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  • 润欣科技再度斩获 2020“十大最佳中国品牌分销商”及“五大技术支持分销商”大奖

    润欣科技再度斩获 2020“十大最佳中国品牌分销商”及“五大技术支持分销商”大奖

    2020年11月6日晚,全球电子技术领域最大的媒体集团 AspenCore 在深圳喜来登酒店隆重举办“2020年度全球电子元器件分销商卓越表现奖”颁奖典礼,这是电子元器件分销、原厂与终端制造商一年一度的聚会。 现场共颁发了“五大技术支持分销商”、“十大最佳中国品牌分销商”、“杰出电子商务平台”等多个奖项,旨在表彰支持电子产业发展的卓越品牌分销商及对电子创新与发展做出重要贡献的人士。该分销商卓越表现奖创办于 2001 年,19年来备受业界推崇。 由 ASPENCORE 全球资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选出得奖者,评选结果深受电子制造商信赖,是他们挑选分销商合作伙伴的重要参考。 润欣科技凭借二十年来在电子元器件分销行业的深厚积累,再度荣获“十大最佳中国品牌分销商”大奖,这已是润欣连续八年蝉联该奖项。 2020年是非常特殊的一年,新冠疫情与国际大环境的转变,给电子产业链带来巨大的风险和挑战,润欣科技作为国内领先的技术型分销商,坚持技术支持服务力拓市场,经过长期沉淀,已成为我国通讯与物联网行业具有较强竞争力的技术分销商之一,赢得诸多客户以及同行的肯定。当晚,还同时获得了“五大技术支持分销商”这个专业的技术奖项。 这是润欣科技连续两年同时斩获“十大最佳中国品牌分销商”和“五大技术支持分销商”两项重要大奖,彰显了上市公司品牌形象及技术实力! 未来,润欣科技将继续秉承“成为中国本土最优秀的半导体技术和增值服务提供商”的经营宗旨,坚守“以人为本、诚信服务、脚踏实地、尽力而为”的服务理念,广纳人才,致力于推动中国民族通讯基础材料产业的发展,维护本行业本国的利益,为本土客户提供高品质的芯片销售和专业技术服务。

    时间:2021-04-20 关键词: 电子元器件 物联网

  • 疫情防控勇担当 生产运营有保障

    疫情防控勇担当 生产运营有保障

    近日,北京大兴天宫院融汇社区局部疫情引起了大家的关注。 我公司生产运营地址位于大兴生物医药基地天贵街1号,隶属于生物医药基地和北臧村管辖范围,离融汇社区尚有一定距离。公司已按照大兴区有关部门要求,积极落实主体责任,严格执行各项疫情防控措施。目前,公司生产运营秩序正常,各项工作有序开展。 近期,北京局地及河北疫情暴发后,公司已进行多次环境采样,确保员工工作环境安全;进行全员核酸检测,关键岗位员工接种新冠疫苗,确保到岗员工身体健康;加强生产物资、产成品的进出厂防疫措施,确保产品出厂安全。同时,加强了日常防疫措施、环境消杀的执行与监督,坚持进行员工在岗期间的健康监测。 在持续加强疫情防控的当下,鸿远电子必将担当尽责,按照政府和有关部门要求做好疫情防控的各项工作。同时,也将尽全力保障生产运营工作有序开展,我们有信心能够保质、保量、稳定地为用户提供产品和服务,全力确保各用户单位科研生产进度。 感谢大家的信任与支持,我们一定会继续努力,持续提供高品质的产品与服务!

    时间:2021-04-20 关键词: 新冠疫苗 电子元器件

  • 调研指导送关怀 凝心聚力促发展

    调研指导送关怀 凝心聚力促发展

    3月10日下午,元六鸿远(苏州)电子科技有限公司迎来了中央财经大学国防经济与管理研究院高级研究员、原解放军后勤学院研究员、博士生导师、国防经济学科带头人、军队战略规划咨询委员会委员顾建一,中央军委战略规划办公室政策法规研究中心原主任张子利,苏州高新区经发委主任吴卫锋等领导和专家的莅临指导,集团副董事长郑小丹、鸿远苏州总经理吕鹏全程陪同。 集团副董事长郑小丹向调研组领导和专家一行详细汇报了关于企业发展、专家团队、核心技术、产品研发、产业布局等情况,以及如何用实际行动践行“发展企业,有益员工,服务社会,报效祖国”的企业宗旨。 顾建一教授认真听取了上述汇报,对公司在电子元器件领域做出的贡献给予了高度的赞扬和充分的肯定。同时,希望公司能够进一步加大原材料自主研发力度,拓宽产业化应用广度,继续提升企业的核心竞争力。 随后,调研组领导和专家实地参观了厂区环境,详细了解了公司的未来发展规划,并对公司的科研能力和企业发展提出了新的要求与期望。 集团副董事长郑小丹代表公司向领导和专家们的关心与支持表示衷心的感谢,并表示公司一定会坚守实业,努力奋进,不断优化企业管理,持续推进科技创新,为祖国的国防建设和社会经济发展贡献力量。 此次调研指导,承载着领导和专家对公司的关怀与鼓励,认可与期望。未来,鸿远人定将以更饱满的热情投入到企业发展中,朝着我们实业报国的理想不懈努力!

