精准对接,最大程度为供需双方节省沟通成本,实现双赢。 为了帮助产业吸引更多的半导体优秀人才,IC China 组委会携手上海市集成电路行业协会、摩尔人才云积极搭建半导体业界以及各大院校之间的合作平台,本届活动吸引恩智浦、商汤、格科、华虹宏力、环旭、博通、乐鑫、安集、积塔、盛美、兆易创新、艾为、联发科、Edwards、寒武纪、晶晨、科天、cadence,长江存储等19家企业HR现场发布招聘需求。来自复旦大学、同济大学、华东师范大学、上海大学、上海电力大学、上海应用技术大学、上海交通大学、上海理工大学、上海应用技术大学、中国科学院大学等600余名专业对口学生,通过“就业指导”以及“安排学生实习、就业、参观”等项目,促进产学研交流,提升学生对半导体行业的了解,吸引更多专业人才加入到半导体产业的创新和持续发展中。 本届展会重点推出城市主题日,以“创芯西安 共创未来”为主题的西安市集成电路产业合作交流会将展示西安市集成电路产业良好投资环境,推介西安市优惠政策和在集成电路产业的行业影响力,全面提升西安市集成电路产业头部企业招引力度。

    时间:2020-10-14 关键词: 半导体 icchina2020 ic

  • 驱动IC和RGB灯珠齐涨价,对LED显示行业有多大影响?

    驱动IC和RGB灯珠齐涨价,对LED显示行业有多大影响?

    从2020年10月12日起,为应对当前晶圆成本上涨及供需紧张矛盾,驱动IC大厂将对IC产品全线提价。除此之外,主营RGB灯珠的某企业也于近日对RGB灯珠进行提价,涨幅在原有基础上上调了4%。 这已经不是行业第一次出现原材料涨价了。此前,就有不少类似涨价的消息传来,譬如,前段时间闹得沸沸扬扬的PCB板涨价,以及近期某家晶振公司宣布调整晶振产品的出货价格。涨价触动着LED显示应用行业敏感的神经,不少企业闻“涨”色变。 此次驱动IC和RGB灯珠的涨价,又会给LED显示屏企业带来怎样的影响?RGB灯珠和驱动IC作为LED显示屏的核心器件,其价格上涨,势必会影响到整个LED显示屏产业。此前PCB板的价格上涨就直接导致了部分企业纷纷跟调产品价格。 LED显示屏企业对于涨价一直是有欲望而无行动,虽然诸如PCB板在内的原材料一涨再涨,但很多LED显示屏企业只能捏着鼻子自己认了。指望在竞争激烈的终端市场涨价,想法是美好的,但过程却是痛苦的。有时为了涨上一点点价格,损失的可能是一个长期合作的客户,其得不偿失才是相关企业不敢轻言涨价的原因。 此轮涨价对从事相关模组和单元板批发的企业影响最大,据相关企业负责人介绍,疫情期间,从事LED显示屏模组批发业务的企业日子十分不好过,先是经历了复工复产的困难、而后又经历了PCB板、胶水等原材料涨价的考验,这对于原本利润微薄的企业无疑是“雪上加霜”。 因为LED显示屏模组、批发企业是直接和原材料挂钩、打交道的企业,对价格最为敏感。这些年来,原材料价格一直在涨,从事LED模组批发的企业由于自身原因,产品价格涨幅不大,导致利润极其微薄。已经有部分厂商告别模组和单元板批发行业,转行做工程或产品去了。本轮涨价,对于从事LED显示屏模组批发工作的企业而言,可谓一次“大灾难”。 那么此次驱动IC和RGB灯珠的涨价对于LED显示屏企业而言,究竟影响几何?会不会如疫情一般笼罩着LED显示应用企业? 对于本次RGB灯珠涨价事件,行业内大多数企业持乐观心态,其中据某封装企业负责人介绍,国内能够规模生产的,像芯片、RGB灯珠、箱体这类东西的都不会出现短缺,就算是前段时间闹得沸沸扬扬的RGB缺货也只是2121等个别型号短时间的供应不足而已。 但对于驱动IC的涨价,行业内却看法分歧,有的企业直言道:“这次的价格上涨有可能导致LED显示屏价格变动”; 也有企业认为还需时间观察,如果单纯只是驱动IC涨价,显示屏企业尚可以通过提升工艺节约成本化解本轮涨价影响。 据行业内某资深人士反映,本次驱动IC的涨价不单是因为材料成本的上涨,而更是因为供求关系紧张引起。由于美国打压中国企业的政策升级,致使以华为为首的一批中国企业在芯片端出现“断供”现象。 原本为华为代工的台积电等企业无法再为华为提供芯片。因而华为不得不依托于诸如三安光电等国内晶圆企业代工,继而导致了国内供求紧张。该资深人士认为次涨价影响甚大,短时间内无法降下来,预估到明年6月前都无法缓解,因此驱动IC等依赖晶圆制程的产品在未来一段时间都将保持供求紧张态势。 晶圆等原材料上涨的传导效应也开始显现,除了跟涨之外,各家企业均有自己的处理方式。 对于LED显示屏行业而言,心理层面影响更大于实际影响。LED显示屏企业虽然依然在为提升利润率而努力,但在成本控制方面还是有潜力可挖的。只是在某些环节增加些微成本,尚不对企业经营构成威胁。只有部分小微企业因为利润实在微博,无法通过内部消化,才会不得已而涨价。

    时间:2020-10-14 关键词: led显示屏 灯珠 ic

  • 电阻、二极管、三极管搭出的逻辑电路

    素材来源:快科技 编辑整理:strongerHuang 推荐阅读: FILE、LINE等几种C标准用法 su、sudo、sudo su、sudo -i使用和区别 提高国内访问 GitHub 速度的几种方法 微信公众号『strongerHuang』,后台回复“1024”查看更多内容,回复“加群”按规则加入技术交流群。 长按前往图中包含的公众号关注 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-09-30 关键词: 电源设计 ic

  • 不只有电源IC,安森美还承包了全球80%的汽车ADAS传感器

    不只有电源IC,安森美还承包了全球80%的汽车ADAS传感器

    说到安森美,业内人士估计都会想到其领先的电源IC。事实上,除了为行业提供超强的电源半导体以外,安森美6年前切入的新业务传感器也取得了快速的发展。特别的,在汽车领域,安森美图像传感器已占据了超过60%的市场份额,目前市场上超过80%的汽车ADAS图像传感器都是安森美提供的。 安森美是如何实现这一骄人成绩的?其传感器产品又有哪些独到之处?日前,安森美半导体举办智能感知策略和方案发布会,其智能感知部全球市场和应用工程副总裁易继辉(Sammy Yi)先生接受21ic电子网采访,详细解读了安森美传感器的制胜之道。 从摩托罗拉分拆出来的半导体新兴领袖 安森美的前身是摩托罗拉半导体,1999年从摩托罗拉拆分出来后于2000年在美国纳斯达克上市。经过20年的发展,安森美已跻身前20大集成器件制造商,位列第13位(2019年市场份额数据)。 安森美半导体产品主要分为三个部门:电源方案部(PSG),先进方案部(ASG),智能感知部(ISG)。相比电源产品部51%的收入贡献,智能感知部还有很大的上升空间,但成长速度最快。安森美智能感知部成立于2014年,是通过一些战略性兼并、并购而得。 拥有2000多项专利的现代图像传感器发明者 虽然安森美半导体的智能感知部成立才六年,但在成像传感器行业却拥有40多年的悠久历史,具有2000多项成像专利。从其收购兼并的部分来看,安森美的成像传感器技术可以追溯到柯达的首款百万像素CCD,JPL为了阿波罗登月开发出的全球首款CMOS图像传感器(1993年),全球首款专用在汽车上的车规级CMOS图像传感器(2005年)等。 可以看出,安森美半导体在图像传感器发展历程中创造了很多行业第一,凭借着这些技术积淀,到目前,安森美半导体已经给市场提供了超过5亿件图像传感器。 从三年前开始,安森美半导体又陆续收购了IBM在以色列的毫米波雷达研发中心,以及专注于飞行时间(ToF)激光雷达传感器开发的爱尔兰SensL公司,从而将传感器产品扩展到雷达传感器领域。 安森美智能感知部门有三个主要的市场:汽车、机器视觉和边缘人工智能。 安森美在汽车智能感知领域的领先地位 在汽车成像市场(专门给人眼看),安森美的图像传感器拥有超过60%的市场份额,在汽车感知领域(人工智能和机器视觉),安森美图像传感器占全球市场份额超过80%。 2019年,在汽车市场销售了近一亿颗传感器,以全球汽车销售量平均6,500万辆来算,平均一辆车就有安森美的2个摄像头。 另外,安森美推出了Hayabusa系列新产品,它革命性地实现了高动态范围,是目前市场上具有最高的宽动态效果且具有网络安全功能的图像传感器。 创新技术应对汽车感知新挑战 时下的汽车就像一个架在四个轮子上的计算机,要想让这个汽车拥有超强的感知能力,离不开各种传感器。例如,ADAS摄像头、倒车摄像头、环视360度,监控、电子车镜、驾驶员监控、乘务员监控、车内的毫米波雷达和激光雷达。 单就汽车成像而言,目前面临着三大挑战,一是宽动态,例如从灰暗的地库开到正对太阳强光的户外,夜晚在对向远光大灯照射下感知树荫下的行人,这些都需要图像传感器具有高动态范围。二是环境温度,汽车既要能适应零下几十度的极寒天气,也要能适应动辄上百度的恶劣环境。三是应对LED指示牌、交通灯对图像传感器的挑战。 上图显示Hayabusa传感器所采用的先进技术,在这种先进技术支持下,Hayabusa系列产品一次曝光就能实现95dB,经过多次曝光可以达到120dB,下一代产品一次曝光有望能够达到110dB,多次曝光可以达到140dB。Hayabusa所实现的宽动态范围可以让汽车感知更准确,帮助实现更高的安全性。 从上图可以看出,Hayabusa传感器的宽动态范围让汽车可以从昏暗地道中“看到”外面强光中的清晰场景,大大提高的安全性。 另外一个挑战来自夜视,在几乎没有光的情况下,传感器如何去“看见”目标?安森美新开发出的近红外+(NIR+)工艺,将近红外光电转换效应提高了4倍。 从图中可以看出,采用安森美NIR+技术的传感器(下半部分),可以清晰看到没有光环境下的目标物体,避免了安全事故的发生。 安森美传感器在机器视觉及边缘计算领域的创新方案 工业4.0、工业自动化、人工智能使机器视觉市场快速发展。同时,边缘人工智能不断地向新领域扩展,例如新零售,智慧农业、畜牧业和农业都开始了智能化的转化。一些新兴设备,特别是在新冠状病毒以后的后疫情时期,都出现了远程化、无人化的趋势,这些都要求边缘人工智能能力。而这一切都离不开传感器的支持。 据第三方调研公司YoleDevelopment的数据,安森美在工业机器视觉领域的市场份额是第一位。 从1.3英寸固定尺寸图像传感器的发展趋势来看,分辨率在逐年提升,从过去的200万像素,500万,800万,1200万,现在超过2000万。同时,在同样尺寸下图像传感器随着像素的增大,图像质量也在不断提高,带宽也在逐年提高。 安森美最新推出的XGS系列图像传感器,从200万像素到4500万像素,有11款不同像素产品。该系列具有一个独特的优势,客户只需要两块线路板设计就能支撑11款不同的传感器,在设计上节省了大量的成本和时间。另外一个创新是,在29×29mm2摄像头中可以放进1600万像素传感器。 上图是安森美即将推出的一款4K产品的宽动态效果图。在这种强光环境下,人眼是不能看的,但这款图像传感器不仅能够看清场景,连灯丝都能看得非常清楚。在0.2cd/cm2光照量非常低和190,000cd/cm2光照量非常高两种情况并存时,两处场景都能看清,远远超过了人眼能力。 安森美超低功耗传感器ARX3A0,功耗不到2.5mW/s/帧,而且有自动唤醒功能,平时在休眠状态,不耗费任何电,一旦发觉到有物体移动时,会自己唤醒,同时采用了NIR+制程,夜间成像效果也非常好。它的尺寸也非常小,1/10英寸,成本很低。 传统的激光雷达使用的技术是APD,也叫雪崩光电二极管。它的缺点是体积大、功耗高、侦测距离范围有限、一致性不好。安森美采用了SiPM(硅光电倍增管),优势在于它的增益是APD的1万倍,灵敏度是APD的2000倍,工作电压要求非常低,只要30V,而APD则要250V。它的一致性非常好,特别在大批量生产的时候有助于批量化。 在激光雷达产品上,安森美可以提供整体、系统的方案。在激光雷达功能框架图中,安森美公司在激光源、激光素发射、激光素接收的器件上与合作伙伴合作,其他电子线路和激光接收器则是由安森美自己开发。 除了激光雷达,安森美还提供毫米波雷达,适用范围有:L1、L2、L3、L4、L5。在不同自动驾驶的级别上有不同的应用。安森美的专有毫米波雷达技术 “MIMO+”,能够提供4D信息,可用于L3层级的自动驾驶。与竞争方案相比,安森美的MIMO+加上实际通道、虚拟通道,要比竞争对手多一倍的通道。同样性能的毫米波雷达,安森美的可以节省50%的mmIC器件、减少优化控制器、线路板,可以降低总体的成本。我们也会开发雷达信号处理,我们的对外联接接口是按照行业标准,不管是现有标准还是未来发展标准。

