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  • 下一代IC封装技术中的常见技术

    下一代IC封装技术中的常见技术

    先进的集成电路封装正在迅速发展,其技术是“超越摩尔定律”上突出的技术亮点。在每个节点上,芯片微缩将变得越来越困难,越来越昂贵,工程师们想到将多个芯片放入先进的封装中,以其作为芯片缩放的替代方案。 首先,让我们了解高级IC封装中不断出现的基本术语。以下是在下一代IC封装技术中使用的10个最常见的术语的简要概述: 1、2.5 D封装 在2.5D的封装中,模具被堆放或并排放置在一个隔片的顶部,基于硅通孔(TSV)。基座是一个交互器,提供芯片之间的连接。作为传统2D IC封装技术的一个增量步骤,2.5D封装使更细的线条和空间成为可能。 2.5D封装通常用于ASIC、FPGA、GPU和内存立方体。2008年,Xilinx将其大型FPGA划分为4个更小、产量更高的芯片,并将这些芯片连接到一个硅接口上。2.5D封装就此诞生,并最终在高带宽内存(HBM)处理器集成中流行起来。 2、3D堆叠封装 在3D IC封装中,逻辑模块堆叠在内存模块上,而不是创建一个大型的系统片上(SoC),并且模块通过一个主动交互器连接。与2.5D封装通过导电凸起或TSV将组件堆叠在交互器上不同,3D封装采用多层硅晶片与使用TSV的组件一起嵌入。 TSV是2.5D和3D集成电路封装技术中的关键实现技术。半导体行业一直在使用HBM技术将DRAM封装在3D IC中。 Cu TSV在Si芯片间垂直互连的使用 Intel的Lakefield的FOVEROS是3D封装典型例子,他们把硅片有逻辑的叠加在一起,也兼容常见的PoP封装内存,此外还有Co-EMIB,彻底混合EMIB和FOVEROS。 3、Chiplet Chiplet是另一种3D IC封装形式,可使CMOS设备与非CMOS设备实现异构集成。换句话说,它们是更小的SoC,中文的意思就是小芯片。这是将复杂功能进行分解,然后开发出多种具有单一特定功能,可相互进行模块化组装的“小芯片”,如实现数据存储、计算、信号处理、数据流管理等功能,并最终以此为基础,建立一个“小芯片”的芯片网络。 这分解芯片的想法可以提高产量和比单片模具更低的成本。Chiplets允许设计者利用各种各样的IP而不必考虑它们是在哪个节点或技术上制造;它们可以在硅、玻璃和层压板等多种材料上建造。 4、Fan-Out扇出封装 Fan-Out封装是使用环氧模具复合材料完全嵌入模具,这样就省去了晶片碰撞、熔炼、倒装芯片组装、清洗、下填分配和固化等工艺流程。扇出封装的连接在芯片表面呈扇形展开,以方便更多的外部I/O。这反过来又消除了对交互器的需求,并简化了异构集成的实现。 Fan-Out技术提供了一个比其他封装类型具有更多I/O的小尺寸封装。2016年,iPhone7上的16nm A10处理器和天线开关模组使用了扇出晶圆级封装(Fan-out Wafer Level Packaging,简称FoWLP)技术,取代了传统PCB,从而一举成为科技明星。而A10的制造商台积电是FoWLP技术的领先者。在台积电内部,他们把FoWLP称作InFoWLP,其中In代表integrated,也就是集成的意思。 5、扇出型晶圆级封装(FOWLP) 扇出型晶圆级封装是一大改进,为晶圆模提供了更多的外部接触空间。将芯片嵌入环氧模塑料内,然后在晶片表面制造高密度重分布层(RDL)和焊料球,形成重组晶片。 通常,它首先将前端处理的晶圆片分割成单个晶圆片,然后将晶圆片在载体结构上分隔开,填充间隙以形成再生晶圆片。FOWLP在封装和应用板之间提供了大量的连接。此外,基板本质上比模具大,所以模具间距更宽松。 硅胶倒装芯片嵌入到玻璃衬底中,然后RDL在芯片上扇动,形成一个贯穿玻璃的通道 6、异构集成 将单独制造的组件集成到更高级别的组装中的方式,使得功能和操作特性都会得到提升。它使半导体器件制造商能够将来自不同制造工艺流程的功能部件组合成一个单一的复合器件。 为何要用异构集成? 1.研发成本越来越高 芯片行业是典型的人才密集和资金密集型高风险产业,如果没有大量用户摊薄费用,芯片成本将直线上升。华为曾向媒体透露7nm的麒麟980研发费用远超业界预估的5亿美元,紫光展锐的一名工作人员则对记者表示,5G Modem研发费用在上亿美元,光流片就相当费钱,还有团队的持续投入,累计参与项目的工程师有上千人。 2. 设计成本也不断上涨,每一代至少增加30~50%的设计成本 业界人士指出:此前迭代无需考虑新工艺问题,只需了解65nm比90nm小多少,可以直接把90nm上的设计拿到65nm工艺上,重新设计一下马上就能做,整个过程一年半载即可完成。但现在7nm和16nm有很多不一样的地方,不能把16nm的设计直接放到7nm上,从架构到设计到后端都要做很多改变。 异构集成类似于封装内系统集成(SiP);主要指将多个单独制造的部件封装到一个芯片上,而不是在单个衬底上集成多个基片。这增强了功能性,可以对采用不同工艺、不同功能、不同制造商制造的组件进行封装。通过这一技术,工程师可以像搭积木一样,在芯片库里将不同工艺的小芯片组装在一起。异构集成背后的总体思想是将在系统级别上变化的多个组件组合到同一个封装中。 不过,异构集成在延续摩尔定律的同时也面临可靠性、散热、测试难度等多方面的挑战。 7、高带宽存储器(HBM) 如今,GDDR5经过这么多年的发展已然来到了一个瓶颈,光靠频率提升来提供更大的显存位宽已经没有太大空间,而这势必会反过来影响到GPU的性能发挥。相对于传统的GDDR5显存来说,HBM无疑是更加先进。 HBM是一种标准化的堆叠内存技术,它为堆栈内以及内存和逻辑之间的数据提供了宽通道。基于HBM的封装将内存堆在一起,并使用TSV将它们连接起来,这样创建了更多的I/O和带宽。 HBM也是一种JEDEC标准,它垂直集成了多个层次的DRAM组件,这些组件与应用程序处理器、GPU和SoC一起在封装中。HBM主要在高端服务器和网络芯片的2.5D封装中实现;它现在已经发展到HBM2技术,新一代技术解决了原始HBM版本中的容量和时钟速率限制问题。 这是一张AMD演示的内存架构图,我们可以清楚的看到HBM实际结构,尤其是四层DRAM叠在最底层die之上,虽然AMD一直也没有给出HBM本体的具体制作过程,但是不难想象4层绝不是HBM未来发展的极限,而随着层数的增加,位宽势必还会迎来进一步的递增。 8、中介层 中介层用于多芯片模具或板子的封装,相当于一个导管,在一个封装里通过电子信号实现传导。通过中介层可以完成很多运算和数据交流,相当于连接多个芯片和同一电路板之间的桥梁。使系统更小,更省电,更大带宽。它可以将信号传播到更宽的中心间距,也可以将信号连接到主板上的不同沟槽上。 中介层可由硅和有机材料制成,作为多个模具、模具和基板之间的桥梁。Silicon interposer是一种成熟的技术,由于其较高的I/O密度和TSV形成能力,它在2.5D和3D IC芯片封装中发挥着关键作用。 9、再分配层(RDL) 再分配层是铜金属连接线或封装中电连接的一部分。再分配层是由金属或聚合物介质材料层创建,用于将模具堆叠在封装上,以及提供通过interposer连接的芯片之间的通信,从而减轻大型芯片组的I/O间距。它们已经成为2.5D和3D封装解决方案中不可或缺的环节。 10、硅通孔(TSV) TSV是2.5D和3D封装解决方案中的关键实现技术,它提供了通过模具硅片的垂直互连。它在里面填充了铜。TSV是一种通过整个芯片厚度的电子连接,它可以创建从芯片一侧到另一侧的最短路径。 这些孔洞从晶圆片的正面蚀刻到一定深度,然后通过沉积导电材料(通常是铜)将它们隔离并填充。芯片制作完成后,晶圆从背面开始变薄,露出晶圆背面的孔和金属,以完成TSV互连。

    时间:2020-10-19 关键词: 先进封装 ic芯片 集成电路

  • LED显示屏驱动IC芯片进入国产化时代

    LED显示屏驱动IC芯片进入国产化时代

    在8月7日的中国信息化百人会2020峰会上,华为消费者业务CEO余承东表示,由于美国方面的第二轮制裁,华为手机芯片供应困难,但华为将坚持自研,在半导体方面和终端器件方面加大投入。而余承东此前坦承,美国新一轮打压对准的是华为并未投资的芯片制造业,由此,华为手机麒麟芯片自9月15日之后不能再继续生产,在台积电因禁令无法为华为代工之后,华为现在急需为自己的旗舰手机找到新的芯片供应。 美国连番制裁,华为麒麟芯片被迫停产 为有望加速实现国产替代,摆脱对外部产品的依赖,也为巩固华为的市场地位,华为余承东签发了一份名为《关于终端芯片业务部成立显示驱动产品领域的通知》的文件,内容显示华为要成立部门做屏幕驱动芯片,进军屏幕行业。 通知指出,虽然中国目前成为了屏幕生产、出口大国,但屏幕驱动芯片,却主要靠进口。LED 显示屏专用驱动芯片是指按照 LED 发光特性而设计专门用于 LED 显示屏的驱动芯片,是一个关键的零部件,它就像人脑的中枢神经,掌管着全身的肢体行动以及大脑思维意识的运转。 公开资料显示,LCD驱动芯片领域,韩国、日本以及中国香港和中国台湾成为主导者,在AMOLED驱动芯片领域,三星、Magna Chip、Silicon Works这三家韩系供应商在全球市场上都占据着主导地位,2019年京东方采购屏幕驱动芯片金额超过60亿元,其中国产芯片占比不到5%。 由此可以看出我国LED显示屏的驱动IC严重国产率严重不足,依靠外来芯片非常严重,上游供应被人握住了咽喉。在美国加紧对我国企业337调查的进程之际,在严加控制芯片以及技术的出口,对于LED显示屏企业来说,成本迅速上涨不说,还有可能导致芯片供应的紧缺。 因此加速LED显示驱动芯片国产化十分必要,而作为我国科技大企华为的进入,为行业起到带领规范作用,也带给我国芯片制造企业积极的信号。 封装端个别产品紧缺 ED显示驱动IC芯片国产化迫在眉睫 这厢华为受到的制裁还没有结束,我国LED显示屏封装端又传出个别型号灯珠比较紧缺的传闻,之前受疫情影响压抑的部分市场需求突然释放,封装的产能提速会有个时间,会有短期性的紧张。某封装企业相关人士透露,由于贵金属价格上涨产生的成本压力,供应商也在反馈经营压力,这种成本压力有向下传导的趋势,疫情原因封装厂的开工不足,这也导致了部分灯珠的供货需要交期,而目前市场上租赁屏用的灯珠库存情况可能较为严重。 但是一些工程上的比如户外用1921,室内所用的1415等可能偶尔会有缺货情况,或者是交期较以往会延长。同时随着金、铜等原辅料的涨价,价格压力迅速传导至封装厂,再加上美国技术封锁的压力,极有可能倒逼我国LED显示芯片开始自主研发的大趋势,以减少上游产品供应的不稳定性。 再者,在今年,大部分企业开始布局第三代半导体,第三代半导体升级优化了第二代半导体的痛点,具有优良的发光效率,更能凸显显示屏优良的显示效果,因此我国三安光电、兆驰股份等大企业开始第三代半导体生产线的布局。 而各地政府为吸引企业落户当地,也出现利好政策扶持第三代半导体的研发以生产,而这也有利于推进我国LED显示驱动芯片的自主研发进度。 我国是稀有金属大国,在上游原产料的供应以及价格拥有绝对优势,在政策的支持与巨头企业的带动下,LED显示驱动芯片国产化将成为大趋势,更有利于我国LED显示屏企业摆脱外来新品的依赖,提升上游供应的稳定性。