    时间:2021-04-20 关键词: 多层瓷介电容器 电子元器件

  • 国家航天局新闻宣传中心孟华主任一行莅临鸿远苏州公司

    国家航天局新闻宣传中心孟华主任一行莅临鸿远苏州公司

    2021年4月1日上午,国家航天局新闻宣传中心主任孟华、主任助理黄勇、音像处处长李阳、采编处干部崔力以及军工宏图公司总经理王晓宁一行,在苏州高新区领导唐济、李天明的陪同下,莅临元六鸿远(苏州)电子科技有限公司考察指导。集团副董事长郑小丹、鸿远苏州总经理吕鹏、行政副总经理周海波等人全程接待。 集团副董事长郑小丹向孟华主任及各位领导汇报了我公司的发展历程、经营情况及企业社会责任等工作,并陪同各位领导参观了公司展厅、生产车间及厂区环境。 孟华主任对我公司取得的成绩给予高度评价,作为一个民营企业,能数十年深耕于电子元器件领域,以“高可靠”的产品服务于众多国防重点工程任务,同时又在电子元器件国产化方面进行了大量的科研创新活动并取得多项积极的成果,非常不容易,这得益于公司优秀的企业文化和浓浓的报国情怀,值得敬佩。 孟华主任等领导一行与公司各位领导进行了交流座谈,并就企业未来经营发展、人才及区域优势、企业形象宣传等工作进行了深入沟通,还为公司提出了很多宝贵的建议。 集团副董事长郑小丹代表鸿远电子衷心地感谢各位领导的莅临指导,并表示,鸿远电子一定会继续秉持“发展企业,有益员工,服务社会,报效祖国”的企业宗旨,始终以实业报国为己任,不遗余力地在专业领域内精耕细作,开拓创新。立足新时代,追求新发展,为我国的国防建设和经济社会发展作出更大的贡献。

    时间:2021-04-20 关键词: 多层瓷介电容器 电子元器件

  • 迎产业东风,CEF首届中国基础电子元器件产业峰会圆满召开

    迎产业东风,CEF首届中国基础电子元器件产业峰会圆满召开

    4月9日,由中国电子展(CEF)组委会、深圳市电子信息产业联合会主办的首届中国基础电子元器件产业峰会在深圳福田会展中心隆重举行,峰会邀请产学研协领域的先进代表共同探讨当前基础元器件产业在十四五规划蓝图下的新趋势和新机遇,以及在垂直领域与5G、物联网等新兴应用的协同发展和赋能作用。 年初工信部印发《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》,为基础电子行业发展设立了总体目标,到2023年电子元器件销售总额要达到21000亿元,进一步巩固我国作为全球电子元器件生产大国的地位。政策利好,无疑给产业注入一剂强心剂,被业界誉为产业东风。 《行动计划》的推出势必激励产业创新,推动市场和应用。素有元器件风向标展会之称的中国电子展(CEF)以此为契机,4月9日在深圳首次举办电子元器件产业峰会,从基础电子角度切入产业发展。中国电子信息博览会组委会秘书长、深圳市电子信息产业联合会会长陈雯海先生在论坛致辞中表示,元件强基,是电子信息产业创新发展的根本,希望把基础元器件产业峰会做成品牌峰会并延续下去,通过聚焦基础电子元器件的关键核心技术发展方向,促进业界探讨交流,助力产业加快创新。 中国电子信息行业联合会专家委员会主任、教授博士生导师董云庭进行的“集成电路与产业全球化”主题演讲从产业市场规模、产业结构、人才缺失、创新滞后等方面分析我国集成电路产业的现状和挑战,并针对落后的局面提出了几点建议,他认为集成电路产业链全球化不会改变,各国应优势互补、合作共赢。 十四五规划将加快产业数字化转型,电子元器件作为基础而有战略意义的产业迎来发展机遇。赛迪智库电子信息研究所所长温晓君的“十四五电子元器件产业趋势与机遇”演讲中提到,产业重点领域的创新在于基础元器件,而非下游的终端应用,我国应建立多元化的产业体系,适应全球化的竞争环境,同时增强优势、补齐短板,从终端应用促进上游产业发展。 西人马高端芯片事业部总经理周强在“西人马的“芯”动力”演讲中,从产业的设计、制造、设备等的缺失说起,讲述西人马如何从人才和研发发力,形成具备核心优势的解决方案并运用到不同的应用场景中。 青岛海信宽带多媒体技术有限公司创始人、首席科学家黄卫平分享了在信息光电子芯片国产化策略与路径的思考和建议。他表示光电子芯片属于半导体范畴,在很长一段时间里没有获得重视,在十四五规划提出后这个问题得到了很好的重新定位,将会有更多人意识到其未来在信息系统中所起的作用越来越重要。 中国信息产业商会电子元器件应用与供应链分会副理事长吴振洲向与会观众介绍了中国信息产业商会元器件应用与供应链分会ECAS在进行“安全稳定的芯片供应链问卷调查”的过程中的一些发现。这项调查从四个纬度,即购销、标准、产学研、本土化,探明电子制造产业链上下游的企业,包括元器件制造商、原厂、代理商、贸易商、下游终端集团企业面临的真实现状和潜在的问题。 首届基础电子元器件产业峰会让嘉宾、与会者在思想碰撞中加深了彼此之间的认识,对于基础电子元器件产业的了解也有一个清晰轮廓。路漫漫,唯有携手并进,方能共创共赢,在《行动计划》的指引下,基础电子元器件产业峰会将持续推进产业协同,助力电子信息产业快速高质量发展。 与会嘉宾纷纷表示,国家关于基础电子元器件产业三年《行动计划》刚出台,首届电子元器件产业峰会的推出意义重大,将持续关注中国电子展CEF和基础电子元器件产业峰会,关注CEF每年三次在深圳、上海和成都聚焦元器件产业的应用场景展现。