    时间:2020-09-30 关键词: 安森美 传感器 电源 ic

  • 奋楫笃行,金升阳荣获2020“中国IC成就奖之电源管理IC”

    奋楫笃行,金升阳荣获2020“中国IC成就奖之电源管理IC”

    6月28日,由《电子工程专辑》主办的“2020年度中国IC设计成就奖颁奖典礼&中国IC领袖峰会”在上海举行,广州金升阳科技有限公司(以下简称“金升阳”)凭借SCM1201A荣获中国IC成就奖之电源管理IC。 中国IC成就奖连续举办19届,旨在表彰那些在中国大陆IC设计界占领先地位、展现卓越设计能力与技术服务水平的公司,是中国电子业界最重要的技术奖项之一。荣获此次殊荣,是对金升阳为中国电源管理IC做出的努力的极大肯定与鼓励。 本次获奖的SCM1201A是一款集成了功率MOS对管的推挽电源的控制器,包含软启动能、输出短路保护、过温保护三项关键技术。该芯片内部功率MOS管的驱动对称程度高,从而减小推挽拓扑的偏磁程度。在4V低输入电压下可正常工作,VIN引脚在40V高输入电压的冲击下也不会损坏。产品质量高,稳定性强。 金升阳深耕电源领域,不断超越自我,形成企业自主研发和技术创新体系。愿景携手社会各界与各产业,共同推进“中国芯”时代。

    时间:2020-09-30 关键词: 电源管理 金升阳 ic

  • 常用的MEMS封装形式

    常用的MEMS封装形式

    MEMS封装形式与技术主要源于IC封装技术。 IC封装技术的发展历程和水平代表了整个封装技术(包括MEMS封装和光电子器件封装)的发展历程及水平。 目前在MEMS封装中比较常用的封装形式有无引线陶瓷芯片载体封装(LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier)、金属封装、金属陶瓷封装等,在IC封装中倍受青睐的球栅阵列封装(BGA-Ball Grid Array)、倒装芯片技术(FCT-Flip Chip Technology)、芯片尺寸封装(CSP-Chip Size Package)和多芯片模块封装(MCM-Multi-Chip Module)已经逐渐成为MEMS封装中的主流。 BGA封装的主要优点是它采用了面阵列端子封装、使它与QFP(四边扁平封装)相比,在相同端子情况下,增加了端子间距(1.00mm,1.27mm,1.50mm),大大改善了组装性能,才使它得以发展和推广应用。 21世纪BGA将成为电路组件的主流基础结构。 从某种意义上讲,FCT是一种芯片级互连技术(其它互连技术还有引线键合、载带自动键合),但是它由于具有高性能、高I/O数和低成本的特点,特别是其作为“裸芯片”的优势,已经广泛应用于各种MEMS封装中。 CSP的英文含义是封装尺寸与裸芯片相同或封装尺寸比裸芯片稍大。日本电子工业协会对CSP规定是芯片面积与封装尺寸面积之比大于80%。 CSP与BGA结构基本一样,只是锡球直径和球中心距缩小了、更薄了,这样在相同封装尺寸时可有更多的I/O数,使组装密度进一步提高,可以说CSP是缩小了的BGA。 在MCM封装中最常用的两种方法是高密度互连(High Density Interconnect简称HDI)和微芯片模块D型(Micro Chip Module D简称MCM-D)封装技术。 高密度互连(HDI)MEMS封装的特点是把芯片埋进衬底的空腔内,在芯片上部做出薄膜互连结构。 而微模块系统MCM-D封装是比较传统的封装形式,它的芯片位于衬底的顶部,芯片和衬底间的互连是通过引线键合实现。 HDI工艺对MEMS封装来说有很大的优越性。由于相对于引线键合来说使用了直接金属化,芯片互连仅产生很低的寄生电容和电感,工作频率可达1GHz以上。 HDI还可以扩展到三维封装,并且焊点可以分布在芯片表面任何位置以及MCM具有可修复的特性。

    时间:2020-09-29 关键词: 芯片制造 芯片封装 ic

  • 如何判断电路中的IC是在工作?

    如何准确判断电路中集成电路IC的是否工作,是好是坏是修理电视、音响、录像设备的一个重要内容,判断不准,往往花大力气换上新集成电路而故障依然存在,所以要对集成电路作出正确判断。 1、首先要掌握该电路中IC的用途、内部结构原理、主要电特性等,必要时还要分析内部电原理图。除了这些,如果再有各引脚对地直流电压、波形、对地正反向直流电阻值,那么,对检查前判断提供了更有利条件;2、然后按故障现象判断其部位,再按部位查找故障元件。有时需要多种判断方法去证明该器件是否确属损坏。3、一般对电路中IC的检查判断方法有两种:一是不在线判断,即电路中IC未焊入印刷电路板的判断。这种方法在没有专用仪器设备的情况下,要确定该电路中IC的质量好坏是很困难的,一般情况下可用直流电阻法测量各引脚对应于接地脚间的正反向电阻值,并和完好集成电路进行比较,也可以采用替换法把可疑的集成电路插到正常设备同型号集成电路的位置上来确定其好坏。当然有条件可利用集成电路测试仪对主要参数进行定量检验,这样使用就更有保证。还有在线检查判断,即集成电路连接在印刷电路板上的判断方法。在线判断是检修集成电路在电视、音响、录像设备中最实用的方法。以下分几种情况进行阐述:1、直流工作电压测量法: 主要是测出各引脚对地的直流工作电压值;然后与标称值相比较,依此来判断集成电路的好坏。用电压测量法来判断集成电路的好坏是检修中最常采用的方法之一,但要注意区别非故障性的电压误差。测量集成电路各引脚的直流工作电压时,如遇到个别引脚的电压与原理图或维修技术资料中所标电压值不符,不要急于断定集成电路已损坏,应该先排除以下几个因素后再确定。1)所提供的标称电压是否可靠,因为有一些说明书,原理图等资料上所标的数值与实际电压有较大差别,有时甚至是错误的。此时,应多找一些有关资料进行对照,必要时分析内部原理图与外围电路再进行理论上的计算或估算来证明电压是否有误。2)要区别所提供的标称电压的性质,其电压是属哪种工作状态的电压。因为集成块的个别引脚随着注入信号的不同而明显变化,所以此时可改变波段或录放开关的位置,再观察电压是否正常。如后者为正常,则说明标称电压属某种工作电压,而这工作电压又是指在某一特定的条件下而言,即测试的工作状态不同,所测电压也不一样。3)要注意由于外围电路可变元件引起的引脚电压变化。当测量出的电压与标称电压不符时可能因为个别引脚或与该引脚相关的外围电路,连接的是一个阻值可变的电位器或者是开关(如音量电位器、亮度、对比度、录像、快进、快倒、录放开关、音频调幅开关等)。这些电位器和开关所处的位置不同,引脚电压会有明显不同,所以当出现某一引脚电压不符时,要考虑引脚或与该引脚相关联的电位器和开关的位置变化,可旋动或拔动开头看引脚电压能否在标称值附近。4)要防止由于测量造成的误差。由于万用表表头内阻不同或不同直流电压档会造成误差。一般原理上所标的直流电压都以测试仪表的内阻大于20KΩ/V进行测试的。内阻小于20KΩ/V的万用表进行测试时,将会使被测结果低于原来所标的电压。另外,还应注意不同电压档上所测的电压会有差别,尤其用大量程档,读数偏差影响更显著。5)当测得某一引脚电压与正常值不符时,应根据该引脚电压对IC正常工作有无重要影响以及其他引脚电压的相应变化进行分析,才能判断IC的好坏。6) 若IC各引脚电压正常,则一般认为IC正常;若IC部分引脚电压异常,则应从偏离正常值最大处入手,进口泵检查外围元件有无故障,若无故障,则IC很可能损坏。7)对于动态接收装置,如电视机,在有无信号时,IC各引脚电压是不同的。如发现引脚电压不该变化的反而变化大,该随信号大小和可调元件不同位置而变化的反而不变化,就可确定IC损坏。8)对于多种工作方式的装置,如录像机,在不同工作方式下,IC各引脚电压也是不同的。以上几点就是在电路中IC没有故障的情况下,由于某种原因而使所测结果与标称值不同,所以总的来说,在进行集成块直流电压或直流电阻测试时要规定一个测试条件,尤其是要作为实测经验数据记录时更要注意这一点。通常把各电位器旋到机械中间位置,信号源采用一定场强下的标准信号,当然,如能再记录各功能开关位置,那就更有代表性。如果排除以上几个因素后,所测的个别引脚电压还是不符标称值时,需进一步分析原因,但不外乎两种可能。一是集成电路本身故障引起;二是集成块外围电路造成。分辨出这两种故障源,也是修理集成电路家电设备的关键。2、交流工作电压测量法: 为了掌握IC交流信号的变化情况,可以用带有dB插孔的万用表对IC的交流工作电压进行近似测量。检测时万用表置于交流电压挡,正表笔插入dB插孔;对于无dB插孔的万用表,需要在正表笔串接一只0.1~0.5uF隔直电容。该法适用于工作频率比较低的IC,如电视机的视频放大级、场扫描电路等。由于这些电路的固有频率不同,波形不同,所以所测的数据是近似值,或者作为有无。 ‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧  END  ‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 免责声明:本文系网络转载,版权归原作者所有。如有问题,请联系我们,谢谢! 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-09-28 关键词: 集成电路 ic

