你知道什么是Cool-MOS吗?对于常规VDMOS 器件结构, Rdson 与BV 这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI 参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI 参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson 就大了。Rdson直接决定着MOS 单体的损耗大小。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和,这就是常规VDMOS的局限性。但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。
英飞凌AIROC™ CYW20829蓝牙MCU 先锋体验活动
德州仪器蓝牙和射频芯片调试及批量生产工具介绍
C 语言灵魂 指针 黄金十一讲 之(10)
正点原子-手把手你学ALIENTEK LWIP
IT004知识茫茫多不知道该学哪个
内容不相关 内容错误 其它