    时间:2021-04-10 关键词: 集成电路 电子元器件

  • 硬之城品牌·业务升级,联合多家银行助力产业发展

    硬之城品牌·业务升级,联合多家银行助力产业发展

    4月6日下午,电子产业供应链与智造平台硬之城在深圳福田召开了“2021年品牌·业务升级暨银行战略签约仪式”。会上,全新升级后的硬之城品牌VI与业务板块终于正式官宣,硬之城与中国银行、杭州银行、宁波银行、深圳南山宝生村镇银行分别签订了授信项目,授信总额达12亿元。 现场,硬之城创始人、CEO李六七介绍了全新升级的VI视觉体系。“新的logo以硬之城英文‘Allchips’首写字母A演变而来,集中体现企业与电子元器件、集成电路的紧密关系,相较于过去的品牌形象,新logo更突出了数据处理能力和速度”。李六七表示,“我们希望新品牌形象的发布,能够激励整个团队勇攀一座又一座高峰,也能够让更多的中小企业客户更好地认识一个崭新的硬之城。” (企业供图,下同) 随后,李六七介绍了硬之城业务升级后的服务内容,包括智造工厂——PCBA服务、协同系统(DSM-S)等。他表示,硬之城今年在战略布局上启动了智造工厂,对下游的贴片工厂进行数字化、标签化,满足多样化的产能需求。 李六七表示,平台的主要功能是实现智能“派单”——把供给侧的工厂进行智能分类,在需求侧把不同类别的工厂精准匹配给各个订单需求方。此外,通过硬之城的协同系统,能够为各个客户提供覆盖全周期的供应链解决方案,不仅满足一个样品起订的客户需求,也满足中、小批量规模生产的需求。 为了更快速地满足市场需求与更好地服务中小企业客户,现场还举行了签约授信仪式。硬之城与参会的中国银行、杭州银行、宁波银行、深圳南山宝生村镇银行签订了授信协议,授信总额达12亿元。 据了解,硬之城与银行双方将从中长期信贷投放、降低企业融资成本、协同优化金融服务体系等方面入手,建立信息共享机制,收集制造业企业中长期融资需求,梳理重点项目、优势企业等清单,及时对接金融机构,帮助企业解决融资难题。 眼下,中国电子工业仍在持续高速增长,未来电子元器件产业也将继续强势发展。接下来,硬之城将致力于赋能上下游,提高产业链生产、流通效率,提升中小企业竞争力,助力中国芯走向世界。

    时间:2021-04-08 关键词: 集成电路 硬之城 电子元器件

  • 预增!扬杰科技:预计2021年第一季度净利润约1.22亿元~1.39亿元,同比增长120%~150%

    扬杰科技3月11日晚间发布业绩预告,预计2021年第一季度归属于上市公司股东的净利润约1.22亿元~1.39亿元,同比增长120%~150%;业绩变动主要原因是,2020年受疫情影响,一季度复工率低。2021年经济复苏,功率半导体国产替代加速,产销两旺,产能利用率提升。公司前几年在研发上的大力投入逐步释放效益,新产品的业绩突出,MOS、小信号、IGBT及模块等产品的业绩同比增长都在100%以上,环比亦有增长;国家对新能源产业出台利好政策,公司抢抓机遇,积极扩大市场份额,配套产品的业绩同比增长在100%以上。 周四,抱团股全线大涨,沪指反弹近80点,收出光头大阳线。多头总算长舒一口气,关键是,盘后又一个重要的利好信号出现了,明天的行情是不是很期待?道达号“个股趋势”提醒:1. 扬杰科技近30日内北向资金持股量增加38.83万股,占流通股比例增加0.09%;2. 近30日内无机构对扬杰科技进行调研;3. 根据各大券商对扬杰科技净利润的预测,扬杰科技2021年一季度预测净利润平均值为1.19亿元。扬杰科技去年同期净利润为5559.18万元