  • 强劲增长,纯晶圆代工市场创历史新高

    强劲增长,纯晶圆代工市场创历史新高

    IC Insights最近发布了2020年McClean报告的8月更新,其中包括对全球晶圆代工市场的两部分分析中的第一篇。纯晶圆代工厂包括TSMC,GlobalFoundries,UMC和SMIC。IDM代工厂定义为除了制造自己的IC之外还提供代工服务的公司。IDM代工厂的例子有三星和英特尔。 在5G智能手机中对应用处理器和其他电信设备销售的需求不断增长的推动下,纯晶圆代工市场在2019年下降1%之后,今年有望强劲增长19%(见图1)。IC Insights预测2020年将出货2亿部5G智能手机(有些预测为2.5亿部),高于2019年的约2000万部。 图1如果实现,则19%的增长将标志着纯晶圆代工市场自2014年的18%增长以来最强劲的增长率。在2019年之前,纯晶圆代工市场上一次于2009年下降(-9%)。 如图所示,IC Insights预计在整个预测期内不会再出现纯晶圆代工市场下降的情况。有趣的是,在过去的16年(2004-2019年)中,纯晶圆代工市场在9年中增长了9%或以下,而在其它7年中均以两位数的速度增长。显然,在过去的15年中,纯晶圆代工市场经历了一系列的繁荣和萧条,但总体保持稳健地增长态势。 预计到2020年,纯晶圆代工占代工总销售额的81.4%,低于2014年的89.3%。从2019年到2024年,纯晶圆代工的复合年增长率(CAGR)预计为9.8% ,比2014年2019年的6.0%复合年增长率高出3.8个百分点,并且超过了同一预测期内整个IC市场预期7.3%的复合年增长率。

    时间:2020-09-23 关键词: 晶圆代工 ic

  • 电源技术问答整理,你值得收藏!

    电源技术问答整理,你值得收藏!

    通常来说电源转换 IC 而言,一个日益增强的趋势是,提供多输出器件,例如 6 到 8 个通道,而且所有通道都是同步降压型转换器,以在很宽的电流范围内实现高效率转换,同时以高于 2MHz 的开关频率工作,以保持尽可能小的外部组件尺寸和解决方案占板面积。下面是小编总结的一些电源方面的问题。 1. 面对越来越严格的能效等级,电源半导体产品的主体发展趋势和市场需求是什么? As the requirements imposed on energy efficiency ratings become increasingly stricter, what are the general development trends and market demands for power semiconductor products? 答 1:今天电源产品制造商面临的两大挑战也许是:在产品寿命期内降低系统的总体拥有成本;就功耗而言使系统更经济,即提高工作效率以使系统更“绿色”。尽管电源管理对新式电子系统的可靠工作至关重要,但是在今天的系统中,稳压器也许是仍然存在的最后“盲点”之一,人们没有办法直接配置或监视关键电源系统工作参数。因此,电源设计师一直被迫使用一大堆混在在一起的排序器、微控制器和电压监察器,以设定基本稳压器的启动和安全功能。数字可编程 DC/DC 转换器已经上市很多年了,特别是具备 VID 输出电压控制的 VRM 内核电源。不过,直接从稳压器监视工作状态信息的能力一直缺失,尤其是直接监视实时电流的能力。 使用标准串行数字总线 (例如 I2C) 可与数字 DC/DC 转换器实现简单和高效率的通信,PMBus 等新出现的标准方便了组件互操作性的实现。重要的稳压器参数 (包括启动特性和定时、输出电压和电流限制、裕度调节规格、以及过压和欠压监控限制) 都能以数字方式直接设定,而不用电阻器和耗费空间的排序及监视产品来设定。此外,诸如温度以及输入和输出电压及电流等关键工作参数可以得到常规监视,并用来优化系统性能和可靠性。 2. 从目前的技术发展来看,如何提升系统级电源产品的整体工作效率? 如何通过核心器件实现电源系统的高效率工作提升电源效率最大的难点在哪里? On the basis of present technology development, in which ways can the overall efficiency of system power products be improved? How can the high efficiency of power system be achieved via core devices? What is the biggest obstacle to improving power efficiency? 答 2:系统设计师需要克服的一个重大障碍是,器件处于低功率或备用模式时的功耗,因为这时仍然从电池或电源插座吸取电流。因此,自上世纪 90 年代早期开始,凌力尔特一直生产同时具备高效率转换和低静态电流的电源管理 IC。通过采用新的设计方法,以在电源管理和转换 IC 中,在负载电流很大时实现高效率转换,我们可以应对这一挑战。同时,当这些 IC 置于备用或停机模式时,很多新的电源转换产品也具备了较低的静态电流,以便设计师能非常容易地发现合适的产品,以使其最终系统能更加环保。 凌力尔特在很多电源管理 IC 中采用了已获专利的突发模式 (Burst Mode) 技术。这种技术最大限度地减小了 IC 本身在备用模式时所需的电流。在很多情况下,这种备用静态电流低至 2.5uA。 3. 面对要求不断严格的能效等级,如何看待目前的数字电源管理和传统的模拟电源管理技术的市场前景和各自的优势? How should we interpret the market prospects and respective advantages of current digital power management technologies and traditional analog power management technologies as the requirements imposed on energy efficiency ratings become increasingly stricter? 答 3:如果数字电源设计正确,就可以降低数据中心能耗、加快产品上市、具备卓越的稳定性和瞬态响应、并在诸如网络设备中提高系统总体可靠性。 网络设备的系统设计师需要提高系统的数据吞吐量和性能,并增加功能。同时,还有一种压力,就是降低系统总体功耗。数据中心面临的挑战是,通过重新安排工作流程,并将作业转移到未得到充分利用的服务器上以使其他服务器能停机,来降低总体功耗。为了满足这些要求,有必要知道最终用户设备的功耗。恰当设计的数字电源管理系统可向用户提供功耗数据,允许做出智能能源管理决策。 此外,数字电源系统管理的一个主要好处是,设计成本降低,且产品能更快上市。采用一种具直观图形用户界面 (GUI) 的综合开发环境可高效地开发复杂的多电源轨系统。另外,此类系统还可通过该 GUI 实现变更 (取代了“白线”安装焊接法),从而简化了线路内测试 (ICT) 和电路板调试。另一个好处是,由于有实时遥测数据可用,所以有可能预测电源系统故障,并采取预防措施。也许最重要的是,具备数字管理功能的 DC/DC 转换器使设计师能开发“绿色”电源系统,在负载点、电路板、支架甚至安装阶段,以最低限度的能源使用量,达到目标性能 (计算速度、数据传输速率等),从而在产品的寿命期内,降低基础设施成本和总体拥有成本。 凌力尔特的 LTC3880 是一款双输出同步降压型 DC/DC 电流模式控制器,具备集成的电源 FET 栅极驱动器以及可通过基于 I2C 的 PMBus 使用的全面电源管理功能。该产品的高精度基准和温度补偿型模拟电流模式控制环路可提供 ±0.5% 的 DC 准确度、简易型补偿 (可独立于操作条件进行校准)、逐周期电流限制、快速和准确的均流、以及针对电压和负载瞬变的卓越响应性能,并且没有采用“数字”控制之产品所常见的任何 ADC 量化关联误差。LTC3880 采用 16 位数据采集系统,提供输入和输出电压及电流、占空比以及温度的数字回读。该器件还具备故障记录功能,该功能通过一个中断标记和一个存储了故障前瞬间转换器工作状态的“黑匣子”记录器来实现。通过凌力尔特的 LTpowerPlay™ 开发软件和 GUI 接口,多轨系统的开发就更加方便了。 4 电源产品是个技术发展相对平稳和缓慢的行业,您认为最近有哪些创新性的技术可以给未来电源市场带来重要的变化,或者说,哪些技术将改变电源应用的格局? Power product is an industry of relatively steady and slow technology development, from your point of view, which recent innovative technologies can bring critical changes to the future power market? In other words, which technologies will transform the layout of power applications? 答 4:目前在电源管理领域有很多热点技术,而新技术的一个典型例子是来自可替代能源领域。显然,任何专注于应对这一领域的电源管理产品都将有极大的增长潜力。 因此,凌力尔特最近推出了能量收集产品系列,以专门服务于这个新市场。这些产品方便了环境能源非常少量的收集和管理,使该能源能用来执行各种功能,例如监视大楼中的 HVAC 系统,从而使能源利用效率更高。客户的积极响应令我们吃惊,他们已经开发了很多新的产品理念,如果没有我们的产品,这些理念是不可能出现的。因此我们认为,我们的产品未来在这一不断演变的市场上有着极大的潜力。因此,我们将继续开发和推出专门针对这一市场的产品。 在我们周围存在着许许多多的环境能量,能量收集的传统方法一直是借助太阳能电池板和风力发电机。不过,新的收集手段允许我们利用各种各样的环境能量源来产生电能。此外,重要之处并非电路的能量转换效率,而是更多地在于可为其供电的“平均收集”能量值。例如:热电发生器可将热量转换为电力、压电元件可转换机械振动、光伏元件用于转换阳光 (或任何光子源)、而流电元件则可从湿气实现能量转换。这使得能够给远程传感器供电或对电能存储器件 (例如:电容器或薄膜电池) 进行充电,从而可为微处理器或发送器实施远程供电,而无需使用本地电源。这反过来又为将凌力尔特的能量收集产品用作潜在的解决方案带来了机会。 可替代能源带来了很多机会,其中一个非常典型的例子是太阳能供电的电子设备市场。随着各公司不断寻求降低能耗的方式,该市场也在持续增长。例如,我们来看一下智能电表。这类电表用在智能电网上,希望由环境能源供电,以降低工作所需的能源成本。一个可行和充足的能源是太阳能。不过,因为太阳能是易变和不可靠的,几乎所有太阳能供电的设备都具备可再充电电池。因此,一个重要的目标是,抽取尽可能多的太阳能以给这些电池快速充电,并保持它们的充电状态,以在没有太阳可用时将电池用作能源。 5 不断提升的能效等级,特别是白金甚至钛金牌电源的出现,对电源设计提出哪些更多的要求,除了半导体核心器件在性能上需要进行改进之外,在电源设计中还有哪些地方可以帮助设计者设计更高效的电源? What kind of additional requirements have the increasingly enhanced energy efficiency ratings, especially the emergence of platinum-level and titanium-level power efficiency, imposed upon power design? In addition to performance improvement needed for core semiconductor devices, what other efforts should be made in power design to help designers develop more efficient power? 答 5:有很多已有和新出现的标准在促进电源性能方面的创新。一个明显的例子是能源之星 (EnergyStar),该标准针对家中或办公室内始终插入电源的设备。为了达到这个标准的要求,电源连接到 AC 电源插座时,必须仅抽取不到 500mW 的功率。另一个例子是欧洲政府出台针对新建筑物的法规,强制要求实现更低功耗。这些法规要求,与以前建造的旧建筑物相比,新建筑物的总体功耗必须低 30%。这就给电源制造商带来了很多挑战,要求他们寻找新和创造性的方式以降低产品在正常工作模式和备用模式时的功耗。 6 对于电源整体设计来说,贵公司是否有相应的完整解决方案帮助设计者快速设计符合要求的电源产品,在满足白金甚至钛金级电源效率的要求方面,贵公司有哪些新技术和新产品提供给开发者? For overall power design, does your company have the corresponding comprehensive solutions to help designers quickly design power products meeting their requirements? To reach platinum-level and titanium-level power efficiency, which new technologies and products do you provide for developers? 答 6:见答 4。 7 现在越来越多的便携设备在加大对性能需求的同时,对电源功耗提出了更高的要求,如智能手机、平板电脑等,针对这方面的需求,您认为未来便携电源产品设计的主要发展需求和发展难点在哪里? Today, more and more portable devices such as smart phones and tablets have higher requirements for power consumption while increasing requirements for performance. In this regard, what are the main development demands and difficulties for the future portable power product design? 答 7:就便携式产品的设计而言,存在很多系统设计师必须克服的关键问题。然而,最重要的问题之一,是怎样让热量从设备中散发出来,因为这类设备没有风扇用来实现冷却。因此,这类产品内部使用的电源转换 IC 必须是热效率非常高的,因为电源转换效率欠佳会产生热量。这种热量是在能量传递过程中于稳压器中损失的功率产生的。此外,在很多便携式设备内部,用于实现冷却的空气流动有限,散热器也受到限制,因为这类产品本身的尺寸和可用空间有限。这导致在小型、紧凑的外形中,装入的是密集排列的印刷电路板。因此,将热量排出产品的途径有限。这种热量就等于工作环境温度的上升,这又可能对产品的可靠性产生不利影响。 DC/DC 转换器的转换效率可以按照输出功率除以输入功率计算,或者换一种方式,按照负载功率除以输入功率计算。在电源转换过程中产生热量所导致的结果是,系统设计师必须仔细考虑应该使用什么类型的稳压器。因此,在很多制造商中出现的一种常见的趋势是,采用开关稳压器而不是更简单的线性低压差稳压器,因为开关稳压器可以更高的效率工作。 在几乎任何类型的电池供电便携式设备中都需要多个电压轨,这种情况非常常见。这些轨包括多个微处理器轨和大量特别功能电压轨。因此,对提供必要功率的电池需求已经极大地增加了。不过,电池的外形尺寸一直保持相对较小,而且功率密度仅实现了适度增加。结果,在几乎任何手持便携式设备中,电池运行时间和良好的热量管理都成为了非常重要的卖点。这导致需要非常紧凑和高效率的多输出同步降压型转换器。 同步降压型转换器与传统线性稳压器相比,已经在电池运行时间上有了极大改进。此外,这类转换器提供 96% 左右的效率,几乎无需任何散热器。

