STT-MRAM自旋磁阻内存升级GF 12nm工艺

[导读]MRAM是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究，读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存，但同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，综合了传统内存、闪存的优点。

STT-MRAM则进一步通过自旋电流实现数据写入，具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点，只是容量密度提升困难，所以想取代内存、闪存暂时不现实，但非常适合用在各种嵌入式领域。

GF、Everspin的良好合作由来已久，2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的，单颗容量32MB，2019年的第二代则升级为GF 28nm，单颗容量翻了两番达到128MB。

就在日前，GF 22FDX工艺成功试产了eMRAM，-40℃到125℃环境下可工作10万个周期，数据保持可长达10年。

进一步升级到12nm，自然有利于进一步提升MRAM的容量密度，并继续降低成本，尤其是随着MRAM芯片容量的提高，迫切需要更先进的工艺。

GF 12nm工艺包括12LP、12LP+两个版本，虽然算不上多先进但也有广阔的用武之地。