    时间:2021-04-05 关键词: 功率半导体 电子元器件

  • 丹邦科技否认财务作假,实控人刘萍曾陷假学历风波

    作者:星期五

    时间:2021-04-04 关键词: 集成电路 丹邦科技 电子元器件

  • 只需8张图,让你彻底理解三极管的开关功能

    晶体管(三极管)的功能之一就是作为开关,利用其截止特性,实现开关功能。但是很多人并不能很好的理解三极管的开关功能,下面以8个实例图片,生动的阐述三极管作为开关的功能。 1 低边开关 2 高边开关 3 基极电阻 4 非门电路 5 与门 6 或门 7 H桥 8 振荡器 版权归原作者所有,如有侵权,请联系删除。 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2021-02-20 关键词: 晶体管 三极管 电子元器件

  • “最佳人气企业”荣耀揭晓!2020年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产…

    “最佳人气企业”荣耀揭晓!2020年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产…

    截止至2021年2月3日24:00整,“2020年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”公众投票圆满收官!本次网络投票活动得到电子元器件行业各企业的踊跃支持,截止投票活动结束时共斩获近100.14万有效票数,其中,深圳市华之海实业有限公司、深圳昊福锐电子科技有限公司、深圳市安芯美电子有限公司、深圳市展创电子有限公司、深圳顺络电子股份有限公司分别以39624票、39532票、29340票、28796票、27512票位列总票数前五名,将直接获得“2020年度华强电子网最佳人气企业”奖,率先进入获奖榜单! 据悉,“2020年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选活动”于2020年12月17日正式启动,截止目前已完成前期企业提名、专家筛选、公众投票三个阶段,并将于2021年2月23日-3月1日进入专家评审阶段(2021.2.4-2021.2.22春节期间暂停)。 此次专家评审阶段组委会将特邀行业权威专家评审团对入围的350家候选企业进行最终评审,根据入围企业的资质、知名度、品牌优势、经营规模、年营业额、行业口碑、企业荣誉及网络投票等多项维度进行综合评审评分,评选结果将以公众投票(40%)+专家评审(40%)+增值分(20%)等综合权重排名得出,最终评选出“2020年度华强电子网优质供应商”20家、“2020年度华强电子网最具诚信企业”10家、“2020年度电子元器件行业优秀国产品牌”奖项、“2020年度华强电子网最受关注国产品牌”奖项以及“2020年度华强电子网快递宝出货量TOP10企业”等获奖企业。 届时,华强电子网将隆重举办颁奖盛典,为各获奖企业进行现场颁奖,并邀请行业大咖,知名专家及有影响力的主流媒体共同见证2020年度优秀企业的荣誉时刻!