    时间:2020-08-17 关键词: 华为 led显示器 ic芯片

  • 加速度传感器存隐患_部分车辆被丰田召回

    加速度传感器存隐患_部分车辆被丰田召回

    据国家质检总局网站消息,日前,广汽丰田汽车有限公司、天津一汽丰田汽车有限公司根据《缺陷汽车产品召回管理条例》和《缺陷汽车产品召回管理条例实施办法》的要求,向国家质检总局备案了召回计划,决定自2018年2月10日起,召回以下汽车,共计181797辆。 (一)广汽丰田汽车有限公司于2015年5月5日至2016年2月4日期间生产的全新汉兰达汽车,共计73084辆; (二)广汽丰田汽车有限公司于2015年5月4日至2016年2月4日期间生产的雷凌汽车,共计98218辆; (三)广汽丰田汽车有限公司于2015年10月11日至2016年2月4日期间生产的雷凌(混合动力版)汽车,共计5804辆; (四)天津一汽丰田汽车有限公司于2015年11月21日至2016年2月2日期间生产的卡罗拉(混合动力版)汽车,共计4691辆。 本次召回范围内部分车辆,空气囊控制系统中装配了问题批次的加速度传感器,该批次加速度传感器内IC芯片的生产条件不恰当,造成在车辆使用过程中部分IC芯片内部可能发生断路,导致空气囊警告灯点亮,空气囊无法正常展开,存在安全隐患。广汽丰田汽车有限公司、天津一汽丰田汽车有限公司将对召回范围内车辆装配的空气囊加速度传感器的生产编号进行点检,并对属于问题批次的加速度传感器免费更换为合格的零件,以消除安全隐患。

    时间:2020-07-28 关键词: 丰田汽车 ic芯片

  • 丰田汽车有限公司召回缺陷汽车共计181797辆

    丰田汽车有限公司召回缺陷汽车共计181797辆

    据国家质检总局网站消息,日前,广汽丰田汽车有限公司、天津一汽丰田汽车有限公司根据《缺陷汽车产品召回管理条例》和《缺陷汽车产品召回管理条例实施办法》的要求,向国家质检总局备案了召回计划,决定自2018年2月10日起,召回以下汽车,共计181797辆。下面就随汽车电子小编一起来了解一下相关内容吧。 (一)广汽丰田汽车有限公司于2015年5月5日至2016年2月4日期间生产的全新汉兰达汽车,共计73084辆; (二)广汽丰田汽车有限公司于2015年5月4日至2016年2月4日期间生产的雷凌汽车,共计98218辆; (三)广汽丰田汽车有限公司于2015年10月11日至2016年2月4日期间生产的雷凌(混合动力版)汽车,共计5804辆; (四)天津一汽丰田汽车有限公司于2015年11月21日至2016年2月2日期间生产的卡罗拉(混合动力版)汽车,共计4691辆。 本次召回范围内部分车辆,空气囊控制系统中装配了问题批次的加速度传感器,该批次加速度传感器内IC芯片的生产条件不恰当,造成在车辆使用过程中部分IC芯片内部可能发生断路,导致空气囊警告灯点亮,空气囊无法正常展开,存在安全隐患。广汽丰田汽车有限公司、天津一汽丰田汽车有限公司将对召回范围内车辆装配的空气囊加速度传感器的生产编号进行点检,并对属于问题批次的加速度传感器免费更换为合格的零件,以消除安全隐患。

    时间:2020-07-27 关键词: 丰田汽车 加速传感器 ic芯片

  • 企业数字化转型该怎么选择RFID电子标签?

    企业数字化转型该怎么选择RFID电子标签?

     随着过去数年来RFID技术相关标准的不断进步,使得RFID标签的选择也变的愈来愈简单明了。针对如何策划并执行RFID标签的过程,专家列出了5项注意事项,用以确保整个RFID卷标流程能维持在可追踪的发展正轨之上。 近年来,无线射频识别系统(RFID)应用已被视为改变人类消费方式的技术之一,例如公交卡和ETC卡等等。然而,如何选择被施以RFID标签的商品,不仅是RFID技术发展的首要步骤之一,亦是整个发展过程中的关键阶段。   选出欲采用RFID标签的商品。如今已有许多商品如牛仔布、化妆品、运输盒、鞋类和药品等等,都已正广泛的使用RFID标签。一些组织如美国奥本大学(Auburn University)的ARC-RFID实验室等,已发布了RFID嵌体和全球GS1 TIPP级别的分类认证;而EECC的TACTA也已大幅改进了RFID标签在不同应用领域的测试和认证。例如零售商和服装制造商如今已能购买到经过认证、可用于服务和鞋类的M类标签。   其次,商品将在何处被追踪。在进行标签的选择时,应将环境条件一并考虑进去,例如密度、金属含量、液体或玻璃等等。RFID现在在零售商店、工厂和配送中心的使用都已很常见。另外,还须考虑到产品被包装的密集程度,以及预期的阅读范围等等。 标签和编码过程。许多IC芯片制造商如美商Impinj、恩智浦(NXP)和美商Alien Technologies等等,已在芯片的读写灵敏度上进行了改善,同时也提升了产能。芯片的选择、经优化的天线设计和系统级别测试,将能确保各种符合规则的标签设计,可以作用于不同的应用领域之上。 在大宗商品的应用领域中,例如零售业和消费品,单一品项追踪(Item-Level Tracking)在来源制造过程或配送中心早已成为了一种自动化流程。同样的,若能使用相同的方式来处理标签编码,将会是较为明智的做法,以利实现集中式管理和质量一致化的保证。   标签的成本。RFID标签的价格范围可从10美分到60美元以上不等,价差颇大。一般来说,零售业部署的大量商品已将被动式RFID标签的价位下拉至仅仅数美分;相反的,应用在表面较为粗糙不平的商品的专用 标签和主动式 标签,则提供了额外设计的特殊功能性质,价格也较为高昂。   RFID标签的准备入门事宜。做为整个RFID解决方案的一部分,标签的选择必须要能符合不同业务的需求。一旦业者了解了应该针对何种内容或商品、以及由何处来进行追踪,就能将合适标签的选择快速缩减至更小部分的范围之中。举例来说,RFID 标签的样式对于整个快速时尚(fast fashion)而言,就是一项极为关键的元素,因为某些品牌的标签外观和触感,也已成为了该品牌商品受到关注的特点之一。

    时间:2019-06-21 关键词: RFID ETC ic芯片

  • 先进封装强势崛起,影响IC产业格局

    先进封装强势崛起,影响IC产业格局

    摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投入等多重压力,迫切需要别开蹊径延续工艺进步。而通过先进封装集成技术,可以更轻松地实现高密度集成、体积微型化和更低的成本。封装行业将在集成电·整体系统整合中扮演更重要的角色,也将对产业的格局形成更多影响。随着先进封装的推进,集成电·产业将展现出一些新的发展趋势,有先进封装的集成电·产业样貎将会有所不同。 先进封装增速远超传统封装 当前社会正处于新技术与新应用全面爆发的背景下,移动设备、大数据、人工智能、5G通信、高性能计算、物联网、智能汽车、智能工业等快速发展。这些技术与应用必将对底层芯片技术产生新的需求。据麦姆斯咨询的介绍,支持这些新兴大趋势的电子硬件需要高计算能力、高速度、更多带宽、低延迟、低功耗、更多功能、更多内存、系统级集成、更精密的传感器,以及最重要的低成本。这些新兴趋势将为各种封装平台创造商机,而先进封装技术是满足各种性能要求和复杂异构集成需求的理想选择。 目前来看,扇出型封装(FOWLP/)、系统级封装(SiP)、3D封装是最受关注的三种先进封装技术。扇出型封装是晶圆级封装中的一种,相对于传统封装具有不需要引线框、基板等介质的特点,因此可以实现更轻薄短小的封装。根据IC Insight预计,在δ来数年之内,利用扇出型封装技术生产的芯片,ÿ年将以32%的增长率持续扩大,2023年扇出型封装市场规模将超过55亿美元。 系统级封装可以将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个模块中,从而实现具有完整功能的电·集成,它也可以降低成本,缩短上市时间,同时克服了SoC中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难题。 3D封装通过晶圆级互连技术实现芯片间的高密度封装,可以有效满足高功能芯片超轻、超薄、高性能、低功耗及低成本的需求,被大多半导体厂商认为是最具有潜力的封装方法。 总之,在市场需求的带动下,越来越多先进封装技术被开发出来,先进封装的市场占比将会进一步扩大。统计数据显示,从2017年到2023年,整个半导体封装市场的营收将以5.2%的年复合增长率增长,而先进封装市场将以7%的年复合增长率增长,市场规模到2023年将增长至390亿美元,传统封装市场的复合年增长率则低于3.3%。 展现三大发展趋势 随着先进封装技术的发展以及市场规模的扩大,其对于整个集成电·产业结构将产生越来越大的影响。首先是中段工艺的出现并逐渐形成规模。随着传统封装技术向先进封装过渡,有别于传统封装技术的凸块(Bumping)、再布线(RDL)、硅通孔(TSV)等中段工艺被开发出来,并且开始发挥重要作用。中芯长电半导体首席执行官崔东表示,仅靠缩小线宽的办法已经无法同时满足性能、功耗、面积,以及信号传输速度等多方面的要求,因此半导体企业开始把注意力放在系统集成层面来寻找解决方案,也就是通过先进的硅片级封装技术,把不同工艺技术代的裸芯封装在一个硅片级的系统里,兼顾性能、功耗和传输速度的要求。这就产生了在硅片级进行芯片之间互联的需要,进而产生了凸块、再布线、硅通孔等中段工艺。而中段硅片加工的出现,也打破了前后段芯片加工的传统分工方式。 其次,制造与封装将形成新的竞合关系。由于先进封装带来的中段工艺,封测业和晶圆制造业有了更紧密的联系,在带来发展机遇的同时,也面临着新的挑战。中段封装的崛起必然挤压晶圆制造或者封装测试业的份额。有迹象表明,部分晶圆厂已加大在中段封装工艺上的布局。晶圆厂有着技术和资本的领先优势,将对封测厂形成较大的竞争压力。传统封测厂较晶圆制造业相比属于轻资产,引入中段工艺后,设备资产比重较传统封装大大增加,封测业的先进技术研发和扩产将面临较大的资金压力。 最后,推动集成电·整体实力的提升。后摩尔时代的集成电·产业更强调产业链的紧密合作,强化产业链上下游之间的内在联系,要求各个环节不再是割裂地单独进行生产加工,而是要求从系统设计、产品设计、前段工艺技术和封测各个环节开展更加紧密的合作。企业对于先进封装业务的竞争,最终还需表现为产业链之间综合实力的竞争。 中国应加快虚拟IDM生态链建设 近几年中国集成电·封测产业实现了高速发展,有了长足的进步,然而国内集成电·封测产业链整体技术水平不高也是不争的事实。半导体专家莫大康认为,中国现在非常重视集成电·产业,推动先进封装业的发展就是非常必要的了。中国的封装测试是集成电·三业(设计、制造、封测)中起步最早的,与国际水平差距也比较小,因此完全有能力发展起来。 华进半导体总经理曹立强在近日的演讲中再次提出,推动国内“EDA软件—芯片设计—芯片制造—芯片封测—整机应用”集成电·产业链虚拟IDM生态链的建设,以市场需求牵引我国集成电·封测产业快速发展。集成电·的竞争最终会表现为产业链之间综合实力的竞争,先进封装的发展需要从工艺、设备和材料等方面的协同。 在新的技术趋势和竞争环境下,集成电·产业越来越表现为产业链整体实力的竞争。过去几年,国际半导体制造公司纷纷加大力度向先进工艺挺进,在持续大规模资本投入扩建产能的带动下,一些半导体制造大厂同样具备了完整的先进封装制造能力。 应对这样的产业形势,曹立强指出,重点在于突破一些关键性技术,如高密度封装关键工艺、三维封装关键技术、多功能芯片叠层集成关键技术、系统级封装关键技术等。建设立足应用、重在转化、多功能、高起点的虚拟IDM产业链,解决集成电·产业领域的关键技术,突破技术瓶颈。

