22纳米后EUV光刻还是电子束光刻？市场看法存分歧

浸润式微显影双重曝光能进一步延伸摩尔定律的寿命至32纳米，不过，22纳米以下究竟哪种技术得以出头，争议不断。据了解，台积电目前正积极研发22纳米以下直写式多重电子束(MEBDW)方案，并已有具体成果，但积极推动深紫外光(EUV)的ASML则表示，目前已有数家客户下单，最快2009年便可出货，但哪种技术最终将「一统江湖」，尚未有定论。

ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波长可达13.5纳米，约是248波长的KrF显影设备的15分之1，尽管浸润式显影采用双重曝光技术可让摩尔定律延伸至32纳米，但仍是过度性产品，EUV才能最终克服22~15纳米，目前市场已有数家客户下单最快2009年出货供客户试产。目前ASML的EUV机种全球仅IBM的Albany实验室及欧洲微电子技术中心(IMEC)各拥1台，而英特尔(Intel)也是曾公开挺EUV的半导体业者。

ASML表示，浸润式显影已经遇到技术瓶颈，EUV则是最具潜力的接棒者。浸润式显影若寻求进一步技术突破，必须寻找其它的液体取代纯水，而聚焦镜头材料也要重新研发，这2种途径都已经出现瓶颈。半导体业者指出，目前取代纯水的液体包括有机、无机液体，不过，有机液体遇到193波长光源将出现质变等多重挑战。

台积电早期与ASML携手研发浸润式显影目前已进入第5代机种，不过，台积电目前对于进入22纳米以下，究竟采用EUV或直写式多重电子束，台积电的正式说法是未定论。目前全球研发电子束直写式的设备业者屈指可数，包括Mapper、科磊(KLA-Tencor)及日系业者JOEL，台积电内部与Mapper则紧密合作。台积电认为，若是EUV的光源能量不能有效提高，那么多重电子束则相对具成本竞争力，不过多重电子束本身的生产力也须再进一步提升。