    时间:2021-02-05 关键词: 电子元器件

  • 工信部:到2023年电子元器件销售总额达到21000亿元

    工信部:到2023年电子元器件销售总额达到21000亿元

    近日,工业和信息化部印发《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》,计划中提出对电子元器件到2023年的总体目标,电子元器件销售总额达到21000亿元,力争15家企业营收规模突破100亿元,行业总体创新投入进一步提升,射频滤波器、高速连接器、片式多层陶瓷电容器、光通信器件等重点产品专利布局更加完善。 电子元器件是支撑信息技术产业发展的基石,也是保障产业链供应链安全稳定的关键,为加快电子元器件产业高质量发展,推动产业基础高级化、产业链现代化,促进我国信息技术产业发展,工业和信息化部近日印发了《基础电子元器件产业发展行动计划(2021—2023年)》。 《行动计划》以推动高质量发展为主题,以深化供给侧改革为主线,以改革创新为根本动力,以做强电子元器件产业、夯实信息技术产业基础为目标,明确提出要面向智能终端、5G、工业互联网、数据中心、新能源汽车等重点市场,推动基础电子元器件产业实现突破,并增强关键材料、设备仪器等供应链保障能力。 同时,针对当前产业发展存在不足,《行动计划》提出要实施重点产品高端提升、重点市场应用推广、智能制造、绿色制造等行动,并开展提升产业创新能力、强化市场应用推广、夯实配套产业基础、引导产业转型升级、促进行业质量提升、加强公共平台建设、完善人才引育机制等重点工作,推动基础电子元器件产业提质增效,加快提升产业链供应链现代化水平。 关于印发《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》的通知 工信部电子〔2021〕5号 各省、自治区、直辖市及计划单列市、新疆生产建设兵团工业和信息化主管部门,各有关单位:   现将《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》印发给你们,请结合实际认真贯彻落实。 工业和信息化部 2021年1月15日 基础电子元器件产业发展行动计划 (2021—2023年)     信息技术产业是关系国民经济安全和发展的战略性、基础性、先导性产业,也是世界主要国家高度重视、全力布局的竞争高地。电子元器件是支撑信息技术产业发展的基石,也是保障产业链供应链安全稳定的关键。当前我国电子元器件产业存在整体大而不强、龙头企业匮乏、创新能力不足等问题,制约信息技术产业发展。面对百年未有之大变局和产业大升级、行业大融合的态势,加快电子元器件及配套材料和设备仪器等基础电子产业发展,对推进信息技术产业基础高级化、产业链现代化,乃至实现国民经济高质量发展具有重要意义。为深入贯彻落实党中央、国务院决策部署,持续提升保障能力和产业化水平,支持电子元器件领域关键短板产品及技术攻关,特制定本行动计划。 一 总体要求   (一)指导思想   以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,全面贯彻落实党的十九大和十九届二中、三中、四中、五中全会精神,以推动高质量发展为主题,以深化供给侧结构性改革为主线,以改革创新为根本动力,以做强电子元器件产业、夯实信息技术产业基础为目标,以关键核心技术为主攻方向,支持重点行业市场应用,建立健全产业链配套体系,推动基础电子元器件产业实现高质量发展,保障国家信息技术产业安全。    (二)总体目标   到2023年,优势产品竞争力进一步增强,产业链安全供应水平显著提升,面向智能终端、5G、工业互联网等重要行业,推动基础电子元器件实现突破,增强关键材料、设备仪器等供应链保障能力,提升产业链供应链现代化水平。    ——产业规模不断壮大。电子元器件销售总额达到21000亿元,进一步巩固我国作为全球电子元器件生产大国的地位,充分满足信息技术市场规模需求。    ——技术创新取得突破。突破一批电子元器件关键技术,行业总体创新投入进一步提升,射频滤波器、高速连接器、片式多层陶瓷电容器、光通信器件等重点产品专利布局更加完善。    ——企业发展成效明显。形成一批具有国际竞争优势的电子元器件企业,力争15家企业营收规模突破100亿元,龙头企业营收规模和综合实力有效提升,抗风险和再投入能力明显增强。 二 重点工作    (一)提升产业创新能力    攻克关键核心技术。实施重点产品高端提升行动,面向电路类元器件等重点产品,突破制约行业发展的专利、技术壁垒,补足电子元器件发展短板,保障产业链供应链安全稳定。 专栏1  重点产品高端提升行动 电路类元器件。 重点发展微型化、片式化阻容感元件,高频率、高精度频率元器件,耐高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块,小型化、高可靠、高灵敏度电子防护器件,高性能、多功能、高密度混合集成电路。 连接类元器件。 重点发展高频高速、低损耗、小型化的光电连接器,超高速、超低损耗、低成本的光纤光缆,耐高压、耐高温、高抗拉强度电气装备线缆,高频高速、高层高密度印制电路板、集成电路封装基板、特种印制电路板。 机电类元器件。 