英飞凌推出OptiMOS™ Linear FET 2 MOSFET，赋能先进的热插拔技术和电池保护功能

【2024年11月25日, 德国慕尼黑讯】为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on)。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区（SOA）之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害，并因其低RDS(on)而能够在工作期间将损耗降至最低。与上一代产品OptiMOS™ Linear FET相比，OptiMOS™ Linear FET 2改善了高温下的 SOA、降低了栅极漏电流，并扩大了封装选择范围。这使每个控制器可以并联更多的 MOSFET，不仅降低了物料（BOM）成本，还通过扩展产品组合为设计带来了更大的灵活性。

采用TOLL封装的OptiMOS™ Linear FET 2

100 V OptiMOS™ Linear FET 2采用 TO-leadless封装（TOLL）。与 RDS(on)相近的标准OptiMOS™ 5 相比，该器件在10 ms、54 V时的SOA高出12倍，在100 µs时的SOA高出 3.5 倍。后一项改进对于电池管理系统（BMS）在短路情况下进行电池保护尤为重要。在短路情况下，保障系统设计和可靠性的关键在于并联MOSFET之间的电流分配。OptiMOS™ 5 Linear FET 2通过优化传输特性改进了电流分配。凭借宽SOA和经过改进的电流分流，在元件数量由短路电流要求决定的设计中，元件数量最多可减少 60%。这实现了高功率密度、高效率且高度可靠的电池保护，可被广泛用于电动工具、电动自行车、电动摩托车、叉车、电池备用电源、纯电动汽车等领域。