    时间:2019-03-21 关键词: 芯片 封装 行业资讯 ic芯片

  • 昆山开发区再添生力军!台湾瑞鼎科技芯片项目签约入驻

    昆山开发区再添生力军!台湾瑞鼎科技芯片项目签约入驻

    近日,台湾瑞鼎科技股份有限公司与昆山开发区就设立驱动IC芯片项目举行签约仪式。该项目总投资1250万美元,预计2021年可实现销售收入2.4亿元。 台湾瑞鼎科技股份有限公司是一家为显示器(TFT-LCD / AMOLED / LTPS)面板厂商提供完整解决方案的专业IC设计公司。昆山新公司建成后,将为显示器面板厂商提供包括面板驱动IC、触控IC芯片、时序控制IC芯片及电源管理IC芯片在内的完整解决方案,预计2021年可实现销售收入2.4亿元。 台湾瑞鼎科技落户昆山,不仅与昆山是台湾半导体厂商的重要“集聚区”,是两岸产业合作试验区示范产业基地有关,还因为昆山近年来一直致力于打造光电产业集聚区。 昆山经济技术开发区于2003年建设了昆山光电产业园,如今已形成以高端中小尺寸面板为特色的完整光电产业链,成为国家新型平板显示产业发展的重要支点,园区已形成以友达光电、龙腾光电以及日本旭硝子玻璃、东京电子、康佳电子等重大项目为核心的光电产业聚集区。如今已具备从上游芯片设计研发、芯片制造到下游封装测试的完整产业链,并逐步成为大陆乃至世界一流的光电产业高地。

    时间:2018-07-17 关键词: 半导体 芯片 行业资讯 ic芯片

  • 中兴通讯元器件国产化正在加速,对于国产IC厂商审查非常严格

    近日消息,中美两国就解决中兴通讯问题的大致路径达成一致。报道称,相关细节还在敲定中,一旦达成协议,特朗普政府将解除对中兴通讯向美国企业采购产品的禁令,美方解除禁令尚需通过国家安全审核。 在解决被制裁问题上,中兴通讯目前“一颗红心、两手准备”,公司在保持解决问题的乐观态度下,一方面积极沟通争取早日解除禁令,另一方面加快“国产替代”步伐,就部分可替代的国产IC加快验证。 “我刚参加了ZTE的无源光网络(PON)产品ODM厂会议。”有中兴通讯供应商在接受记者采访时表示,该ODM厂已经在准备生产中兴通讯需要的国产PON产品。 据悉,中兴通讯早已着手推进部分元器件的国产替代。“美国激活拒绝令后不久,我们就被ZTE约谈替代的事情了。”上述中兴通讯供应商对记者表示,公司主要生产电源管理类IC,中兴通讯在这个领域的供应商主要是美国的MPS公司。目前,中兴通讯已经找了多家中国公司,进行该领域替代方案的评估。 “中兴通讯后续的元器件国产化还会加速。”有接近中兴通讯人士向记者透露。由于一颗芯片涉及多个产品线和ODM厂,测试项目就会很多,一般情况下,一颗芯片的导入期需要1年左右。记者了解到,中兴通讯测试IC部门的日程已经排到几个月之后,相关测试会加快,导入期会缩短到3至5个月。 中兴通讯对于国产IC厂商的审查非常严格,除了产品性能需要达到要求外,公司对于厂商的资格审查也非常严格,会“穿透”到公司股东和管理层,甚至后端的IC封测厂用料等。某中兴通讯供应商公司人士透露,中兴通讯现在对于IP等的审查格外严格。 针对被制裁,中兴通讯也在积极沟通。有接近公司人士透露,公司对该事件解决持乐观态度。近日,中兴通讯在21日晚间再次发出内部信,号召员工“坚定信心、团结一致、保持理性,共同迎接黎明的到来”。

    时间:2018-05-23 关键词: 中兴通讯 元器件 ic芯片

  • 旧的IC是否和同等重量的黄金一样值钱?老工程师们,机会来了

    旧的IC是否和同等重量的黄金一样值钱?老工程师们,机会来了

    976年早期的MOS技术的6502,最近在eBay上售价为1,525美元!老工程师们,机会来了! 现在的芯片越做越贵,江湖传言最贵的芯片应该是某公司的宇航级FPGA,号称具有10级抗辐射性能,属于全球最机密的芯片之一,价格超过500万元——当然一般人也是拿不到货的。 那么,您能想到旧的芯片也会值钱吗? 【旧的IC是否和同等重量的黄金一样值钱? 】 简而言之:不。如果您的业务是从引脚针脚回收镀金层的话。 但是,对收藏家来说,一些肯定是。 随便搜索一下,我能找到的最极端的例子是1976年早期的MOS技术的6502,最近在eBay上售价为1,525美元! 该芯片的说明中提到了“ROR bug”,这无疑增加了芯片的价值(我怀疑Pentia浮点除错误的影响,还不足以达到收藏价格)。 我自己也算是一位收藏家,我意识到我可能会在我的储藏室有一些理想的芯片。在这种价格下,我认为我可以放弃任何没有强烈感伤价值的东西,而且我认为我不需要维修工作。 果然,下面是我藏匿的宝贵(我希望)部分的样本: ● Caltex CT5002计算器 ● GI AY-3-8500-1电视游戏(乒乓等) ● RCA CDP1802 CMOS微处理器(用于哈勃,伽利略和其他太空硬件) ● MOS技术6581 SID(著名的Commodore 64音频芯片) ● Intersil IM6100和IM6101 (PDP-8 on a chip & I/O ports) ● Fairchild 的2102 1k×1 SRAM 我想我可能很快就能将这些放到某个拍卖网站上了 所以,检查你们的阁楼和地下室。 您可能正坐在由经典半导体技术造就的名副其实的金矿上。现在,不要问我关于smooth-plate 12AX7s的事。我多年前就把我的给卖了。 最后,让我吟诗一首吧: O, sweet Aurum, Could’st thine logic Ever NOR'em? Contrasting ceramic purple or white, Thou both gleam in the light, I hope in conductive foam You've store’d ‘em. 哦,甜蜜的金子呦, 能信这逻辑嘛? 永远NOR他们? 对比陶瓷紫色 或白色, 你们俩在光中闪闪发光, 我希望在导电泡沫 你已经储存了他们。

    时间:2018-05-07 关键词: 黄金 新鲜事 收藏 ic芯片

  • 3.3V、5V稳压管芯片给IC 芯片供电的问题

     现在DC芯片还是比较多的,12V转5V、3.3V都有相关的芯片,合理运用这些芯片可以节省很多功耗,并提升电源性能。 但是这些芯片对PCB布线的要求也是比较高的,器件多则几个电容、电阻、电感、少则2个电容、电感。 有时候自己可能为了省事,弄个稳压管电路就OK了,一个电阻、一个稳压管就可以完成转换。 下图就是一个典型的稳压管电路。 要想实现稳压关键要做好参数的计算: 首先确定IC工作电流:(以某控制芯片及相关电路为例) 第一步:用数字万用表测量3.3V域工作电流:最小工作电流30mA,最大工作电流95mA。 第二步:计算稳压管功率:W=最大工作电流*压降(8.7V) 第三步:根据稳压管功率和稳压值选择稳压管,并查看稳压电流工作范围。 稳压管稳压电流最大为270mA>>95mA*1.2,满足工作条件。 第四步:计算电阻:我的计算公式为R=压降/(最大工作电流*1.2)。(1.2是我自己选的值,留有裕量) 计算一下功率接近1W了,还是慎重选择吧。