    时间:2020-09-21 关键词: 电源 vrm ic

  • 我摊牌了,我知道PLL/VCO技术应该怎么提升性能~

    好文章当然要分享啦~如果您喜欢这篇文章,请联系后台添加白名单,欢迎转载哟~ 多年来,微波频率生成使工程师面临严峻的挑战,不仅需要对模拟、数字、射频(RF)和微波电子有深入的了解,尤其是锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)集成电路组件方面,还需要具备可调滤波、宽带放大以及增益均衡等专业知识。 本文重点介绍近些年微波电路设计取得的进步,这意味着现在采用硅芯片技术中的低相位噪声VCO可以覆盖一个倍频程范围。在这样的IC上集成输出分频器可以支持几个低频倍频程范围,输出集成倍频器则支持单个IC生成高达32 GHz的频率。随着小数N分频PLL频率合成器技术的进步,现在微波频率范围rms抖动可低至60fs,具备无限小的频率分辨率和极小的杂散信号。低插入损耗宽带滤波器可以和这些集成PLL/VCO IC配合使用,以提高整个系统的频谱性能,大大降低了微波和毫米波本地振荡器带来的相关挑战。 简介 本地振荡器(LO)是现代通信、汽车、工业和仪器仪表应用中的关键组件。无论从基带到RF实施上变频还是反过来的下变频,为汽车雷达、材料检测应用生成扫频,或者为上述应用电路的构建和测试而开发仪器仪表,我们生活的很多方面都存在LO。电路和工艺技术的进步已帮助降低了此类电路的成本、复杂性和面积;与过去需要更广泛地混合使用有源和无源技术相比,现代集成电路大大降低了LO的设计难度。 想看教程?长按观看,教你如何创建定制VCO~ 过去,适用于GSM等2G通信应用的大部分LO都使用与ADI公司的ADF4106类似的整数N分频PLL,以及窄带T封装VCO(例如VCO190-1846T)。在大多数情况下,这些VCO的高品质因素(Q)使其非常易于满足该严苛标准下的相位噪声规格。那时的手机一般只支持一种无线标准,标准本身的数据速率也有限(虽然2G网络出色的覆盖率帮助手机获得了广泛的市场认可)。基站LO一般是使用多种IC和VCO子模块组合而成的模块,如图1所示。 图1. 适用于无线通信的LO模块。 对无线数据速率以及与不同的全球无线标准兼容性的需求不断提高,促进了宽带VCO的发展,与窄带VCO相比,宽带VCO有助于实现更宽的频率覆盖范围,支持更多的新可用频谱。支持这种数据吞吐量的微波回程网络也承受着压力,需要支持高阶调制率,可针对不同范围和标准进行配置,同时帮助网络提供商降低工程难度,提高投资回报率。为了支持这些网络开发,典型的信号分析仪使用了庞大笨重的钇铁石榴石(YIG)振荡器,以及使用类似技术的笨重滤波器。 VOC改进 开发集成硅芯片微波VCO面临的最大技术挑战是可用晶圆制造工艺中的Q值有限。在许多情况下,绕线电感(用于T封装VCO中)的Q值可能从数百的典型值降至刚刚超过10,因Leeson方程的限制,Q值会严重影响相位噪声,根据此方程,相位噪声LPM(公式1)与VCO Q值成平方反比,和输出频率成平方正比关系。 基于砷化镓(GaAs)或锗硅(SiGe)制造的宽带单核VCO通过将VCO的调谐端口范围从5V(大部分硅基PLL电荷泵可用的典型电压)扩展至15V、甚至30V来解决范围与噪声的问题。这意味着,谐振器Q可以保持不变,但扩展的变容二极管可调谐性可以提供更广泛的调谐范围,但不会恶化相位噪声。这种更高调谐范围带来的挑战,可以通过使用有源低通滤波器以将电荷泵电压(典型值为5V)转换为15 V或30 V来解决(参见图2中HMC733的调谐范围)。这些有源滤波器需要使用高压低噪声运算放大器。所以,典型的微波LO将由PLL(如ADF4106),运算放大器以及GaAsVCO组成,在很多情况下,还需要一个外部分频器,将VCO信号分频至PLL允许的最大输入频率(对于ADF4106,为6 GHz)。GaAs VCO一般在S频段和更高频段下运行,因为谐振器电路一般在2GHz以上提供最佳性能。设计电路板时更要格外小心,这需要熟知电源、模拟以及RF和微波领域专业知识。PLL滤波器的设计及其性能仿真都需要具备丰富的控制理论和噪声建模经验,并且需要熟悉每个组件。完成这些任务所需的经验并不容易获得,一般只有从事硬件设计工作几十年的资深人士才具备。 图2. HMC733调谐范围。 目前有多种技术可以解决低Q值问题。在类似ADF4360的产品系列中,裸片(粘接到焊盘上)表面焊线的Q值大约为30。厚金属电感也可以改善Q值,改进变容二极管Q也有助于大幅提高谐振器Q值,从而进一步改善相位噪声性能。适合制造高频率VCO和N分频器电路的BiCMOS工艺,以及用于开关各种电容的CMOS逻辑电路,这些意味着宽带PLL和VCO IC切实可行,其小巧的尺寸和更宽的频率范围则使其迅速得到无线市场的认可。 许多宽带LO都采用了这种方法。覆盖整个倍频范围的VCO很有优势,这是因为一组分频器可生成的频率范围只受最低可用VCO频率和最高可用分频比限制。采用硅芯片工艺的VCO设计取得了重 大突破,通过开关不同的电容组,可以将VCO范围划分为多个子频段。这支持实现更广泛的频率覆盖范围,无需通过降低振荡器谐振器Q值来牺牲相位噪声,同时支持使用电压较低的电荷泵,所以无需使用额外的运算放大器,其需要更高的电源电压轨。进一步改善可将VCO频段的数量从数十个增加到数百个,甚至在单片IC上开发其他单独的重叠VCO内核(按需进行开关),从而进一步优化相位噪声,例如ADF4371(图3)。从图2中HMC733的单核VCO与图3的ADF4371的多频段VCO之间,可以看出明显的不同。 图3. ADF4371频率与VTUNE的关系。 从图2的频率与VTUNE关系图中可以看出,HMC733调谐电压与输出频率成正比,而在图3中,调谐电压基本上在VTUNE的1.65V目标值的几百毫瓦以内。智能频段选择逻辑或自动校准电路意味着用户无需针对频率开发频段查找表,且存在足够裕量,可以保证在电源电压范围,尤其是温度电压范围内可靠运行。 PLL改进 实现更高的数据速率需要具有更低的向量误差调制(EVM)速率(图4),这主要取决于窄带无线应用中PLL频率合成器的带内相位噪声贡献;使用200kHz信道栅提供1.8GHz输出需要很高的N(9000),因而N分频器的20log(N)贡献会在频段内产生严重影响。高阶调制速率(例如64QAM)需要更低的EVM,这会推动开发、采用和部署小数N分频频率合成器,比如ADF4153A和ADF4193,这会使信道栅与PFD频率无关,从而大幅降低带内噪声。将ADF4106和ADF4153A进行比较(比较图5和图6),可以明显看出这一优势,在1kHz频偏下,带内噪声从–90dBc/Hz降至–105dBc/Hz。我们使用ADIsimPLL™来计算,它可以对ADI公司的所有PLL产品进行了仿真。 图4. 相位误差QPSK。 图5. 带VCO-1901846T的整数N分频ADF4106。 图6. 带VCO-1901846T的小数N分频ADF4153A。 小数N分频还具有额外的优势,由于PFD频率更高,支持的环路带宽更宽,因此锁定时间更短。利用多个电荷泵失调电流和∑-∆扰动功能,可将小数N杂散降低到可接受的水平。ADF4193和 ADF4153A分别支持26MHz和32MHz PFD频率,更高的PFD频率也允许用户进一步降低N,由于整数边界杂散(IBS)的发生率和影响较小,因此可进一步改善EVM并简化频率规划。ADF4371采用的最新PLL拓扑支持高达160MHz的PFD频率。小数N分频器件频率分辨率的改善(小数调制器从12位分辨率增加到39位分辨率)也意味着PLL可用于生成几乎所有分辨率达到毫赫(MHz),且精度极高的频率。 图7. ADF4371。 过去,使用小数N分频器件遇到的主要阻碍在于存在很高的小数杂散,这些杂散由∑-∆调制器生成,会降低频谱纯度,因此需要工程师付出更多努力,以减少或消除其影响。由于ADF4371具有较低的小数杂散,并且没有整数边界,所以干净频谱意味着可以花费更少时间来研究、调试,或者从一定程度上消除了这些烦人的频率生成伪影带来的影响。