什么是硅穿孔技术
三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠:单芯片容量提至24GB
福日HFC-2168彩电原理图
福日HFC-2125彩电原理图.
福日HFC-2109彩电原理图
福日HFC-2108彩电原理图
福日HFC-2025彩电原理图
超低低功耗物联网采集主板,移动openNB芯片开发,AEP平台
技术解决:开关量的两根探针直接导通耗电10ua,放入水中100多ua
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