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射极跟随器时的功率 MOSFET 的驱动
在现代电子电路设计中，功率 MOSFET 因其出色的特性，如高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度等，被广泛应用于各类功率转换和控制电路中，尤其是在高速开关电源等领域。而对于功率 MOSFET 的有效驱动是充分发挥其性能优势、确保电路稳定高效运行的关键环节。射极跟随器作为一种常见的电路结构，在功率 MOSFET 的驱动中有着独特的应用。
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聚焦电机驱动芯片：H 桥中的 N 型功率 MOSFET
在现代电子设备的复杂脉络中，电机作为实现电能与机械能相互转换的关键部件，广泛应用于从日常家电到高端工业设备等各个领域。而电机驱动芯片则如同电机的 “智慧大脑” 与 “动力心脏”，掌控着电机的运转。其中，每一个 H 桥的功率输出模块由 N 型功率 MOSFET 组成的电机驱动芯片，凭借独特性能在众多驱动方案中脱颖而出，成为推动电机高效、精准运行的核心力量。
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英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性
【2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有显著的性能优势。这使得全新 MOSFET 成为所有的标准和未来车用 40V MOSFET 应用的理想选择，如电动助力转向系统、制动系统、断开开关和新区域架构。OptiMOS 7 系列产品还可用于电池管理、电子保险丝盒以及 DC-DC 和 BLDC 驱动器。
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电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析
在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。
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48V 系统：高效、稳健地驱动功率 MOSFET
在功率逆变器系统架构和配置，需要用到 MOSFET 和高侧/低侧栅极驱动器，并且要评估将所有这些部分集成到一个健壮的系统中并有效地实施它需要彻底了解系统的损失机制，以及如何平衡权衡。在这篇文章中，我将讨论 48V 系统中的损耗机制、高侧和低侧栅极驱动器的设计权衡、寄生电感/电容以及印刷电路板 (PCB) 布局注意事项。