较低的带内整数边界杂散(–55dBc)意味着一旦经PLL滤波器滤波,杂散就可以得到有效衰减。例如,如果将40kHz滤波器用于400 kHz信道栅,那么滤波器提供35dB衰减意味着距离整数边界最近信道的杂散为–90dBc。能够使用高达160MHz的高PFD频率意味着整数边界出现的几率更低,相比使用32MHz PFD频率,使用160MHz PFD频率时,其几率低5倍。 由于PFD频率和频率分辨率的提高,PLL品质因数(FOM)也有显著提升,例如从ADF4153的–216dBc/Hz提高到ADF4371的–233dBc/Hz(小数模式)。将图5和图7中的ADIsimPLL曲线进行比较,ADF4106在整数模式下,采用200kHz PFD频率设置,10kHz环路带宽,生成1.85GHz输出,而ADF4371则采用160MHz PFD频率设置,150kHz环路带宽。可以看出,在1kHz频偏时存在20dB的差异,PLL频率合成器技术取得明显进步。 同时可以看出,存在着1ps和51fs的集成rms相位抖动的差异。值得注意的是,与过去由电感Q决定rms噪声性能相比,带内噪声的大幅改善(通过低FOM和小数N分频实现)允许用户将环路滤波器带宽增加至150kHz,从而抑制此带宽内的VCO噪声,并降低10kHz至100kHz范围内的恶化,后者一般决定rms噪声。为实现这一带内相位噪声的改善目标,采用更高规格的PLL频率参考源至关重要,通过改进此类方法的性能和灵活性,大多数用户都能接受这种权衡考量方案。在某些情况下,新型小数N分频PLL提供的更低带内噪声可以和使用偏移或转换环路的PLL的结果相匹敌,后者在VCO至PFD的反馈路径中使用了混频器,可大大简化要求严苛应用的频率生成。 ADF4371VCO的基波频率范围为4GHz至8GHz,这是考虑了制造设备所使用的SiGe工艺的VCO相位噪声性能的最佳点。为了生成更高频率,我们使用了倍频器。通过重新设计VCO来实现双倍频率范围存在一定问题,因为噪声的降低幅度高于通过扩展VCO的频率范围所预期的6dB。所以,采用了倍频器,它将VCO范围从8GHz扩展到16GHz,还采用了四倍频器,将4GHz至8GHz的VCO范围扩展到16GHz至32GHz。在每种情况下,倍频器都会带来一些频率噪声,包括VCO馈通,以及2×、3×和5×VCO频率。为了降低滤波要求,每个倍频器电路都包含跟踪滤波器,以调谐输出,最大限度提高了所需频率与频率噪声的功效比。双倍输出的次谐波抑制一般低至45dB,四部输出则低至35dB。 宽带工作 从之前所示的窄带示例中,可以看出新型PLL/VCO技术优势明显,但与使用HMC733VCO的HMC704PLL生成宽带频率相比,使用ADF4371还可以更进一步改善。用户使用分立式解决方案时面临诸多挑战,其目标是生成20GHz至29GHz的干净可变LO。 首先,HMC733VCO的输出功率必须在板上分配,并分频至适合HMC704的频率,所以必须使用外部分频器(如(HMC492),将10GHz至14.5GHz范围分频至HMC704允许的5GHz至7.25GHz。 然后,必须使用倍频器(如HMC576)将10GHz至15GHz频率范围倍增至20GHz至30GHz。 需要使用有源低通滤波器来生成HMC733所需的调谐电压。本示例使用ADA4625-1。这也要求运算放大器的电源电压高到足以生成所需的调谐调压(在本例中,为15 V)。 调谐灵敏度的变化必须在整个VCO频率范围内进行补偿。这通常通过调节电荷泵电流,以保持电荷泵增益和VCO增益的乘积来实现。 HMC576倍频器之后的VCO馈通约为–20dBc。ADF4371的调谐滤波器会将倍频器产生的不必要的频率抑制在35 dBc。这大大简化了后续滤波。 图8. 分立式PLL/VCO倍频器解决方案。 相比之下,ADF4371 PLL/VCO开箱即用,只需使用一个高品质的外部参考频率源,即可生成此频率。可以复制 EV-ADF4371SD2Z的布局,同时复制相应的电源管理解决方案。环路滤波器的设计也会明显简化,因为不需要最终用户补偿灵敏度(kV)的变化,也无需使用有源滤波器元件。用户无需花费数周时间来选择器件,也无需花费大量时间来为每个分立式组件构建仿真模型,他们可以直接使用ADIsimPLL来设计和仿真预期的性能,并通过ADF4371评估板来评估获取准确的预期结果,因为评估结果与仿真性能非常接近。更少的组件数量和更高的集成水平能够大幅改善系统的尺寸和重量,此外,也会大幅改善系统性能,计算得出的ADF4371集成rms抖动为60fs,而分立式解决方案的抖动为160fs。从图9可以看出,组件数量和电路板面积均明显节省,如果不包括必要的退耦电容和其他所需的无源器件,有源器件和功率分路器的总面积相当于96mm2,而ADF4371仅49mm2。用户也可以根据需要为VCO选择3.3V电源,以节省功率。 图9. ADF4371框图。 在基波VCO模式下,ADF4371的频谱纯度达到最高,无用杂散(非带内)仅限于VCO谐波。对于许多转换器时钟应用,方波本身的特性不会造成问题,可能确实合乎需要,但对于仪器仪表应用来说,宽带杂散频率一般必须低于50dBc。可调谐波滤波器可帮助消除这些谐波,专门设计的ADMV8416/ADMV8432非常适合对ADF4371的输出进行滤波。 ADMV8432是一款可调谐带通滤波器,指定中心工作频率范围为16GHz至32Ghz,典型 3dB带宽为18%,典型插入损耗为9dB,宽带抑制大于30dB,专为配合ADF4371四倍频器输出使用而设计。ADMV8416也是一款可调谐带通滤波器,工作频率范围为7GHz至16GHz,典型 3dB带宽为16%,典型插入损耗为8dB,宽带抑制大于30dB,可配合ADF4371倍频器输出使用。 图10. ADF4371 20 GHz输出。 图11. 使用ADMV8432滤波器的ADF4371 20 GHz输出。 ADMV8416/ADMV8432均采用双重叠频段结构,带内部RF开关,可以实现更宽的频率覆盖范围,同时保持出色的抑制性能。频段选择通过对所需的电平转换器实施数字逻辑控制来实现。电平转 换器确保内部RF开关会进行相应的偏置,以获得高于+34dBm的最佳输入三阶交调截点(IIP3)。 在每个工作频段内,可调谐滤波器通过0V至15V的模拟控制电压进行控制,消耗的电流不到1µA。这种控制电压一般通过DAC和运算放大器驱动电路生成。例如AD5760DAC后接ADA4898运算放大器,可以为滤波器提供相对较快的调谐速度和低噪声驱动电压。如果调谐速度不太重要,则可以将DAC直接驱动至滤波器的调谐端口。 考虑到这些模拟调谐滤波器的性能指标,可以在牺牲少量输出功率的情况下,去除ADF4371频率合成器倍频器和四倍频器输出中的无用谐波成分。虽然为了解决插入损耗问题,可能需要额 外的放大级,但滤波器一般比分立式开关组解决方案要小,尤其在需要宽带可调谐性的情况下。此外,频率合成器的杂散电平在滤波前一般为–35dBc,滤波后可以达到–55dBc。未滤波且 未使用的输出的耦合可能会影响馈通,构建模型时应该非常小心,以实现滤波器IC的全阻带抑制。 结论 随着相关工艺、电路和封装技术的各种创新,频率生成技术不断发展,能够为用户提供比以前的分立式解决方案的体积更小、功能和性能更出色的解决方案。宽带频率工作趋势推动了新款IC的开发,即覆盖多个倍频率,频率范围高达32GHz。宽带PLL/VCO提供了很高的灵活性和简洁性,可以帮助最终用户大幅缩短设计时间和加快上市时间。 对频谱纯度的需求推动滤波IC不断创新,这些IC与新开发的频率合成器IC配合使用,可以提供现代无线应用所需的低相位噪声和高频谱纯度毫米波信号源。用户可以使用免费的仿真工具ADIsimPLL来评估和比较PLL性能,还可以使用简单易用、具有直观界面的快速行为模型帮助进行组件选型。这款工具为设计工程师节省了大量时间,使他们无需构建大量不同领域的数学模型来预测性能。 点击“阅读原文”,进入PLL专区发帖提问~ 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-09-21 关键词: 无线通信 ic