    时间:2018-04-04 关键词: 稳压芯片 ic芯片

  • IC芯片的晶圆级射频测试

    对于超薄介质,由于存在大的漏电和非线性,通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而,使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点,对于高性能/低成本数字电路,RF电路,以及模拟/数模混合电路中的器件,这方面的挑战也在增加。 减少使用RF技术的建议是在以下特定的假设下提出来:假设RF技术不能有效地应用,尤其是在生产的环境下,这在过去的确一直是这种情况。 但是,现在新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数,几乎和DC测试一样容易。最重要的是,通过自动校准、去除处理(de-embedding)以及根据待测器件(DUT)特性进行参数提取,探针接触特性的自动调整,已经能够实现RF的完整测试。这方面的发展使得不必需要RF专家来保证得到好的测试结果。在生产实验室,根据中间测试结果或者操作需要,自动探针台和测试控制仪能够完成过去需要人为干涉的事情。世界范围内,已经有7家半导体公司验证了这种用于晶圆RF生产测试的系统。 RF测试的应用 无论你是利用III-V簇晶圆生产用于手机配件的RF芯片,还是利用硅技术生产高性能模拟电路,在研发和生产中预测最终产品的性能和可靠性,都需要晶圆级RF散射参数(s)的测量。这些测试对DC数据是重要的补充,相对于单纯的DC测试,它用更少的测试却能提供明显更多的信息。实际上,一个两通道的s参数扫描能同时提取阻抗和电容参数,而采用常规DC方法,则需要分开测试,甚至需要单独的结构以分离工艺控制需要的信息。 功放RF芯片的功能测试是这种性能的另外一种应用。这些器件非常复杂,然而价格波动大。生产中高频低压的测试条件排除了通常阻碍晶圆级测试的功耗问题。也不存在次品器件昂贵的封装费用。已知良品芯片技术也可以应用于晶圆级测试中,它能够明显改进使用RF芯片的模块的良率。 芯片制造商也可以利用晶圆级RF测试来提取各种高性能模拟和无线电路的品质因数。比如滤波器、混频器以及振荡器。SoC(System-on-chip)器件制造商希望这种子电路测试技术能够降低总体的测试成本。 130nm节点以下的高性能逻辑器件中,表征薄SiO2和高介电常数(high-k)栅介质的等效氧化层厚度(EOT)非常关键。RF测试在介电层的精确建模方面扮演了重要角色,它能够去除掉寄生元件,而这种寄生效应在传统的二元模型中将阻碍C-V数据的正确表示。中高频(MFCV,HFCV)电容测量技术不可能因为仪器而对测试引入串联阻抗。 标准I-V/C-V测试面临的挑战 产品研发阶段的设计工程师采用的仿真模型,包括从s参数数据提取的RF参数和I-V/C-V数据。先进的设计工具要求的是统计模型,不是单个的一套参数。这使得良率和功能特性的最优化成为可能。如果I-V和C-V参数基于统计结果,而RF不是的话,那么这个模型就是非物理的和不可靠的。 在有些情况下,比如电感、I-V和C-V信息的价值都非常有限。但是,Q在使用的频率之下,作为电感表征和控制的参数,则具有很高的价值。I-V和C-V测试中面临的挑战是要理解,什么时候它是产品特性的主要表征,什么时候不是。许多模拟和无线器件特性的只要表征参数是Ft和Fmax。理想的情况下,在第3谐波以外的使用情况下,它们是需要测量并提取出来的RF参数。对于数字和存储器产品,只要器件的模型保持简化,那么I-V和C-V对于有源和无源器件来说都是很有价值的测量项目。前面提到的,栅介质的测量具有复杂的C-V模型。 采用RF/RFC-V的顾虑 不可靠的测试会阻碍生产管理。好器件的坏测量结果被称为alpha错误。在生产中,这可能意味着有晶圆被误废弃。让人误解的ITRS信息,以及许多公司在他们的建模实验室经历缓慢、艰苦的过程,这些结合起来都使得工程师不情愿采用量产RF测试,他们认为会有高的alpha错误率。 人们还认识到生产能力和运营成本将是不可接受的,而且还需要高水准的技术支持来解释测量结果。没有可靠的校准、以及接触电阻问题所带来的重复测试,造成了早期的RF系统的低生产能力。过去旧系统的校准并不是对不同的测量频率配置都有效。高的运营成本还与手动测试黄金标准校正片有关系,它用的是软垫和昂贵的RF探针,这种探针会由于过度压划而很快坏掉,从而成本大增。市场上还有一种错误的理解,认为晶圆级的s参数测试需要专门的探针和卡盘。 生产中关于RF测试需要额外关注的方面: ●需要改变大量的测试结构。 ●结果不稳定,随设备、人和时间的变化而发生变化。 ●RF专家必须照顾呵护每一台设备。 ●对于不同的批次可能需要完全不同的处理和操作流程。 ●怀疑这是否能够成为实时技术。 ●实验室级别的结果不可靠。 fab在这些认知的基础上仍然维持现状,像“瞎苍蝇”一样进行着RF芯片、新栅极材料和其他先进器件的设计和工艺开发。结果是设计与工艺的相互作用,大大增加了成本和走向市场的时间,同时还伴随着更低的初始良率。 生产解决方案 使晶圆级RF测试成为生产工艺控制工具的关键在于测试的完全自动化。这意味着机器人要把晶圆、校准标准、探针卡传送到需要这些东西的地方。换句话说,设计测试系统时一个主要的目标是没有人为干预的情况下数据的完整性。 现在的第三代测试机台具有达到40GHz的这种测试能力。不像实验室的仪器,这些专门设计用于量产环境的测试机台,根据不同的应用,支持从6到65GHz的升级。要求第三代测试机台能够自动进行寄生去除处理,并根据DUT特性进行选择测试,这是获得可信的Cox,Fmax和Q值所面临的主要技术挑战。这些算法,再加上改进的互连技术,以及自动的校准过程,使得从s参数测试迅速准确地提取RF参数成为可能。 精确的寄生去除处理包括纠正随机的测量假象。比如,在一个特征阻抗为50Ω的系统中,接触电阻的任何变化都会限制测量的可重复性。设备制造商必须确定RF测试中所有不稳定的起源,从而在设计测量系统时有针对性地加以消除。系统互联的创新设计改进了系统中主要部件之间连接的可重复性。 设备制造商为了保证测量的可重复性,还要注意的其他方面如:测量自动化,探针接触阻抗的修正,探针变形量(overdrive)的调整,探针的清洁初始化。控制好探针的变形量以及必要时对探针进行清洗,这些都会明显延长探针的寿命,这会降低主要的耗材成本(每根RF探针价值大约$1000)。这应该也是测试机台统计过程控制的一部分。 在具有稳定已知的误差分布,以及不确定性特征的条件下,来源于收集数据的史密斯曲线就不会存在非物理假象;不再需要由专家来分析和解释这些结果了。在旧的系统中,RF测试专家需要对数据进行监控(跟踪每个测试系列的曲线等),寻找奇怪的、或者意外的测量结果,然后分析这些结果以确认它们代表的是工艺的变化,而不是测量的异常。 第三代参数测试仪通过改进逻辑方法使得持续监控RF测量成为现实,降低甚或消除了对于RF专家技术支持的需求。使用这些系统,不周生产层面的操作者能够通过大量的产品和生产设备获取可重复的、实时的测量结果。RF测试几乎和DC测试一样容易,它也成为完全表征晶圆器件时的必需之举。实际上,一套第三代系统可以同时进行DC和RF测试(见“RF测试的创新设计”)。这个系统包含了许多其他的改进,以提高产能,使它在工艺监控的量产晶圆级测试方面更实用。这些特点加速了建模实验室的测量工作,同时又不降低测量结果的实验室级别,从而缩短了研发周期和进入市场的时间。所有这些都可以通过简单的系统升级实现,而不必购买专用的探针台。当校准规格存储到探针台后,操作流程与单纯的DC测试一样,只有在周期性的设备保养时才会变化。

    时间:2017-12-19 关键词: 晶圆级射频测试 ic芯片

  • 陶瓷基板可降低高端芯片的损耗

    陶瓷基板可降低高端芯片的损耗

    国内高端芯片领域现在似乎已陷入了困境。   任一产业的发展都主要看三大部分,工艺/技术、生产、市场。先从工艺的角度来看,自1971年起,芯片制造工艺由10μm直到现在主流的10nm高端工艺,然而在10nm工艺成为高端芯片加工标志的现在,国内的工业大部分还停留在μm级,这也使得国内大部分相关硬件设备采用的是μm级,和时代拉开了很大一段的距离。 有一家首饰加工厂转做芯片封装的老板,他对利润惨淡、勉强维持经营的现况很是无奈。他说:加工一件首饰利润有几块几十块,但是封装一个芯片只能挣到几分钱。也怪不得他感叹市场芯片的利润,国内目前连4G芯片都做不了,绝大多数生产的都还是2G/3G的计算级别,不可避免的丧失了市场竞争力。 从市场的供需关系来讲,高端芯片产业链正在恶性循环上转着圈:工艺落后导致客户不得不去国外寻求产品,国内工艺缺乏完善的市场土壤和利润支持,毕竟芯片产业的流片费用十分高昂,预算轻松上千万,这样的费用让有意发展的企业谨慎观望,于是需要研究的技术继续落后。国家落后会挨打,技术落后难以占据市场份额,接下来就回归了技术越发落后的原点。 为了达到高端芯片市场不再受制于人的局面,势必会加大科研力度,事实上,2014年我国已有政策发布。政府拿出一千亿到一千五百亿美元来推动科学技术领域发展,在电子工业领域中,从事各类芯片设计、装配、封装的企业自然也在扶持行列。国家在2015年特地针对行业提出了新的目标和指导,十年内芯片自制率应达到70%。 但功率一直是高端芯片最大的问题,而陶瓷基板恰好能使其损耗降低,并且已经在家电照明、信息通信、传感器等领域的中高端产品中得到了良好的应用,是新一代大规模集成电路以及功率电子模块的理想封装材料。因为这些领域的科技进步和标准要求,陶瓷基板在企业生产中相关技术已经逐渐趋于成熟。 目前陶瓷基板拥有更高的热导率、更匹配的热膨胀系数,在设备上表现稳定、可靠性强;可焊性好,可多次重复焊接,耐高温,使用寿命长,可在还原性气氛中长期使用等等因素,对通用芯片和专项芯片的高性能要求都能很好满足。 高端芯片的困境正说明了想在当今世界占据一席之地,技术研发和硬件都要跟上,缺一不可,陶瓷基板因为其天然特性与实际中的可靠表现,正在电子工业世界大放光彩,是相关厂商制定产品战略和研发方向时必然考虑的基板材料。

