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22纳米后EUV光刻还是电子束光刻？市场看法存分歧
浸润式微显影双重曝光能进一步延伸摩尔定律的寿命至32纳米，不过，22纳米以下究竟哪种技术得以出头，争议不断。据了解，台积电目前正积极研发22纳米以下直写式多重电子束(MEBDW)方案，并已有具体成果，但积极推动深紫
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纳米压印光刻：有望降低生产纳米压印模具成本
利用普林斯顿大学电机工程师周郁(Stephen Chou)发明的一种新式裂纹诱导(fracture-induced)构造工艺来生产电路图案模具，纳米压印光刻可能得到简化。作为纳米压印光刻设备制造商Nanonex Corp.的创始人，周郁期望他的最
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光刻行业遭双重打击 下一代技术面临难题
曾经看来大有希望的远紫外(EUV)光刻技术面临着重重困难，193纳米沉浸式技术似乎成为了必然的选择，但成本高昂，而且很难延伸到16纳米节点以下。半导体光刻工艺正面临着技术和成本方面的双重压力。 半导体光刻工艺面临
