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中国上海,2012年7月30日-上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功开发出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模块(具有单字节擦写能力)。宏力半导体先进的
中国上海,2012年7月30日-上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功开发出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模块(具有单字节擦写能力)。宏力半导体先进的
上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)宣布成功开发出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模块(具有单字节擦写能力)。 宏力半导体先进的0.13微米嵌入式非挥发性存储技术,第一次在0.13微米1.5伏低漏电
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中国上海,2012年7月30日-上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功开发出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模块(具有单字节擦写能力)。宏力半
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