重点发展高压、大电流、小型化、低功耗控制继电器,小型化、高可靠开关按钮,小型化、集成化、高精密、高效节能微特电机。 传感类元器件。重点发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件,温度、气体、位移、速度、光电、生化等类别的高端传感器,新型MEMS传感器和智能传感器,微型化、智能化的电声器件。 功能材料类元件。重点发展高磁能积、高矫顽力永磁元件,高磁导率、低磁损耗软磁元件,高导热、电绝缘、低损耗、无铅环保的电子陶瓷元件。 光通信器件。重点发展高速光通信芯片、高速高精度光探测器、高速直调和外调制激光器、高速调制器芯片、高功率激光器、光传输用数字信号处理器芯片、高速驱动器和跨阻抗放大器芯片。    构建多层次联合创新体系。支持企业、高等院校及科研院所加强合作,在电子元器件领域探索成立制造业创新中心,加大关键共性技术、前沿引领技术、现代工程技术、颠覆性技术研发力度,搭建产学研用紧密结合的协同创新和成果转化平台。鼓励各地围绕特色或细分领域,开展关键技术研发与产业化,形成差异化发展。    完善知识产权布局。鼓励企业、高等院校及科研院所提升知识产权保护意识,完善知识产权管理制度并开展国内外知识产权布局。探索建立专利池,围绕电子元器件开展专利分析和预警。开展知识产权试点企业培育工作。    (二)强化市场应用推广   支持重点行业市场应用。实施重点市场应用推广行动,在智能终端、5G、工业互联网和数据中心、智能网联汽车等重点行业推动电子元器件差异化应用,加速产品吸引社会资源,迭代升级。 专栏2  重点市场应用推广行动 智能终端市场。 瞄准智能手机、穿戴式设备、无人机、VR/AR设备、环境监测设备等智能终端市场,推动微型片式阻容元件、微型大电流电感器、微型射频滤波器、微型传感器、微特电机、高端锂电等片式化、微型化、轻型化、柔性化、高性能的电子元器件应用。 5G、工业互联网和数据中心市场。 抢抓全球5G和工业互联网契机,围绕5G网络、工业互联网和数据中心建设,重点推进射频阻容元件、中高频元器件、特种印制电路板、高速传输线缆及连接组件、光通信器件等影响通信设备高速传输的电子元器件应用。 新能源汽车和智能网联汽车市场。 把握传统汽车向电动化、智能化、网联化的新能源汽车和智能网联汽车转型的市场机遇,重点推动车规级传感器、电容器(含超级电容器)、电阻器、频率元器件、连接器与线缆组件、微特电机、控制继电器、新型化学和物理电池等电子元器件应用。 工业自动化设备市场。利用我国工业领域自动化、智能化升级的机遇,面向工业机器人和智能控制系统等领域,重点推进伺服电机、控制继电器、传感器、光纤光缆、光通信器件等工业级电子元器件的应用。 高端装备制造市场。面向我国蓬勃发展的高铁列车、民用航空航天、海洋工程装备、高技术船舶、能源装备等高端装备制造领域,推动海底光电缆、水下连接器、功率器件、高压直流继电器等高可靠电子元器件的应用。    强化产业链深层次合作。推动电子元器件及其配套材料和设备仪器企业、整机企业加强联动,共同开展产品研制,加快新型电子元器件的产业化应用。引导上下游企业通过战略联盟、资本合作、技术联动等方式,形成稳定合作关系。    加速创新型产品应用推广。面向人工智能、先进计算、物联网、新能源、新基建等新兴需求,开发重点应用领域急需的小型化、高性能、高效率、高可靠电子元器件,推动整机企业积极应用创新型产品,加速元器件产品迭代升级。    (三)夯实配套产业基础   突破关键材料技术。支持电子元器件上游电子陶瓷材料、磁性材料、电池材料等电子功能材料,电子浆料等工艺与辅助材料,高端印制电路板材料等封装与装联材料的研发和生产。提升配套能力,推动关键环节电子专用材料研发与产业化。    提升设备仪器配套能力。支持技术难度大、应用价值高、通用性强、对电子元器件行业带动大的配套电子专用设备与仪器,如刻蚀显影设备等工艺设备、显微CT等检测分析仪器的研发及产业化,提升设备仪器质量和可靠性水平。    健全产业配套体系。鼓励和引导化工、有色金属、轻工机械、设备仪器等企业进入电子元器件领域,开展关键材料、设备的研发和生产,推进产学研用协同创新,实现全产业链协同发展,增强试验验证能力,提升关键环节配套水平。    (四)引导产业转型升级   提升智能化水平。引导企业搭建数字化设计平台、全环境仿真平台和材料、工艺、失效分析数据库,基于机器学习与人工智能技术,推进关键工序数字化、网络化改造,优化生产工艺及质量管控系统,开展智能工厂建设,提升智能制造水平。 专栏3   智能制造推进行动 推广智能化设计。 引导国内软件企业开发各类电子元器件仿真设计软件,鼓励使用虚拟现实、数字孪生等先进技术开展工业设计,提高企业设计水平。 加快智能化改造。 围绕连接器与线缆组件、电子变压器、电声器件、微特电机等用工量大且以小批量、多批次订单为主的分支行业,探索和推广模块化、数字化生产方式,加快智能化升级。 培育工业互联网平台。 鼓励和支持产业基础较好的分支行业,探索工业互联网建设模式,鼓励龙头企业面向行业开放共享业务系统,带动产业链上下游企业开展协同设计和协同供应链管理。    推广绿色制造。推进全行业节能节水技术改造,加快应用清洁高效生产工艺,开展清洁生产,降低能耗和污染物排放强度,实现绿色生产。优化电子元器件产品结构设计,开发高附加值、低消耗、低排放产品。