    时间:2017-11-02 关键词: 技术前沿 陶瓷基板 ic芯片

  • IC芯片对EMI设计的影响

    电磁兼容设计通常要运用各项控制技术,一般来说,越接近EMI源,实现EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成电路芯片是EMI最主要的能量来源,因此,如果能够深入了解集成电路芯片的内部特征,可以简化PCB和系统级设计中的EMI控制。 在考虑EMI控制时,设计工程师及PCB板级设计工程师首先应该考虑IC芯片的选择。集成电路的某些特征如封装类型、偏置电压和芯片的:工艺技术(例如CMoS、ECI)等都对电磁干扰有很大的影响。下面将着重探讨IC对EMI控制的影响。 集成电路EMI来源 PCB中集成电路EMI的来源主要有:数字集成电路从逻辑高到逻辑低之间转换或者从逻辑低到逻辑高之间转换过程中,输出端产生的方波信号频率导致的EMl信号电压和信号电流电场和磁场芯片自身的电容和电感等。 集成电路芯片输出端产生的方波中包含频率范围宽广的正弦谐波分量,这些正弦谐波分量构成工程师所关心的EMI频率成分。最高EMI频率也称为EMI发射带宽,它是信号上升时间(而不是信号频率)的函数。 计算EMI发射带宽的公式为:f=0.35/Tr 式中,厂是频率,单位是GHz;7r是信号上升时间或者下降时间,单位为ns。 从上述公式中可以看出,如果电路的开关频率为50MHz,而采用的集成电路芯片的上升时间是1ns,那么该电路的最高EMI发射频率将达到 350MHz,远远大于该电路的开关频率。而如果汇的—上升时间为5肋Fs,那么该电路的最高EMI发射频率将高达700MHz。 电路中的每一个电压值都对应一定的电流,同样每一个电流都存在对应的电压。当IC的输出在逻辑高到逻辑低或者逻辑低到逻辑高之间变换时,这些信号电压 和信号电流就会产生电场和磁场,而这些电场和磁场的最高频率就是发射带宽。电场和磁场的强度以及对外辐射的百分比,不仅是信号上升时间的函数,同时也取决 于对信号源到负载点之间信号通道上电容和电感的控制的好坏,因此,信号源位于PCB板的汇内部,而负载位于其他的IC内部,这些IC可能在PCB上,也可 能不在该PCB上。为了有效地控制EMI,不仅需要关注汇;芭片自身的电容和电感,同样需要重视PCB上存在的电容和电感。 当信号电压与信号回路之间的锅合不紧密时,电路的电容就会减小,因而对电场的抑制作用就会减弱,从而使EMI增大;电路中的电流也存在同样的情况,如 果电流同返回路径之间锅合不;佳,势必加大回路上的电感,从而增强了磁场,最终导致EMI增加。这充分说明,对电场控制不佳通常也会导致磁场抑制不佳。用 来控制电路板中电磁场的措施与用来抑制IC封装中电磁场的措施大体相似。正如同PCB设计的情况,IC封装设计将极大地影响EMI。 电路中相当一部分电磁辐射是由电源总线中的电压瞬变造成的。当汇的输出级发:跳变并驱动相连的PCB线为逻辑“高”时,汇芯片将从电源中吸纳电流,提 供输出级月需的能量。对于IC不断转换所产生的超高频电流而言,电源总线姑子PCB上的去辊网络止于汇的输出级。如果输出级的信号上升时间为1.0ns, 那么IC要在1.0ns这么短的时P 内从电源上吸纳足够的电流来驱动PCB上的传输线。电源总线上电压的瞬变取决于电源j线路径上的申。感、吸纳的电流以及电流的传输时间。电压的瞬变由公式 所定义,L是电流传输路径上电感的值;dj表示信号上升时间间隔内电流的变化;dz表示d流的传输时间(信号的上升时间)的变化。 由于IC管脚以及内部电路都是电源总线的一部分,而且吸纳电流和输出信号的上于时间也在一定程度上取决于汇的工艺技术,因此选择合适的汇就可以在很大程度上控伟上述公式中提到的三个要素。 封装特征在电磁干扰控制中的作用 IC封装通常包括硅基芯片、一个小型的内部PCB以及焊盘。硅基芯片安装在小型64PCB上,通过绑定线实现硅基芯片与焊盘之间的连接,在某些封装中也可以实 现直接连接小型PCB实现硅基芯片上的信号和电源与汇封装上的对应管脚之间的连接,这样就实到了硅基芯片上信号和电源节点的对外延伸。因此,该汇的电源和 信号的传输路径包括馅基芯片、与小型PCB之间的连线、PCB走线以及汇封装的输入和输出管脚。对电容和宅感(对应于电场和磁场)控制的好坏在很大程度上 取决于整个传输路径设计的好坏,某些设计特征将直接影响整个IC芯片封装的电容和电感。 先看硅基芯片与内部小电路板之间的连接方式。许多的汇芯片都采用绑定线来实颈硅基芯片与内部小电路板之间的连接,这是一种在硅基芯片与内部小电路板之 间的极细6t电线。这种技术之所以应用广泛是因为硅基芯片和内部小电路板的热胀系数(CU)相近‘芯片本身是一种硅基器件,其热胀系数与典型的PCB材料 (如环氧树脂)的热胀系数有相大的差别。如:果硅基芯片的电气连接点直接安装在内部小PCB上的话,那么在一段相对较短的时间之后,IC封装内部温度的变 化导致热胀冷缩,这种方式的连接就会因为断裂而失效。绑定线是一种适应这种特殊环境的引线方式,它可以承受较大负荷的弯曲变形而不容易断裂 采用绑定线的问题在于,每一个信号或者电源线的电流环路面积的增加将导致电感值升高。获得较低电感值的优良设计就是实现硅基芯片与内部PCB之间的直 接连接,也就是说硅基芯片的连接点直接联结在 PCB的焊盘上。这就要求选择使用一种特殊的PCB板基材料,这种材料应该具有极低的热膨胀系数。而选择这种材料将导致汇芯片整体成本的增加,因而采用这 种工艺技术的芯片并不常见,但是只要这种将硅基芯片与载体PCB直接连接的IC存在:并且在设计方案中可行,那么采用这样的IC器件就是较好的选择。 一般来说,在汇封装设计中,降低电感并且增大信号与对应回路之间或者电源与地之间电容是选择集成电路芯片过程的首要考虑因素。举例来说,小间距的表面 贴装与大间距的表面贴装:工艺相比,应该优先考虑选择采用小间距的表面贴装工艺封装的汇芯片,而这两种类型的表面贴装工艺封装的IC芯片都优于过孔引线类 型的封装。BGA封装的汇芯片同任何常用的封装类型相比具有最低的引线电感。从电容和电感控制的角度来看,小型的封装和更细的间距通常总是代表性能的提高。 引线结构设计的一个重要特征是管脚的分配。由于电感和电容值的大小都取决于信号或者是电源与返回路径之间的接近程度,因此要考虑足够多的返回路径。 电源管脚和地管脚应该成对分配,每一个电源管脚都应该有对应的地管脚相邻分布,而且在这种引线结构中应该分配多个电源管脚和地管脚对。这两方面的特征 都将极大地降低电源和地之间的环路电感,有助于减少电源总线上的电压瞬变,从而降低EAdI。由于习惯上的原因,现在市场上的许多汇芯片并没有完全遵循上 述设计规则,但IC设计和生产厂商都深刻理解这种设计方法的优点,因而在新的IC芯片设计和发布时IC厂商更关注电源的连接。 理想情况下,需要为每一个信号管脚都分配一个相邻的信号返回管脚(如地管脚)。实际情况并非如此,众多的IC厂商是采用其他折中方法。在BGA封装 中,一种行之有效的设计方法是在每组八个信号管脚的中心设置一个信号的返回管脚,在这种管脚排列方式下,每一个信号与信号返回路径之间仅相差一个管脚的距 离。而对于四方扁平封装(QFP)或者其他鸥翼(gullw切g)型封装形式的IC来说,在信号组的中心放置一个信号的返回路径是不现实的,即便这样也必 须保证每隔4到6个管脚就放置一个信号返回管脚。需要注意的是,不同的汇工艺技术可能采用不同的信号返回电压。有的IC使用地管脚(如TIL器件)作为信 号的返回路径,而有的 IC则使用电源管脚(如绝大多数的ECI‘器件)作为信号的返回路径,也有的IC同时使用电源管脚和地管脚(比如大多数的CMoS器件)作为信号的返回路 径。因此设计工程师必须熟悉设计中使用的IC芯片逻辑系列,了解它们的相关工作情况。 IC芯片中电源和地管脚的合理分布不仅能够降低EMI,而且可以极大地改善地弹反射(groundboltnce)效果。当驱动传输线的器件试图将传输线下拉到逻辑低时,地弹反射却仍然维持该传输线在逻辑低闭值电平之上,地弹反射可能导致电路的失效或者出现故障。 IC 封装中另一个需要关注的重要问题是芯片内部的PCB设计,内部PCB通常也是IC封装中最大的组成部分,在内部PCB设计时如果能够实现电容和电感的严格 控制,将极大地改善系统的整体EMI性能。如果这是一个两层的PCB板,至少要求PCB板的一面为连续的地平面层,PCB板的另一面是电源和信号的布线 层。更理想的情况是四层的PCB板,中间的两层分别是电源和地平面层,外面的两层作为信号的布线层。由于汇封装内部的PCB通常都非常薄,四层板结构的设 计将引出两个高电容、低电感的布线层,它特别适合于电源分配以及需要严格控制的进出该封装的输入输出信号。低阻抗的平面层可以极大地降低电源总线亡的电压 瞬变,从而极大地改善EMI性能。这种受控的信号线不仅有利于降低EMI,同样对于确保进出汇的信号的完整性也起到重要的作用。

    时间:2017-09-05 关键词: emi设计 ic芯片

  • 重磅!韦尔股份公开收购北京豪威

     近日消息,韦尔股份于8月4号晚间发布公告,因并购北京豪威科技有限公司(简称“北京豪威”)资产重组而持续停牌。此前韦尔股份就因重大资产重组停牌,本次公告正式开启了重组事宜,具体重组方案及交易金额仍未公布。 公告披露,为了加强韦尔股份在国内外集成电路产业的布局,提升公司在 IC 设计领域的核心竞争力,公司拟通过实施本次重大资产重组,进行有协同效应的企业并购,并购的标的为北京豪威。 北京豪威系一家注册于北京的有限责任公司(中外合资)。北京豪威的主营业务主要通过其 OmniVision Technologies,Inc.,(简称 “美国豪威”)等开展。美国豪威原为美国纳斯达克上市公司,于2016年初完成私有化并成为北京豪威的全资子公司。美国豪威是一家领先的数字图像处理方案提供商,主营业务为设计、制造和 销售高效能、高集成和高性价比半导体图像传感器设备,其Camera Chip和Amera Cube Chip系列CMOS图像传感芯片广泛应用于消费级和工业级应用,具体应用包括智能手机、笔记本、平板电脑、网络摄像头、安全监控、娱乐设备、数码相机、 摄像机、汽车和医疗成像系统等领域。 公告称,截至目前,北京豪威无控股股东和实际控制人。且本次并购不会导致公司控制权发生变更,不构成重组上市。 目前,并购北京豪威价格尚未公布。韦尔股份公告表示,公司组织相关各方就本次重组标的资产开展尽职调查、审计、评估等工作,本次重组方案及交易金额仍需与各方进一步协商论证。具体交易方式可能根据交易进展情况进行调整,可能为发行股份及支付现金购买标的公司股权,并募集配套资金,尚未最终确定。 而在韦尔股份之前,中国财团曾于2015年5月计划出资19亿美元(约合人民币130亿)收购北京豪威,最终失败。此后,北京君正也曾为了收购这家CMOS图像传感芯片大厂而停牌10个月,并给出了126.22亿元人民币的收购价,但也以失败告终。 此次韦尔股份一旦顺利并购北京豪威,无疑会在当前紧俏的CMOS图像传感器市场大受裨益,实现跨越。 韦尔股份全称上海韦尔半导体有限公司是上海知名分销上市公司,以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售为主,成立于2007年,公司创始人虞仁荣持股67.17%。不光是从事IC分销的企业,韦尔股份也是一家IC设计公司,主营产品包括保护器件(TVS、TSS)、功率器件(MOSFET、Schottky Diode、Transistor)、电源管理器件(Charger、LDO、Buck、Boost、Backlight LED Driver、Flash LED Driver)、模拟开关等四条产品线,700多个产品型号,产品在手机、电脑、电视、通讯、安防、车载、穿戴、医疗等领域得到广泛应用,公司业绩连续多年保持稳定增长。