  • ADI高性能产品及智慧工业研讨会-太原站

    Analog Devices, Inc.(简称ADI)将创新、业绩和卓越作为企业的文化支柱,并基此成长为该技术领域最持久高速增长的企业之一。ADI公司是业界广泛认可的数据转换和信号处理技术全球领先的供应商,拥有遍布世界各地的60,000客户,涵盖了全部类型的电子设备制造商。作为领先业界40多年的高性能模拟集成电路(IC)制造商,ADI的产品广泛用于模拟信号和数字信号处理领域。公司总部设在美国马萨诸塞州诺伍德市,设计和制造基地遍布全球。ADI公司被纳入标准普尔500指数(S&P500 Index)。 研讨会议程 时间 主题 09:30-09:45 开场 09:45-10:45 工业自动化市场方案介绍 10:45-11:00 茶歇 11:00-12:00 ADI加速度计、陀螺及惯导方案介绍 12:00-13:30 自助午餐 13:30-14:30 ADI高性能模拟方案介绍 14:30-15:30 高性能电源方案介绍 15:30-15:40 茶歇 15:40-16:40 处理器及高可靠性无线方案介绍 16:40-17:00 结语及抽奖 电话预约报名 刘先锋:139 1032 8698 邮箱: pioneer.liu@excelpoint.com.cn ; 谢文兴:182 1003 9190 邮箱:  carl.xie@excelpoint.com.cn ; 诚邀阁下参加! 关于世健 亚太区领先的元器件授权代理商 世健(Excelpoint)是完整解决方案的供应商,为亚洲电子厂商包括原设备生产商(OEM)、原设计生产商(ODM)和电子制造服务提供商(EMS)提供优质的元器件、工程设计及供应链管理服务。 世健是新加坡主板上市公司,拥有超过30年历史。世健中国区总部设于香港,目前在中国拥有十多家分公司和办事处,遍及中国主要大中型城市。凭借专业的研发团队、顶尖的现场应用支持以及丰富的市场经验,世健在中国业内享有领先地位。 点击“阅读原文”,在线报名。 ↓↓↓ 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-09-18 关键词: adi 模拟信号 ic

  • 在国外,IC是否已是夕阳产业?

    每一个行业都有自己的生命周期。先放一个mbalib的对行业生命周期定义: 识别行业生命周期所处阶段的主要指标有:市场增长率、需求增长率、产品品种、竞争者数量、进入壁垒及退出壁垒、技术变革、用户购买行为等。下面分别介绍生命周期各阶段的特征。 1、幼稚期:这一时期的市场增长率较高,需求增长较快,技术变动较大,行业中的用户主要致力于开辟新用户、占领市场,但此时技术上有很大的不确定性,在产品、市场、服务等策略上有很大的余地,对行业特点、行业竞争状况、用户特点等方面的信息掌握不多,企业进入壁垒较低。 2、成长期:这一时期的市场增长率很高,需求高速增长,技术渐趋定型,行业特点、行业竞争状况及用户特点已比较明朗,企业进入壁垒提高,产品品种及竞争者数量增多。 3、成熟期:这一时期的市场增长率不高,需求增长率不高,技术上已经成熟,行业特点、行业竞争状况及用户特点非常清楚和稳定,买方市场形成,行业盈利能力下降,新产品和产品的新用途开发更为困难,行业进入壁垒很高。 4、衰退期:这一时期的市场增长率下降,需求下降,产品品种及竞争者数目减少。从衰退的原因来看,可能有四种类型的衰退,它们分别是: (1)资源型衰退,即由于生产所依赖的资源的枯竭所导致的衰退。 (2)效率型衰退,即由于效率低下的比较劣势而引起的行业衰退。 (3)收入低弹性衰退。即因需求--收入弹性较低而衰退的行业。 (4)聚集过度性衰退。即因经济过度聚集的弊端所引起的行业衰退。 我觉得单纯说IC是夕阳还是朝阳都不准确,用行业生命周期看IC最符合的是成熟期。我们来分析以下事实: 1. 从晶体管发明到现在已经70多年了,估计和很多人的爷爷差不多大了,相比90年诞生的互联网行业,才不到30年,妥妥的年轻人。 2. 行业增长速度放缓。具体数据记不得了,半导体产业差不多复合年增长率10%左右。相比,拼多多2018年的增长是386%,抖音和短视频2018年增长是175%。谁在长身体的年纪这还看不出? 3. 行业巨头兼并加剧。上面这图是过去几十年博通的合并历史。这就是IC行业的大趋势,巨头不断兼并,新玩家非常少。上世纪90年代,CPU的玩家有十几家,包括很多大家耳熟能详的日本公司,而现在桌面CPU只有英特尔和AMD,手机CPU只有高通苹果华为三星。 4. 行业壁垒越来越高 如今,芯片技术已经发展了几十年,复杂程度不可同日而语。芯片行业的投资非常大,英特尔建一个新厂花了400亿,研发周期极长。投资回报率低。投资风险大。在美国已经很少有风投会选择投资芯片行业了。 5. 但!需求持续增长 IC和其他钢铁土木等传统行业很大的一个不同点在于市场对更快更好更低能耗的需求一直很强。因为无论互联网和计算机行业如何发展,根基依然上IC和半导体。AI爆发后,人类对算力的渴望从来没有如此强烈,因为大家发现原来我们很多事做不到只是因为我们算的还不够快而已! 6. IC虽然成熟,但依然有很多潜在的爆发点 摩尔定律虽然渐渐失效了,但这只是说明依靠器件小型化这条路不好走了而已,而其他方向如体系结构,依然有很多方向发展,如寒武纪的AI加速芯片,突破传统体系,走出了一条新道路。还有一个爆发点就是量子计算,虽然量子计算具体的时间表还无法确定,但一旦实现将是又一场革命,就如曾经晶体管革命掉电子管一样。 而这些革命什么时候到来,我们并不知道。大多数人的人生,不过是在等待天才的诞生罢了。而天才诞生之前,一切都平淡无奇,乏善可陈。 网友:流光射寒星 先说结论:假的,无稽之谈,只要所有的电子设备还在用芯片,IC产业就还不能打入夕阳。 IC行业很庞大,半导体设计制造封测代工不知道楼主指的是哪一条,IC行业的公司一般分为全流程的(IDM),著名公司如德州仪器,英特尔,三星,意法半导体,只做设计自己没有晶圆厂的(Fabless),比如英伟达,AMD,只负责制造的(Foundry),比如台积电。整个IC行业从上世纪60年代开始,依靠摩尔定律作为指导纲领,飞速发展了四十多年,期间带来的丰厚利润有多大,楼主看看台湾日本韩国的过去几十年的经济增长就知道了。但是随着行业发展,整个产业正在逐渐细化,全面的IDM公司逐渐不如Fabless和Foundry发展快速,而随着工艺的进步,迭代升级所带来的高额成本是很多小厂商所承受不起的,进而引发了一系列的吞并收购,让在这个舞台表演的公司越来越少,现在的形势基本上是IDM存活的都是巨头公司,Foundry也是群雄割据,Fabless里倒是有许多专门做IP设计的小公司还可以继续搞专精。不过由于台积电这个神奇的存在,感觉IC行业被分割成了区别很大的几个领域。Fabless和Foundry玩的根本不是一个游戏。 从全球发展来看,欧洲的半导体产业经过多年整合基本上就剩下以为意法半导体和英飞凌为首的几家大型IDM还比较坚挺,东亚受到产业转移影响而出现了许多很强的Foundry,北美的话顶级Fabless和IDM都不少,可以说是分工明确,有些产业有集中垄断的趋势,整个产业已经成熟化,由于摩尔定律逐渐走向原子极限,除非产生SiC芯片或者量子芯片这种超级创新,不然格局很难改变。 从目前的形势来看,由于IC行业本身的高科技属性,基本上属于外人想进入这个行业必须先付出巨大的成本,对于贪婪投机的资本家们基本上很不友好,但是在行业内部属于行业里的人喝汤吃肉都还吃的很饱。而对于天朝而言,受到毛衣战影响,注定了天朝必须付出巨大的成本来建立属于自己的产业链,此外,由于5G,物联网和AI的兴起,行业需求仍然在持续增长,很多年内这个行业仍在会有很多机遇。 近年来互联网发展迅速之后各种其他行业的夕阳产业论层出不穷,很多人基本都是信口开河,像楼主这样的年轻人必须仔细分辨,如果真心热爱微电子的话就按照自己的想法继续走下去,不需要理会那些不懂装懂的外行人。 网友:贾贾贾 在国外,搞微电子,我感觉确实是夕阳行业。 在过去,微电子或者芯片的科研方向,一直是更小的纳米制程,更低的功耗,更好的制造工艺,这一切都是在摩尔定律的指导下完成的。然而如今芯片已经发展到了7nm,更小的纳米制程导致隧道效应越来越严重。如今机遇硅的芯片,摩尔定律如今已经失效。所以你会看到一个很奇怪的现象,搞微电子的,绝大部分都在搞新材料的研究,不说对错,只是走这个方向有一点点枯燥,个人觉得。 在企业中,世界巨头的企业,一般都是制定芯片架构,比如ARM,这部分也已经非常成熟,并且小企业无法进入。剩下的小企业,要么利用现成的架构和制造工艺,要么开发一些特殊功能的ASIC,也是成本大时间久盈利低。 不过在国外读微电子博士,一般都是有流片机会的,这是非常难得的,一些高端的企业招聘,一个非常重要的要求就是有流片经历。读微电子,先要想清方向,是搞工艺,搞材料还是搞设计,如果搞设计是搞前端还是后端,然后再选学校或者导师吧。国内对高端的微电子人才还是非常需要的目前~不过也别期待有很高的工资 网友:jircheis 是 先看看06年moto,西门子各自甩卖自己的半导体业务,再看看18年半导体的并购。12年前近300亿美金价格,12年后100亿出头。 真以为就中国人聪明?人家老外10年前就判断了这个行业的辛苦,就跑了。 ~~~分割 先说个个人看法,夕阳产业也可以是长尾。 朝阳行业一定是大量初创公司产生存活发展,大公司对小公司的购并实现扩展。 而夕阳产业一定是利润向寡头聚焦,向资本聚焦。 IC行业不符合吗? 网友:取个名 集成电路工程师偶然看到你这个问题,首先给你订个性,IC产业永远不可能是夕阳产业,最多出现进去到这个行业的人越来越多,从业者竞争压力越来越大。举几个例子,制造领域,高端光刻机为什么对中国禁运?设计领域。 1.桌面CPU从8086发展到现在?为什么还一直在迭代,制程更加先进,功耗更低,频率越快。 2.NAND FLASH从最早的SLC到MLC到TLC到目前最新的QLC,技术一直被国外垄断,国内为什么要大力发展存储,参考长江存储。 3.中兴事件,为什么停止供应芯片,可以让一个企业差点GG。这么说吧,IC产业只会越来越先进,不会倒退,更不会消失,IC产业永远是科技行业中最先进的一门科技。别看什么黑洞,天体物理高大上,没有IC,所有GG,只能剩下一堆理论知识。以后的IC产业,会继续向着制程越来越先进,功耗越低,面积越小,速度越快发展。当硅晶圆达到极限过后,找到一种新的物质来代替硅晶圆。这不过是IC产业的一次变革而已。 网友:成啸诚 很难一概而论的说 IC 是否衰退,需要依托于具体的应用行业领域而言。 就目前而言还没有什么明确的技术趋势能够替代目前的集成电路芯片的位置,所以 IC 行业的整体夕阳还谈不上吧。 如果某个应用行业本身已经被颠覆,或者说已经夕阳了,那么这个领域的 IC 业务自然也是夕阳行业。 而目前从业者们能看到的计算性能空间依旧非常大,机器学习的训练和推理,机器人等领域都有非常大的空间。在这些领域会有非常多的芯片需求产生,新的芯片需求又会推动 IC 行业本身的进步。 大致就是这么个道理吧。 来源:是说芯语 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-09-17 关键词: 半导体 ic