制定电子元器件行业绿色制造相关标准,完善绿色制造体系。 专栏4   绿色制造提升行动 建设绿色工厂。 按照厂房集约化、原料无害化、生产洁净化、废物资源化、能源低碳化原则引导电子元器件企业建设绿色工厂,加大节能环保投入,实施节能环保技术提升工程,鼓励企业采用信息化、智能化技术处理污染物并实时监控,将企业的环保执行措施与企业信用等级挂钩。 生产绿色产品。 严格执行《电器电子产品有害物质限制使用管理办法》等政策,鼓励骨干企业开展产品全生命周期的绿色化设计,加快轻量化、模块化、集成化、高可靠、长寿命、易回收的新型电子元器件产品应用。 发展绿色园区。 加强电子元器件相关产业园区企业与其他企业的合作,推动基础设施共建共享。发展循环经济,加强余热余压废热资源和水资源循环利用。 搭建绿色供应链。支持骨干企业实施可持续的绿色供应链管理战略,实施绿色伙伴式供应商管理,加强对上游供应商的环保考核,优先将绿色工厂发展成供应商,优先采购绿色产品。    培育优质企业。鼓励龙头企业通过兼并重组、资本运作等方式整合资源、扩大生产规模、增强核心竞争力、提高合规履责和抗风险能力。培育一批具有自主知识产权、产品附加值高、有核心竞争力的专精特新“小巨人”和制造业单项冠军企业。    (五)促进行业质量提升   加强标准化工作。加强关键核心技术和基础共性技术的标准研制,持续提升标准的供给质量和水平。引导社会团体加快制定发布具有创新性和国际性的团体标准。鼓励企事业单位和专家积极参与国际标准化活动,开展国际标准制定。    提升质量品牌效益。优化产品设计、改造技术设备、完善检验检测,推广先进质量文化与技术。引导企业建立以质量为基础的品牌发展战略,丰富品牌内涵,提升品牌形象和影响力。开展质量兴业、品牌培育等活动,定期发布质量品牌报告。    优化市场环境。引导终端企业优化电子元器件产品采购模式,倡导优质廉价,避免低价恶性竞争、哄抬价格、肆意炒作等非理性市场行为,推动构建公平、公正、开放、有序的市场竞争环境。    (六)加强公共平台建设   建设分析评价公共平台。支持有能力、有资质的企事业单位建设国家级电子元器件分析评价公共服务平台,加强质量品质和技术等级分类标准建设,围绕电子元器件各领域开展产品检测分析、评级、可靠性、应用验证等服务,为电子系统整机设计、物料选型提供依据。    建设科技服务平台。支持地方、园区、企事业单位建设一批公共服务平台,开展知识产权培训与交易、科技成果评价、市场战略研究等服务。鼓励建设专用电子元器件生产线,为MEMS传感器、滤波器、光通信模块驱动芯片等提供流片服务。    建设创新创业孵化平台。支持电子元器件领域众创、众包、众扶、众筹等创业支撑平台建设,推动建立一批基础电子元器件产业生态孵化器、加速器,鼓励为初创企业提供资金、技术、市场应用及推广等扶持。    (七)完善人才引育机制   加大人才培养力度。深化产教融合,推动高等院校优化相关学科建设和专业布局。鼓励企业建立企业研究院、院士和博士后工作站等创新平台,建立校企结合的人才综合培训和实践基地,支持企业开展员工国内外在职教育培训。    加强人才引进培育。多渠道引进高端人才和青年人才,加快形成具有国际领先水平的专家队伍。发挥行业组织及大专、高等院校作用,鼓励企业培育和引进掌握关键技术的科技领军人才和团队,为产业发展提供智力支持。    引导人才合理流动。引导企业通过合规途径招聘人才,保障人才在企业间的正常流动,加强职业道德宣传,降低人员流动损失,鼓励企业为人才创造有利的成长空间,提升福利待遇,完善人才职业晋升通道,提升电子元器件行业人才归属感。 三 保障措施    (一)加强产业统筹协调。建立健全电子元器件产业发展协调机制,加强协同配合和统筹推进,积极推动解决产业发展中重大事项和重点工作。加强央地合作,指导各地统筹规划基础电子元器件重点项目布局,适时推进主体集中和区域集聚。做好重点领域监测分析和跟踪研究,加强与现行相关政策衔接,有序推进各项行动。    (二)加大政策支持力度。围绕电子元器件产业,推动生产、应用、融资等合作衔接,加快市场化推广应用。充分利用产业基础再造等渠道支持创新突破。鼓励制造业转型升级基金等加大投资力度,引导地方投资基金协同支持。发挥市场机制作用,鼓励社会资本参与,吸引风险投资、融资租赁等多元化资金支持产业发展。    (三)优化产业发展环境。加强对电子元器件行业垄断、倾销、价格保护、侵犯知识产权等不正当竞争行为的预警和防范,维护公平竞争、健康有序的市场发展环境。促进行业诚信经营、依法纳税、节能环保、和谐用工。引导电子元器件行业信用体系建设,推行企业产品标准、质量、安全自我声明和监督制度。    (四)深化国际交流合作。落实“一带一路”倡议,拓展电子元器件产业国际交流合作渠道,加强与相关国际组织、标准化机构等交流沟通,推动与国际先进技术及产业链对接。推动电子元器件产业国内国际相互促进,鼓励全球领先企业来华设立生产基地和研发机构,支持骨干企业开拓海外市场,与境外机构开展多种形式的技术、人才、资本等合作,构建开放发展、合作共赢的产业格局。 来源:工信微报 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2021-02-01 关键词: 光通信 射频滤波器 电子元器件