    时间:2017-08-08 关键词: 韦尔 北京豪威 ic芯片

  • IC芯片的晶圆级射频(RF)测试

    对于超薄介质,由于存在大的漏电和非线性,通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而,使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点,对于高性能/低成本数字电路,RF电路,以及模拟/数模混合电路中的器件,这方面的挑战也在增加。 减少使用RF技术的建议是在以下特定的假设下提出来: 假设RF技术不能有效地应用,尤其是在生产的环境下,这在过去的确一直是这种情况。 但是,现在新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数,几乎和DC测试一样容易。最重要的是,通过自动校准、去除处理(de- embedding)以及根据待测器件(DUT)特性进行参数提取,探针接触特性的自动调整,已经能够实现RF的完整测试。这方面的发展使得不必需要RF 专家来保证得到好的测试结果。在生产实验室,根据中间测试结果或者操作需要,自动探针台和测试控制仪能够完成过去需要人为干涉的事情。世界范围内,已经有 7家半导体公司验证了这种用于晶圆RF生产测试的系统。 RF测试的应用 无论你是利用III-V簇晶圆生产用于手机配件的RF芯片,还是利用硅技术生产高性能模拟电路,在研发和生产中预测最终产品的性能和可靠性,都 需要晶圆级RF散射参数(s)的测量。这些测试对DC数据是重要的补充,相对于单纯的DC测试,它用更少的测试却能提供明显更多的信息。实际上,一个两通 道的s参数扫描能同时提取阻抗和电容参数,而采用常规DC方法,则需要分开测试,甚至需要单独的结构以分离工艺控制需要的信息。 功放RF芯片的功能测试是这种性能的另外一种应用。这些器件非常复杂,然而价格波动大。生产中高频低压的测试条件排除了通常阻碍晶圆级测试的功 耗问题。也不存在次品器件昂贵的封装费用。已知良品芯片技术也可以应用于晶圆级测试中,它能够明显改进使用RF芯片的模块的良率。 芯片制造商也可以利用晶圆级RF测试来提取各种高性能模拟和无线电路的品质因数。比如滤波器、混频器以及振荡器。SoC(System-on-chip)器件制造商希望这种子电路测试技术能够降低总体的测试成本。 130nm节点以下的高性能逻辑器件中,表征薄SiO2和高介电常数(high-k)栅介质的等效氧化层厚度(EOT)非常关键。RF测试在介 电层的精确建模方面扮演了重要角色,它能够去除掉寄生元件,而这种寄生效应在传统的二元模型中将阻碍C-V数据的正确表示。中高频 (MFCV, HFCV) 电容测量技术不可能因为仪器而对测试引入串联阻抗。 标准I-V/C-V测试面临的挑战 产品研发阶段的设计工程师采用的仿真模型,包括从s参数数据提取的RF参数和I-V/C-V数据。先进的设计工具要求的是统计模型,不是单个的 一套参数。这使得良率和功能特性的最优化成为可能。如果I-V和C-V参数基于统计结果,而RF不是的话,那么这个模型就是非物理的和不可靠的。 在有些情况下,比如电感、I-V和C-V信息的价值都非常有限。但是,Q在使用的频率之下,作为电感表征和控制的参数,则具有很高的价值。I- V和C-V测试中面临的挑战是要理解,什么时候它是产品特性的主要表征,什么时候不是。许多模拟和无线器件特性的只要表征参数是Ft和Fmax。理想的情 况下,在第3谐波以外的使用情况下,它们是需要测量并提取出来的RF参数。对于数字和存储器产品,只要器件的模型保持简化,那么I-V和C-V对于有源和 无源器件来说都是很有价值的测量项目。前面提到的,栅介质的测量具有复杂的C-V模型。 采用RF/RF C-V的顾虑 不可靠的测试会阻碍生产管理。好器件的坏测量结果被称为alpha错误。在生产中,这可能意味着有晶圆被误废弃。让人误解的ITRS信息,以及 许多公司在他们的建模实验室经历缓慢、艰苦的过程,这些结合起来都使得工程师不情愿采用量产RF测试,他们认为会有高的alpha错误率。 人们还认识到生产能力和运营成本将是不可接受的,而且还需要高水准的技术支持来解释测量结果。没有可靠的校准、以及接触电阻问题所带来的重复测 试,造成了早期的RF系统的低生产能力。过去旧系统的校准并不是对不同的测量频率配置都有效。高的运营成本还与手动测试黄金标准校正片有关系,它用的是软 垫和昂贵的RF探针,这种探针会由于过度压划而很快坏掉,从而成本大增。市场上还有一种错误的理解,认为晶圆级的s参数测试需要专门的探针和卡盘。 生产中关于RF测试需要额外关注的方面: ● 需要改变大量的测试结构。 ● 结果不稳定,随设备、人和时间的变化而发生变化。 ● RF专家必须照顾呵护每一台设备。 ● 对于不同的批次可能需要完全不同的处理和操作流程。 ● 怀疑这是否能够成为实时技术。 ● 实验室级别的结果不可靠。 fab在这些认知的基础上仍然维持现状,像“瞎苍蝇”一样进行着RF芯片、新栅极材料和其他先进器件的设计和工艺开发。结果是设计与工艺的相互作用,大大增加了成本和走向市场的时间,同时还伴随着更低的初始良率。 生产解决方案 使晶圆级RF测试成为生产工艺控制工具的关键在于测试的完全自动化。这意味着机器人要把晶圆、校准标准、探针卡传送到需要这些东西的地方。换句话说,设计测试系统时一个主要的目标是没有人为干预的情况下数据的完整性。 现在的第三代测试机台具有达到40GHz的这种测试能力。不像实验室的仪器,这些专门设计用于量产环境的测试机台,根据不同的应用,支持从6到 65GHz的升级。要求第三代测试机台能够自动进行寄生去除处理,并根据DUT特性进行选择测试,这是获得可信的Cox, Fmax和Q值所面临的主要技术挑战。这些算法,再加上改进的互连技术,以及自动的校准过程,使得从s参数测试迅速准确地提取RF参数成为可能。 精确的寄生去除处理包括纠正随机的测量假象。比如,在一个特征阻抗为50Ω的系统中,接触电阻的任何变化都会限制测量的可重复性。设备制造商必 须确定RF测试中所有不稳定的起源,从而在设计测量系统时有针对性地加以消除。系统互联的创新设计改进了系统中主要部件之间连接的可重复性。 设备制造商为了保证测量的可重复性,还要注意的其他方面如:测量自动化,探针接触阻抗的修正,探针变形量(overdrive)的调整,探针的 清洁初始化。控制好探针的变形量以及必要时对探针进行清洗,这些都会明显延长探针的寿命,这会降低主要的耗材成本(每根RF探针价值大约$1000)。这 应该也是测试机台统计过程控制的一部分。 在具有稳定已知的误差分布,以及不确定性特征的条件下,来源于收集数据的史密斯曲线就不会存在非物理假象;不再需要由专家来分析和解释这些结果 了。在旧的系统中,RF测试专家需要对数据进行监控(跟踪每个测试系列的曲线等),寻找奇怪的、或者意外的测量结果,然后分析这些结果以确认它们代表的是 工艺的变化,而不是测量的异常。 第三代参数测试仪通过改进逻辑方法使得持续监控RF测量成为现实,降低甚或消除了对于RF专家技术支持的需求。使用这些系统,不周生产层面的操 作者能够通过大量的产品和生产设备获取可重复的、实时的测量结果。RF测试几乎和DC测试一样容易,它也成为完全表征晶圆器件时的必需之举。实际上,一套 第三代系统可以同时进行DC和RF测试见(“RF测试的创新设计”)。这个系统包含了许多其他的改进,以提高产能,使它在工艺监控的量产晶圆级测试方面更 实用。这些特点加速了建模实验室的测量工作,同时又不降低测量结果的实验室级别,从而缩短了研发周期和进入市场的时间。所有这些都可以通过简单的系统升级 实现,而不必购买专用的探针台。当校准规格存储到探针台后,操作流程与单纯的DC测试一样,只有在周期性的设备保养时才会变化。

