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STT-MRAM自旋磁阻内存升级GF 12nm工艺
MRAM是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究，读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存，但同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，综合了传统内存、闪存的优点。
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第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产：不怕掉电 有望变革SSD
专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布，继去年底首次提供预产样品之后，现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。MRAM是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，In
