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高温环境下电源可靠性设计：降额曲线与热插拔技术的协同优化
在数据中心、5G基站及新能源汽车等高温应用场景中，电源模块需同时承受85℃以上环境温度与100%负载的双重考验。传统降额设计虽能提升高温可靠性，但会牺牲功率密度；而热插拔技术虽支持在线维护，却可能因瞬态冲击加剧高温失效风险。本文结合TI、ADI、Infineon等厂商方案，解析降额曲线与热插拔技术的协同设计方法，实现高温环境下功率密度与可靠性的平衡。
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英飞凌推出OptiMOS™ Linear FET 2 MOSFET，赋能先进的热插拔技术和电池保护功能
【2024年11月25日, 德国慕尼黑讯】为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区（SOA）之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害，并因其低RDS(on) 而能够在工作期间将损耗降至最低。与上一代产品OptiMOS™ Linear FET相比，OptiMOS™ Linear FET 2改善了高温下的 SOA、降低了栅极漏电流，并扩大了封装选择范围。
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凌力尔特推出4µA超低静态电流热插拔控制器LTC4231：引领安全与效率的新篇章
在快速发展的电子行业中，热插拔技术因其能够在不关闭电源的情况下安全地插入或拔出电路板或电池，成为众多电子设备设计中的重要一环。然而，传统的热插拔解决方案往往伴随着较高的功耗和复杂的电路设计，限制了其在低功耗、高效率应用场合的推广。针对这一挑战，凌力尔特公司(Linear Technology Corporation，现已并入亚德诺半导体公司Analog Devices, Inc.)于2014年推出了LTC4231——一款具有4µA超低静态电流的热插拔控制器，为电子设备的热插拔技术带来了革命性的变革。