    时间:2017-08-08 关键词: 晶圆级rf测试 ic芯片

  • 去年中国集成电路市场规模达到1.2W亿元,同比增长8.7%

    近年来,中国集成电路市场需求始终保持高速增长。回顾2016年,中国集成电路市场延续了这一发展势头,市场规模达到11985.9亿元,同比增长8.7%,无论是在规模上,还是在增速上,均继续领跑全球。 中国集成电路市场持续快速扩大,国内供给不足矛盾依旧突出 从应用市场来看,汽车电子和工业控制领域仍是增速最快的领域。 2016年国内汽车产销量均超过2800万辆,同比增长14%以上,新能源车产销量均超过50万辆,同比增长50%以上。汽车销量的显著提升以及国内汽车消费升级对汽车电子产品需求的增长直接带动了汽车电子领域集成电路产品的销售。2016年汽车电子类集成电路市场的增速达到34.4%。与此同时,随着国家《中国制造2025》战略的深入实施,制造业的升级换代进程加快,工业控制领域集成电路产品的需求也同样旺盛。工业控制类集成电路市场的规模增速也达到21%。 在市场需求快速增长的同时,国内集成电路产业规模也在迅速扩大。 2016年产业规模达到4335.5亿元,同比增长20.1%。其中,设计业继续保持高速增长,销售额为1644.3亿元,同比增长24.1%,超过封装测试业成为第一大产业环节;制造业受到国内芯片生产线满产以及扩产的带动,销售额1126.9亿元,同比增长25.1%,增速超过设计业;封装测试业销售额1564.3亿元,同比增长13%。 虽然国内集成电路产业增长迅猛,但我们应看到,国内市场供给不足的矛盾依然十分突出。从供给总量上看,目前国内集成电路市场自给率尚不足20%,国内市场所需的集成电路产品主要依赖进口。2016年,中国集成电路产品进口2270.7亿美元,继续为国内最大的进口商品。通用CPU、存储器等关键核心产品基本均依赖进口。 从供给结构上看。以IC产品的工艺线宽划分,目前,国内集成电路市场需求金额中,28纳米及以下IC产品已经占据55%的份额。而目前国内无论是IC设计行业,还是芯片制造行业,能够提供28纳米技术解决方案的企业均屈指可数。可以说,国内集成电路产业的发展仍远远无法满足规模庞大且水平不断提升的内需市场要求。 国内集成电路产业投资旺盛增长,但与国际同行差距依旧巨大 在市场需求的牵引和国家政策的推动之下,从2014年开始国内集成电路产业投资迅速增长。这一状况主要体现在两方面,一是国内集成电路产业的固定资产投资大幅度增长,二是集成电路企业的上市融资、收并购活动显著增多。 首先在重大项目投资方面。包括中芯国际、紫光集团、华力微电子等我国大陆企业,以及Intel、三星、台积电、GlobalFoundry、海力士、联电、力晶等半导体公司均在2016年宣布了各自在我国大陆的投资计划,计划投资金额为历年之最。 虽然国内集成电路产业投资在近一两年大幅增长,但与全球水平仍存在极大差距。尽管近几年国内国际半导体市场需求低迷,但产业投资依然保持两位数的高速增长。2016年,全球20大半导体厂商的新增投资合计达到354亿美元,约为当年国内集成电路产业实际投资额的10倍,同比增速则达到了17%的水平,增速约为全球半导体市场规模增速的6倍。可以说,无论是从市场需求增速,还是产业规模现状,国内集成电路产业的投资强度均远远不足。 在企业收并购方面,2016年是国内集成电路行业并购的高峰年,多家国内集成电路企业进行了国内或跨国的收并购活动。这些并购活动甚至引起了部分外国政府及行业组织的注意与抵触。但是,我们还是应理智地看到,当前全球半导体产业也正处于大的整合浪潮中。 2016年,全球半导体行业收并购案的总金额突破1300亿美元,诸如高通收购恩智浦、软银收购ARM这样的重量级并购交易频频发生。而同年中国集成电路行业内并购案总金额约为178.2亿元人民币,折合26.3亿美元,占全球并购金额比重仅为2.4%,且缺乏有影响力和有实质性产业提升的收并购案例。国内集成电路产业在收并购方面,同样还有很长的路要走。 引导行业理性投资,推动集成电路供给侧改革 展望未来,《国家集成电路产业发展推进纲要》明确提出,到2020年,集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小,全行业销售收入年均增速超过20%,企业可持续发展能力大幅增强。移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平,产业生态体系初步形成。16/14nm制造工艺实现规模量产,封装测试技术达到国际领先水平,关键装备和材料进入国际采购体系,基本建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系。要实现这一发展目标,必要的投资强度无疑是极其重要的。 但是,从目前国内集成电路行业的实际状况来看,普遍存在分散投资、盲目收购的情况。部分企业及地方政府,出于卡位国内产业发展先机、集聚产业资源的考虑,在新建项目、并购企业方面已经出现了盲目冲动的苗头。这些盲动的行为不仅给产业发展带来了“虚火”,更无端导致了国际企业及部分外国政府对国内集成电路企业的投资的警觉,反而干扰了国内企业的正常投资与并购活动。 对于以上问题,从国内集成电路供给侧改革的角度加以分析,我国集成电路市场供给不足、产业投资强度不足的整体格局始终未有改变,但局部性的供给过剩、投资过热也有可能发生。对此,有必要未雨绸缪,集中精力在重点领域、重点区域进行布局,避免分散性的低水平重复投资。 从重点领域来看,以国内集成电路产业发展的需求以及实现突破的难度,近期宜以存储器及晶圆代工领域的突破为重。存储器一直是国内集成电路市场需求最大的单一产品,且技术相对单一,并高度依赖密集投资,十分适合后进国家作为赶超的核心产品,当年日、韩半导体产业的崛起无不选择存储器作为突破口来满足国内多样性的市场需求以及IC设计行业的发展要求。因此,继续鼓励国内晶圆代工行业的发展也是应有之意。 从重点区域来看,截至目前,国内集成电路产业基本分布在省会城市或沿海计划单列市,并基本呈现出“一轴一带”的分布特征,即东起上海市、西至成都市的集成电路产业“沿江发展轴”,以及北起大连市、南至珠海市的集成电路产业“沿海产业带”。近两年来,国内新的集成电路重点项目布局依然集中于上述区域,如“沿江发展轴”上的成都市、重庆市、武汉市、南京市,以及“沿海产业带”上的天津市、上海市、泉州市、厦门市、深圳市等。未来国内集成电路产业将进一步强化核心区域的进一步集聚以及不同区域之间的差异化协同,其他区域将更多地定位为区域性配套发展或者特殊产品及工艺的补充发展。

    时间:2017-03-22 关键词: 半导体 ic芯片 集成电路

  • 未来以中国制造为主的“中国芯”

    未来以中国制造为主的“中国芯”

    IC芯片是将大量的微电子元器件(晶体管、电阻、电容等)形成的集成电路放在一块塑基上,做成一块芯片。而今几乎所有看到的芯片,都可以叫做IC芯片。集成电路是一种微型电子器件或部件。它在电路中用字母“IC”表示。当今半导体工业大多数应用的是基于硅烦人集成电路。  过去中国IC芯片行业被人称为“两头在外”的处境,一方面制造自给率不足、销售主供海外,然从2014年国务院发布“集成电路发展纲要”之后,IC设计行业正在发生变化,未来真正的“中国芯”——以中国制造为主、供应内需市场将是大势所趋。 2014年国务院发布的“集成电路发展纲要”,为IC行业发展立下了发展目标,按照政策目标,到2020年芯片自给率将达到40%,到2025年达到50%。要扭转中国芯过去“两头在外”的处境。在《纲要》的指引下,中国半导体产业维持了高速发展的态势,全行业的年均增长率一直维持在2位数,增长速度上达到了预期目标。相对于其他国家增长幅度明显。 根据WSTS最新资料统计,2016年全球半导体市场全年总销售值达3,389亿美元,较2015年成长1.1%;其中分国家与区域来看,2016年美国半导体市场总销售值达655亿美元,较2015年衰退4.7%;日本半导体市场销售值达323亿美元,较2015年成长3.8%;欧洲半导体市场销售值达327亿美元,较2015年衰退4.5%;亚洲地区半导体市场销售值达2,084亿美元,较2015年成长3.6%。 亚洲地区的销售成长有很大部分来自于中国市场的力道。再看看2016年第四季的数字:16Q4美国半导体市场销售值达190亿美元,较上季(16Q3) 成长11.3%,较去年同期(15Q4) 成长10.1%;日本半导体市场销售值达85亿美元,较上季(16Q3) 成长1.2%,较去年同期(15Q4) 成长10.5%;欧洲半导体市场销售值达84亿美元,较上季(16Q3) 成长1.7%,较去年同期(15Q4) 成长1.3%;亚洲地区半导体市场销售值达571亿美元,较上季(16Q3) 成长4.7%,较去年同期(15Q4) 成长15.2%。其中,中国大陆市场销售305亿美元,较上季(16Q3)成长7.4%,较去年同期(15Q4)成长20.4%。 中国IC市场销售在全球已具举足轻重的地位。行业专家指出,每年中国大陆消费近1000亿美元的集成电路产品,芯片是中国最大的进口商品。 当前中国已是世界第一大汽车市场、第一家电制造大国,空调、冰箱等产量均超过世界总产量的一半。中国将成为3000万辆汽车市场、年产空调约1.5亿台、冰箱8000多万台、彩电1.5亿台、洗衣机7000多万台。若以汽车、家电内能有一定比例应用国产芯片对产业的效果将不可估量。 此外,十三五规划内实施制造强国战略和支持战略性新兴产业发展,包括人工智能、智能硬件、新型显示、移动智能终端、5G、先进传感器、可穿戴设备等应用领域,也都将是未来中国集成电路产业新的增长点。 行业专家指出,尽管中国的芯片IC设计业近几年一直保持在25%左右,远远高于全球同行的增长速度,但设计产业规模上看,集成电路产品的总销售不过228亿美元左右,在全球半导体市场中的份额仍然只有6.8%,与每年中国消1000亿美元的集成电路产品相比,仍是相当大的差距。 而本地企业对这些产品的贡献率微不足道,IC产业结构急需调整,IC设计业主要使用境外的加工资源和依赖外国企业的IP核及EDA工具,同时IC制造业的主要客户为外国企业,现象没有从根本处改观。 目前中国主力晶圆厂来看,中芯国际已经做到支持国内客户的生产比较约48%,华力微电子也表示,对国内设计业者的支持将以满足50%产能满足客户的需求。

    时间:2017-02-23 关键词: 中国芯 晶圆厂 技术前沿 ic芯片 集成电路

  • 电源管理IC芯片的8种类型介绍

     在日常生活中,人们对电子设备的依赖越来越严重,电子技术的更新换代,也同时意味着人们对电源的技术发展寄予厚望,下面就为大家介绍电源管理技术的主要分类。 电源管理半导体从所包含的器件来说,明确强调电源管理集成电路(电源管理IC,简称电源管理芯片)的位置和作用。电源管理半导体包括两部分,即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体器件。 电源管理集成电路包括很多种类别,大致又分成电压调整和接口电路两方面。电压凋整器包含线性低压降稳压器(即LOD),以及正、负输出系列电路,此外 不有脉宽调制(PWM)型的开关型电路等。因技术进步,集成电路芯片内数字电路的物理尺寸越来越小,因而工作电源向低电压发展,一系列新型电压调整器应运 而生。电源管理用接口电路主要有接口驱动器、马达驱动器、功率场效应晶体管(MOSFET)驱动器以及高电压/大电流的显示驱动器等等。 电源管理分立式半导体器件则包括一些传统的功率半导体器件,可将它分为两大类,一类包含整流器和晶闸管;另一类是三极管型,包含功率双极性晶体管,含有MOS结构的功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。 在某种程度上来说,正是因为电源管理IC的大量发展,功率半导体才改称为电源管理半导体。也正是因为这么多的集成电路(IC)进入电源领域,人们才更多地以电源管理来称呼现阶段的电源技术。 电源管理半导体本中的主导部分是电源管理IC,大致可归纳为下述8种。 1、AC/DC调制IC。内含低电压控制电路及高压开关晶体管。 2、DC/DC调制IC。包括升压/降压调节器,以及电荷泵。 3、功率因数控制PFC预调制 IC。提供具有功率因数校正功能的电源输入电路。 4、脉冲调制或脉幅调制PWM/ PFM控制IC。为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器,用于驱动外部开关。 5、线性调制IC(如线性低压降稳压器LDO等)。包括正向和负向调节器,以及低压降LDO调制管。 6、电池充电和管理IC。包括电池充电、保护及电量显示IC,以及可进行电池数据通讯“智能”电池 IC。 7、热插板控制IC(免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响)。 8、MOSFET或IGBT的开关功能ic。 在这些电源管理IC中,电压调节IC是发展最快、产量最大的一部分。各种电源管理IC基本上和一些相关的应用相联系,所以针对不同应用,还可以列出更多类型的器件。 电源管理的技术趋势是高效能、低功耗、智能化。 提高效能涉及两个不同方面的内容:一方面想要保持能量转换的综合效率,同时还希望减小设备的尺寸;另一方面是保护尺寸不变,大幅度提高效能。 在交流/直流(AC/DC)变换中,低的通态电阻,符合计算机和电信应用中更加高效适配器和电源的需要。在电源电路设计方面,一般待机能耗已经降到1W以下,并可将电源效率提高至90%以上。要进一步降低现有待机能耗,则需要有新的IC制造工艺技术及在低功耗电路设计方面的突破。