  • 跨过汽车IC可靠性的方法

    跨过汽车IC可靠性的方法 2010年预计中国汽车电子产品的市场规模将达2000亿元,而2011更是期望能达到3000亿元。而随着新能源汽车在中国的兴起,车用IC产品在汽车中的成本比例将由普通汽车的13.2%上升到47%,巨大的商机摆在面前,欧美日韩等国的IC厂商早就将之作为未来十年最大的一个金矿,中国IC公司如果还不积极准备,那将会成为中国近代工业史上又一出悲剧。 MCU和电源IC是汽车半导体中占比例最大的两类产品,MCU占到成本比例的1/4,电源IC在其中的比例接近20%位居第二,而在新一代的电动汽车中,比例更高,这两个市场是中国IC厂商必须进入的市场,也是他们最有可能进入的两大市场。然而,目前中国IC在其中的份额几乎可以忽略不计,那么门槛在哪里? 汽车IC的门槛 在日前厦门举办的2009’海西国际集成电路设计产业高峰论坛上,厦门金龙联合汽车工业有限公司技术中心副主任陈晓冰博士指出新一代混合动汽车和电动汽车将会催生许多新兴的半导体应用需求,包括多路电池管理芯片(通常需要上百路的电池单体检测管理)、多路电池电压均衡控制、高电压监控、大电池检测、大型功率半导体器件以及众多高性能的MCU与DSP,因为需要来对复杂的电池进行计量管理。这里的商机看似无限。 然而,汽车IC的进入门槛却相当高,陈晓冰指出了汽车电子对芯片的几个重要要求:第一个门槛就是温度范围;第二是高可靠性;第三是要有高处理能力;第四是MCU要有丰富的外围接口和高集成度;第五是汽车电子需要性能强悍的专有芯片。“比如很多公司推出了高性能的车用电源管理芯片,可有效降低汽车电瓶的负载,提供超强的失效保护性能:包括过压与欠压、过流与短路保护、过高温与过低温保护等。对我们的帮助非常大,虽然价格贵一些,但是可以大大减轻我们的研发工作量,并缩短时间,我们喜欢采用。”陈晓冰表示。 在五大门槛中,最重要和最难迈过去的即是可靠性。陈晓冰表示:“作为汽车厂商,我们都希望汽车IC能达到零缺陷。” 国际汽车协会针对车用电子组件产品的操作温度,从Grade0的-40℃至+150℃到Grade4的0℃至+70℃,共有五种等级。这一产品验证规格针对车用IC功能及其所在位置的不同,提供了相当完整的定义,而这些详尽的产品验证规格对车用电子产品测试有很大的帮助。 “但是在可靠性方面,在IC工艺验证规格上,国际汽车电子协会仅着重于晶圆制造可靠性测试的项目定义,并未清楚规范压力条件及任何具体的数据化标准,而且相关的数据、测试及验算方法也都不须主动提供。这给设计与制造合格的车用IC带来了巨大难度。”台积电车用电子专案处长郑国栋指出。 因此,可靠性成为横亘在中国IC厂商面前的一座大山。郑国栋解释:“一般来说,在典型的晶圆生产与全部测试流程完成后,缺陷值为200-500ppm;而当进一步完成对逻辑IC的扫描和功能测试、对嵌入式RAM的嵌入式自测试,以及速度测试、超压测试、超温测试、动态电压强度测试、低压测试等程序后,我们可以期望缺陷值下降到20-50ppm。”他接着表示,“但是,这仍不能满足汽车IC的零缺陷需求。如何能达到零缺陷呢?”郑国栋问道? 台积电“车用电子套装服务”助中国IC实现零缺陷 郑国栋表示,TSMC所开发的「车用电子套装服务」,在前面测试的基础上增加了零件平均测试(PAT)、统计良率界限(SYL)、统计测试结果界限(SBL)测试,以及更严格的控制程序、KLA和WAT测试,可以将缺陷值降至接近“零”的水平。他举例道:比如台积电采用0.25um工艺生产的车用嵌入式闪存,出货已达540K晶圆片,缺陷率仅为0.07ppm;而采用0.18um生产的车用嵌入式闪存,出货已超过20K晶圆片,缺陷值仅为0.05ppm。嵌入式闪存是车用MCU中重要模块。“该车用电子套装服务包含更严密的工艺管制、组件层级的筛选界限、芯片良率测试报废准则、更多的统计工艺控管以及特选的制造工具,将这些措施搭配客户的测试覆盖率及测试方法,更能减少实际行车的故障率。”他解释,“之前客户是拿到芯片后才能进行测试,而TSMC所提出的工艺验证规格则是从源头就帮客户把关,明确定义且数据化各项芯片的验证规格,更能确保客户的电子组件寿命大幅超越车辆的使用年限。因而,这套服务也受到我们客户的客户的欢迎。” 「车用电子套装服务」是2008年台积电在国际汽车电子协会的年会上提出全球第一套更具体的车用电子工艺验证规格,而且已被许多国际汽车电子半导体公司所广泛接受与应用。 面对中国巨大的汽车电子市场前景,电积电将会通过车用电子套装服务来帮助中国广大的IC厂商获得进入汽车电子市场的门票,他也希望籍这一巨大的市场提升台积电上海松江工厂的产量。“TSMC在上海的晶圆十厂及在全球所有的晶圆厂都已成功建置车用电子套装服务,我们在上海晶圆十厂投注各种努力,正是我们承诺支持大陆汽车工业现在及未来成长的确切行动。”台积电中国有限公司总经理陈家湘表示。据悉,台积电松江厂目前的厂量为2.8万片/月,明年将会提升至4万片/月。“目前中国IC在我们产量的比例为20%多,明年很有可能提升到50%以上。”陈家湘透露。台积电的深圳办事处也将扩大,为明年成功扩厂和增加本地IC比例作好准备。

    时间:2020-09-10 关键词: ic

  • 音频数据传输的常见IC间数字接口介绍

    音频数据传输的常见IC间数字接口介绍

      随着音频集成电路转向更精细的工艺尺度,要在相同一片高密度数字电路硅片上设计出高性能的模拟电路变得更为困难,集成的性价比减小。因此,音频系统架构师正在将音频信号链中的模拟部分进一步推至输出和输入端,而相互间以数码方式连接起来。   如图1所示,传统的音频信号链中有麦克风、前置放大器、模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)、输出放大器,以及扬声器,它们之间使用模拟信号连接。但是,由于模拟电路被推到了信号链的边缘,信号链中各集成电路间将出现更多数字接口。DSP通常是数字连接,换能器、放大器一般而言只有模拟接口,但现在也正在包含数字接口的功能。   目前,集成电路设计人员正在将换能器内的ADC、DAC和调制器集成到信号链的另一端,这样就不必在印刷电路板(PCB)上布放任何模拟音频信号,并且减少了信号链中的器件数量。图2给出了一个完整数字音频信号链的例子。   数字音频数据传输现在有许多标准。很多格式都可以用于在同一块PCB上实现IC间的通信,如I2S(IC间音频)、TDM(时分复用)和PDM(脉冲分时复用)等格式。其它音频格式则主要面向不同印刷电路板之间通过电缆的数据连接,如S/PDIF和以太AVB。   本文的重点是IC之间数字音频格式的区别与优缺点。如选择了数字接口不匹配的音频组件,则会不必要地使系统设计变得更加复杂。了解不同接口的优缺点后再选择部件,有助于提高组件选择效率和保证信号链的最高效实现。   IC之间音频(12S)是用于集成电路之间音频数据传输的最常见数字音频格式。飞利浦半导体(即现在的恩智浦半导体)于1986年推出了12S标准。1996年对该格式进行了修订。该接口首次广泛应用于CD播放器的设计,现在几乎在涉及集成电路间数字音频数据转换的任何应用上都可以看到该接口。多数音频ADC、DAC、DSP,与采样速率转换器,以及一些微控制器都带有I2S接口。   一个I2S总线会使用三根信号线做数据传输:帧时钟,位时钟,以及数据线。接收IC、发送IC,甚至一个单独的时钟主控IC都可以生成两个时钟,这取决于系统架构(图3)。带有I2S端口的集成电路通常可以设置为主模式或从模式。除非设计的信号链中使用了采样率转换器,否则系统通常会有单一的I2S主设备,以避免出现数据同步问题。      对于这些信号,飞利浦标准中将字选择命名为WS,时钟命名为SCK,数据命名为SD,然而电路制造商似乎很少在自己的IC数据表中使用这些名称。字选择另称为LRCLK,表示“左/右时钟”,而SCK则另称为BCLK,指位时钟,或叫SCLK,即串行时钟。   IC串行数据管脚的名称因不同的电路供应商而不同,甚至同一个供应商各产品间的命名也不同。据音频IC数据表的一份快速调查显示,SD信号也可以称为SDATA、SDIN、SDOUT、DACDAT、ADCDAT,或这些名称的其他变体,取决于数据管脚是输入还是输出。   I2S数据流能够以一个典型位时钟速率,携带一个或两个通道的数据,典型的位时钟率在512 kHz(对应8 kHz采样速率)与12.288 MHz(为192 kHz采样速率)之间。数据字的长度通常是16、24,或32位。对于小于32位的数据字长,帧长度一般还是64位,没有用到的位由发送IC驱动至低电平。   有些IC仅支持每个立体声音频帧最大32位或48位时钟的接口I2S,虽然很少见。如果使用这类IC,系统设计人员就必须确保其连接另一端的设备也支持这些位时钟率。      图2 IC设计人员正在换能器中的ADC、DAC和调制器集成到信号链的另一端,从而无需在PCB板上布放模拟音频信号,并减少了信号链上的器件数量。图中是一个完整数字音频信号链的例子。         尽管I2S是最常使用的格式,但也有其它相同三线结构的变体,如左对齐、右对齐和PCM模式。这些格式与I2S的区别在于帧中数据字的位置、时钟的极性,或每个帧中位时钟周期的数量。

