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通过自动动态开关测试研究 p-GaN HEMT 上的电应力
氮化镓(GaN)基功率半导体在功率转换方面具有许多优势。它们在许多应用中的使用不断增加，例如移动设备的电源适配器和数据中心的电源。横向高电子迁移率晶体管 (HEMT) 是应用最广泛的 GaN 器件。该器件的退化机制已被广泛研究并被纳入可靠性测试标准。
氮化镓(GaN)基功率半导体在功率转换方面具有许多优势。它们在许多应用中的使用不断增加，例如移动设备的电源适配器和数据中心的电源。横向高电子迁移率晶体管 (HEMT) 是应用最广泛的 GaN 器件。该器件的退化机制已被广泛研究并被纳入可靠性测试标准。