    时间:2016-12-20 关键词: 电源 ic芯片

  • 86届电子展展商巡礼---北京远大创新科技有限公司

    2015年11月11日-13日,为期三天的年第86届中国电子展将在上海新国际博览中心隆重开幕。本届展会将是全中国乃至全亚洲电子行业的盛会,展会以“信息化推动工业化,电子技术促进产业升级”为主题,计划展会规模60000平方米,1200家展商、60000名买家和专业观众,在这里远大创新电子作为一家国内知名的贸易公司,将携新代理的多种新产品亮相展会。 北京远大创新电子有限公司是一家专业化的电子元器件供应商,具有相当的ic芯片销售经验,拥有大量的现货库存和直接的货源。我公司齐全的经营品牌,广泛的进货渠道,可为您提供军品级,工业级,通讯用,较偏门、冷门之高科技元器件。秉承“质量第一,价格合理,服务至上”的宗旨,和众多高科技企业、ic经销商、代理商确立了良好的合作关系.以薄利多销为经营理念,竭诚为广大新老用户提供优质服务,我们已经在深圳,上海,香港分别设有分公司,真正的做到了ic销售全球化。 真“芯”服务,诚“芯”待人,真诚是我们永远的宗旨.建立国际化销售网络,实现产品信息化管理,是本公司的目标。我们会以最好的服务,最全面的技术支持,最具竞争力的价格满足您的需求. 双赢互利是我们的一贯经营理念。我们期盼与业内朋友携手并进,共享高新科技的结晶,再创辉煌。 本届展会展示重点展示产品:DME500 高速低成本测距仪 DME 500 是一款基于 epc600 芯片的测距仪。其测距精度可达厘米级,且设计极具成本效益,测量范围从几厘米到10 米以上。固件能够在 90dB 的高动态范围内正常运行。然而,我们仍然对非球面透镜设计进行了优化,以尽可能减小动态范围。甚至在高达 500 次每秒的测量速率下,高动态范围仍然可用。 DME 500 已经通过充分的校准,因此用户可以直接读出距离的准确值。该设备被设计在一个重量很轻但是非常稳固的塑料框架内,使其可以被安装到快速旋转的转盘上。顶部和底部的安装柱提供了多样化的安装位置和理念。由于独创性的应用是测量运动物体的距离,从传感器角度而言,运动模糊通常会降低距离测量的性能。DME 500内置了运动模糊抑制以使其具有更佳的性能。当然,epc600 芯片的使用会为该设备增加温度补偿功能。所有的配置(大量)都是通过 UART 接口完成的。1MB/s的传输速率极大的缩短了通信时间,从而实现了快速系统。一体化的 EEPROM 保存了出厂设置和生产配置数据。 产品的应用领域 很多应用都能够通过这款易于使用且应用灵活的设备得以解决,可用于环境测绘的旋转扫描仪、液位测量、目标分类、目标检测、卡车进料台的监控、人或物体的计数(需要 2 台设备)、高度测量、照明控制等。另外公司各产品同行中的优势也很明显,本土代理商,贴近国内客户,拥有专业的销售团队。专注工业领域,以技术驱动创造客户需求。强大的电商能力,在北京、上海、深圳自有仓库,备有海量现货库存,缩短客户产品上市时间。

    时间:2015-08-31 关键词: 中国电子展 北京远大创新 ic芯片

  • IC芯片的晶圆级射频(RF)测试分析

     对于超薄介质,由于存在大的漏电和非线性,通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而,使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点,对于高性能/低成本数字电路,RF电路,以及模拟/数模混合电路中的器件,这方面的挑战也在增加。        减少使用RF技术的建议是在以下特定的假设下提出来: 假设RF技术不能有效地应用,尤其是在生产的环境下,这在过去的确一直是这种情况。   但是,现在新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数,几乎和DC测试一样容易。最重要的是,通过自动校准、去除处理(de-embedding)以及根据待测器件(DUT)特性进行参数提取,探针接触特性的自动调整,已经能够实现RF的完整测试。这方面的发展使得不必需要RF专家来保证得到好的测试结果。在生产实验室,根据中间测试结果或者操作需要,自动探针台和测试控制仪能够完成过去需要人为干涉的事情。世界范围内,已经有7家半导体公司验证了这种用于晶圆RF生产测试的系统。   RF测试的应用   无论你是利用III-V簇晶圆生产用于手机配件的RF芯片,还是利用硅技术生产高性能模拟电路,在研发和生产中预测最终产品的性能和可靠性,都需要晶圆级RF散射参数(s)的测量。这些测试对DC数据是重要的补充,相对于单纯的DC测试,它用更少的测试却能提供明显更多的信息。实际上,一个两通道的s参数扫描能同时提取阻抗和电容参数,而采用常规DC方法,则需要分开测试,甚至需要单独的结构以分离工艺控制需要的信息。   功放RF芯片的功能测试是这种性能的另外一种应用。这些器件非常复杂,然而价格波动大。生产中高频低压的测试条件排除了通常阻碍晶圆级测试的功耗问题。也不存在次品器件昂贵的封装费用。已知良品芯片技术也可以应用于晶圆级测试中,它能够明显改进使用RF芯片的模块的良率。   芯片制造商也可以利用晶圆级RF测试来提取各种高性能模拟和无线电路的品质因数。比如滤波器、混频器以及振荡器。SoC(System-on-chip)器件制造商希望这种子电路测试技术能够降低总体的测试成本。   130nm节点以下的高性能逻辑器件中,表征薄SiO2和高介电常数(high-k)栅介质的等效氧化层厚度(EOT)非常关键。RF测试在介电层的精确建模方面扮演了重要角色,它能够去除掉寄生元件,而这种寄生效应在传统的二元模型中将阻碍C-V数据的正确表示。中高频 (MFCV, HFCV) 电容测量技术不可能因为仪器而对测试引入串联阻抗。   标准I-V/C-V测试面临的挑战   产品研发阶段的设计工程师采用的仿真模型,包括从s参数数据提取的RF参数和I-V/C-V数据。先进的设计工具要求的是统计模型,不是单个的一套参数。这使得良率和功能特性的最优化成为可能。如果I-V和C-V参数基于统计结果,而RF不是的话,那么这个模型就是非物理的和不可靠的。   在有些情况下,比如电感、I-V和C-V信息的价值都非常有限。但是,Q在使用的频率之下,作为电感表征和控制的参数,则具有很高的价值。I-V和C-V测试中面临的挑战是要理解,什么时候它是产品特性的主要表征,什么时候不是。许多模拟和无线器件特性的只要表征参数是Ft和Fmax。理想的情况下,在第3谐波以外的使用情况下,它们是需要测量并提取出来的RF参数。对于数字和存储器产品,只要器件的模型保持简化,那么I-V和C-V对于有源和无源器件来说都是很有价值的测量项目。前面提到的,栅介质的测量具有复杂的C-V模型。 采用RF/RF C-V的顾虑   不可靠的测试会阻碍生产管理。好器件的坏测量结果被称为alpha错误。在生产中,这可能意味着有晶圆被误废弃。让人误解的ITRS信息,以及许多公司在他们的建模实验室经历缓慢、艰苦的过程,这些结合起来都使得工程师不情愿采用量产RF测试,他们认为会有高的alpha错误率。   人们还认识到生产能力和运营成本将是不可接受的,而且还需要高水准的技术支持来解释测量结果。没有可靠的校准、以及接触电阻问题所带来的重复测试,造成了早期的RF系统的低生产能力。过去旧系统的校准并不是对不同的测量频率配置都有效。高的运营成本还与手动测试黄金标准校正片有关系,它用的是软垫和昂贵的RF探针,这种探针会由于过度压划而很快坏掉,从而成本大增。市场上还有一种错误的理解,认为晶圆级的s参数测试需要专门的探针和卡盘。   生产中关于RF测试需要额外关注的方面:   ● 需要改变大量的测试结构。   ● 结果不稳定,随设备、人和时间的变化而发生变化。   ● RF专家必须照顾呵护每一台设备。   ● 对于不同的批次可能需要完全不同的处理和操作流程。   ● 怀疑这是否能够成为实时技术。   ● 实验室级别的结果不可靠。   fab在这些认知的基础上仍然维持现状,像“瞎苍蝇”一样进行着RF芯片、新栅极材料和其他先进器件的设计和工艺开发。结果是设计与工艺的相互作用,大大增加了成本和走向市场的时间,同时还伴随着更低的初始良率。   生产解决方案   使晶圆级RF测试成为生产工艺控制工具的关键在于测试的完全自动化。这意味着机器人要把晶圆、校准标准、探针卡传送到需要这些东西的地方。换句话说,设计测试系统时一个主要的目标是没有人为干预的情况下数据的完整性。   现在的第三代测试机台具有达到40GHz的这种测试能力。不像实验室的仪器,这些专门设计用于量产环境的测试机台,根据不同的应用,支持从6到65GHz的升级。要求第三代测试机台能够自动进行寄生去除处理,并根据DUT特性进行选择测试,这是获得可信的Cox, Fmax和Q值所面临的主要技术挑战。这些算法,再加上改进的互连技术,以及自动的校准过程,使得从s参数测试迅速准确地提取RF参数成为可能。   精确的寄生去除处理包括纠正随机的测量假象。比如,在一个特征阻抗为50Ω的系统中,接触电阻的任何变化都会限制测量的可重复性。设备制造商必须确定RF测试中所有不稳定的起源,从而在设计测量系统时有针对性地加以消除。系统互联的创新设计改进了系统中主要部件之间连接的可重复性。   设备制造商为了保证测量的可重复性,还要注意的其他方面如:测量自动化,探针接触阻抗的修正,探针变形量(overdrive)的调整,探针的清洁初始化。控制好探针的变形量以及必要时对探针进行清洗,这些都会明显延长探针的寿命,这会降低主要的耗材成本(每根RF探针价值大约$1000)。这应该也是测试机台统计过程控制的一部分。   在具有稳定已知的误差分布,以及不确定性特征的条件下,来源于收集数据的史密斯曲线就不会存在非物理假象;不再需要由专家来分析和解释这些结果了。在旧的系统中,RF测试专家需要对数据进行监控(跟踪每个测试系列的曲线等),寻找奇怪的、或者意外的测量结果,然后分析这些结果以确认它们代表的是工艺的变化,而不是测量的异常。   第三代参数测试仪通过改进逻辑方法使得持续监控RF测量成为现实,降低甚或消除了对于RF专家技术支持的需求。使用这些系统,不周生产层面的操作者能够通过大量的产品和生产设备获取可重复的、实时的测量结果。RF测试几乎和DC测试一样容易,它也成为完全表征晶圆器件时的必需之举。实际上,一套第三代系统可以同时进行DC和RF测试(见“RF测试的创新设计”)。这个系统包含了许多其他的改进,以提高产能,使它在工艺监控的量产晶圆级测试方面更实用。这些特点加速了建模实验室的测量工作,同时又不降低测量结果的实验室级别,从而缩短了研发周期和进入市场的时间。所有这些都可以通过简单的系统升级实现,而不必购买专用的探针台。当校准规格存储到探针台后,操作流程与单纯的DC测试一样,只有在周期性的设备保养时才会变化。

    时间:2012-06-08 关键词: 测试 rf 晶圆级 ic芯片

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