    时间:2020-09-07 关键词: 音频 数字接口 ic

  • ICInsights:未来5年医疗电子或成IC产业转型动力?

     12月10日消息,对于诺基亚西门子通信公司(以下简称诺西)日前宣布出售其光纤网络业务部门,经咨询,此事涉及中国部分员工,即位于上海的诺西一家光纤设备工厂的百余员工将转入新公司。   此前,诺西宣布,将把光纤网络业务部门出售给美国投资公司Marlin Equity Partners,涉及全球1100名员工,员工在德国、西班牙和中国。据悉,涉及中国的部分应该是诺西在上海的微波传输设备工厂,有100余名员工。   光纤网络实际上是属于固网设备,之前,诺西还不断发布在光纤上的研发成功的消息,例如今年7月,该公司宣布基于实核多模光纤和空间复用技术实现57.6Tbps的传输新记录,是以前的记录9.6Tbps的6倍。诺西当时表示,这一传输速率标志着单根光纤可以传输地球上全部人口同时打电话需要的的通信容量的2倍。   而去年,诺西还宣布要为中国联通部署一条长5000公里、每条信道的传输速度达40GB/秒的密集波分复用(DWDM)光纤网络。该网络跨重庆、湖北、安徽、江苏、福建、广东和浙江七个省份和直辖市,为将来升级至100Gbps铺平道路。   而未料到,其于今年将光纤网络业务部门出售,这些研发成果和合同订单将与诺西无关。

    时间:2020-09-07 关键词: 医疗电子 ic产业 医疗保健 医疗市场 ic

  • 医疗常用灭菌方法及其适用性对比和分析

      得益于半导体和封装工艺的进步,现在的集成电路(IC)被广泛应用于各种设备,包括医疗器械。医疗应用领域的一项特殊挑战是需要保持产品无菌—— 不含有害污染,例如真菌、细菌、病毒及孢子类。尽管有大量关于灭菌法及设备的文献,但是很少涉及灭菌法对电子器件的影响。本应用笔记对常见的灭菌法进行了比较,并讨论了其对含有电子器件的对象的适用性。   1 物理法   有多种物理灭菌法,其中最有效的是将热、湿和压力组合在一个称为高压蒸汽灭菌器的装置中。   高压蒸汽灭菌器灭菌法   医疗设备的热灭菌法早在古罗马已经得到应用。蒸汽的存在明显加速了热量渗透(蒸汽灭菌)。发明于1879年的高压蒸汽灭菌器融合了热、湿和高压。   工作原理:高压蒸汽灭菌器是类似于高压锅的容器。将待灭菌的对象置于其中,然后密封。接着,在高压下充入高温蒸汽,从而替代空气。湿热通过酶类和结构蛋白的不可逆凝固和变性杀死微生物。实现这一目的的时间和温度取决于压力及被灭杀的微生物类型。经过必要的时间之后,释放蒸汽,取出被灭菌的对象。整个周期持续 15至60分钟(批量处理)。   问题:高压蒸汽灭菌器灭菌适合于能承受湿气、高压(高于环境1至3.5个大气压)及高温(+121℃至+148℃)的对象。典型例子有外科器械。半导体器件通常可承受最高+125℃的温度。然而,嵌入式电池处于高温下会大大缩短寿命。采用浮栅技术的存储器件,例如EEPROM,对高温很敏感。然而,如果规定数据保持能力在+125℃下为10年,就不应该破坏数据完整性。否则,就可能意外刷新(重写)存储器数据,在浮栅上恢复满电荷。这适用于激光微调 EEPROM。由于产品数据资料中往往不给出微调类型,所以就有必要联系厂商获取详细信息。   2 化学法   有很多化学法可用于医疗领域的灭菌。本节讨论常见的几种方法。化学法和物理法可组合应用。   2.1 环氧乙烷(ETO)灭菌   环氧乙烷(ETO)首次报告于1859年,早在20世纪初期就在工业领域占有重要地位。用于保存香料的ETO灭菌法在1938获得专利。由于几乎没有替代方案可用于对热和湿气敏感的医疗装置进行灭菌,所以ETO的用途得到了不断发展。   工作原理:ETO灭菌器是一种可容纳待灭菌对象的容器。基本的ETO灭菌周期包括5个步骤(蒸汽抽空、气体注入、扩散、抽空,及空气冲洗),需要大约2 1/2个小时,不包括通风时间(排尽ETO)。机械通风在+50至+60℃下需要8至12个小时;也可以被动通风,但可能需要7天。完成通风后,取出被灭菌对象(批处理)。ETO与氨基酸、蛋白质及DNA发生化学反应,阻止微生物繁殖。   问题:ETO灭菌适合于不能承受蒸汽(高压蒸汽灭菌器)灭菌所必需的高温和蒸汽的对象。由于温度条件为+30°至+60℃,所以ETO灭菌非常适合于含有嵌入式电子的医疗器械。然而,嵌入式电池可能不能接受真空。此外,该方法有个不利因素:ETO是一种高易燃、石油基气体和致癌物。   2.2 二氧化氯(CD)气体灭菌   二氧化氯(CD)发现于1811年或1814年(这两年均有列出),作为造纸行业的漂白剂得到广泛应用。1988年,EPA将其登记为一种杀菌剂。这为医疗领域的应用打开了大门。   工作原理:CD灭菌器是一种可容纳待灭菌对象的容器。基本的CD灭菌周期包括5个步骤(潮湿预处理、调理、产生和供应二氧化氯气体、扩散,及通风),需要大约2 1/2个小时,包括通风时间(排尽CD)。完成通风后,取出被灭菌对象(批处理)。二氧化氯(ClO2)作为氧化剂与几种细胞成分发生反应,包括微生物的细胞膜。CD通过从对象中“盗窃”电子(氧化),断开其分子键,使有机物细胞破裂而死亡。由于CD改变微生物结构中的蛋白质,酶功能被破坏,导致细菌快速死亡。CD的威力归因于对许多蛋白质同时进行氧化侵蚀,因此能防止细胞突变为抗型。此外,由于二氧化氯的低活性,其制菌作用在存在有机物的情况下能保持较长时间。   问题:CD灭菌适合于不能承受蒸汽(高压蒸汽灭菌器)灭菌所必需的高温和蒸汽的对象。由于温度条件为+15°至+40℃,所以CD灭菌非常适合于含有嵌入式电子的医疗器械。CD气体在该方法使用的浓聚物中为非易燃性,也非致癌物。它不需要高浓度即可达到杀死孢子的效果。   2.3 过氧化氢灭菌   过氧化氢于1818年首次被隔离出来。它在制药行业具有很长的使用历史,是环氧乙烷(ETO)的常见替代品。过氧化氢有两种使用方法:a)汽化过氧化氢灭菌和b)过氧化氢离子灭菌。   2.3.1 汽化过氧化氢(VHP)灭菌   工作原理:首先将待灭菌的对象置于VHP灭菌器中。基本的VHP灭菌周期包括3个步骤(包括真空发生的调理、H2O2注入和通风),需要大约1 1/2个小时,包括通风时间(排尽H2O2)。完成通风后,取出被灭菌对象(批处理)。HPV的准确作用机理尚待完全理解,并且可能依微生物的不同而有所不同。H2O2通过生成活性氧粒子,例如羟基,从而发生氧化应激,攻击多个目标,包括核酸、酶类、细胞壁蛋白质及脂类。   问题:VHP灭菌适合于不能承受蒸汽(高压蒸汽灭菌器)灭菌的高温环境和蒸汽处理的对象。由于温度条件为+25°至+50℃,所以VHP灭菌非常适合于含有嵌入式电子的医疗器械。然而,嵌入式电池可能不能接受真空。VHP的渗透能力不如ETO,并且美国FDA尚未批准将该方法用于卫生保健机构的医疗器械灭菌。   2.3.2 过氧化氢离子灭菌   工作原理:该方法是化学与物理法的组合。首先将待灭菌的对象置于过氧化氢离子灭菌器中。基本的过氧化氢离子灭菌周期包括4个步骤(生成真空、H2O2注入、扩散和离子放电),需要大约1至3个小时。无需通风。周期完成后,取出被灭菌对象(批处理)。过氧化氢离子灭菌主要利用过氧化氢气体及在周期的离子阶段产生游离基(羟和过氧游离基)组合作用来杀灭微生物。   问题:过氧化氢离子灭菌适合不能承受蒸汽(高压蒸汽灭菌器)灭菌的高温环境和蒸汽处理的对象。所需的真空没有VHP灭菌深。尽管+40℃至+ 65℃的过程温度很合适,但离子放电阶段的13.56MHz射频能量达到200W至400W范围,会对嵌入式电子造成影响。过氧化氢离子灭菌不应用于含有半导体的对象。

    时间:2020-09-07 关键词: 医疗器械 医疗设备 电子器件 ic

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