  • 力源信息并购3公司商誉集体“爆雷”,2020年预亏18亿元

     ━━━━━━ 1月27日,力源信息(300184.SZ)发布2020年业绩预告,预计2020年实现营收103.00亿-104.00亿元,同比下降20.80%-21.56%;预计实现净亏损16.00亿-18.00亿元,2019年同期盈利1.92亿元。 (来源:力源信息公告) 力源信息是一家电子元器件代理及分销商,主营业务包括上游电子元器件的代理分销业务及自研芯片业务、下游解决方案和模块的研发、生产、销售以及泛在电力物联网终端产品的研发、生产及销售。 对于业绩下降,力源信息在公告中表示,2020年,由于疫情因素影响,再加上美国政府对中国高科技产业掀起新一轮疯狂打压,力源信息对华为的间接销售也随之逐级下降,力源信息的索尼CMOS传感器芯片全年销售收入从2019年略超80亿元,下降到2020年接近50亿元。 同时,泛在电力物联网行业受到疫情严重冲击,电力计量采集解决方案业务因下游客户项目受到疫情影响导致相关产品招标及安装延迟,出货量减少。 另外,力源信息对收购深圳鼎芯、南京飞腾、武汉帕太时形成的商誉进行了初步减值测试,预计计提商誉减值金额18.00亿-19.50亿元。其中,武汉帕太计提15.70亿-16.80亿元,南京飞腾计提1.80亿-2.10亿元,深圳鼎芯计提5000万-6000万元,由此导致2020年度业绩亏损。 力源信息还表示,2021年,美国新政府上台后,华为手机能否迎来转机、荣耀手机从华为剥离后能否规避制裁打压,力源信息将采取积极措施应对。同时,2021年,将努力加大对小米、OPPO、vivo等非华为客户的销售力度。预计2021下半年将有新的自研芯片面市。 截至2021年1月27日,力源信息收报3.50元/股,跌19.91%。 (本文仅供参考,不构成投资建议,据此操作风险自担) 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2021-02-01 关键词: 芯片 力源信息 电子元器件

  • 2020年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选投票进入一周倒计时

    2020年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选投票进入一周倒计时

    据悉,2020年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选公众投票环节正式进入最后一周投票倒计时!本次投票环节于1月20日正式开启,投票时间为1月20日-2月3日(15天)。此次公众投票将直接产生“最佳人气企业”,由最终投票总数排名前5名的企业获得“2020年度华强电子网最佳人气企业”奖。 “公众投票”环节启动一周以来,2020年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选活动在电子行业掀起一阵热潮,截止目前已获得近53万有效总票数。经过一周的投票精彩角逐,深圳昊福锐电子科技有限公司、深圳市华之海实业有限公司、安徽翔胜科技有限公司分别以17038票、14946票、14876票位列前三名,深圳市展创电子有限公司、深圳市纳芯创展科技有限公司紧跟其后。电子元器件行业各企业王者角逐正在激烈进行时,最后一周,花落谁家?让我们拭目以待! 投票期间,只要参与投票的用户,即有机会瓜分现金红包赢取千元京东卡,投票签到满7天则每天可额外获得5票为心仪企业打CALL。礼品已陆续送达中奖用户手中,事不宜迟,马上为心仪的候选企业投票吧!(每天可投50票,投票越多中奖概率越高哦!) 手机移动端扫描下方海报二维码进行投票,PC端投票链接:http://zhuanti.hqew.com/supplier2020/vote

    时间:2021-01-28 关键词: IC 电子元器件

  • 常见电子元器件等效电路汇总

    电子元器件的等效电路对电路分析非常有用,可以帮助理解该元器件在电路中的工作原理,可以深入了解该元器件的相关特性。 贴片电容器等效电路 下图所示是贴片电容器的等效电路。 从等效电路可以看出,电容器除电容外还有寄生电感L和寄生电阻R,尽管L值和R值都很小,但是在工作频率很高时电感会起作用,电感L与电容C构成一个LC串联谐振电路。 有引脚电容器等效电路 下图所示是有引脚电容器的等效电路。 它与贴片电容器相比,其等效电路中多了引脚分布电感,它也有高频串联谐振的特性。 有极性电解电容等效电路 下图所示是有极性电解电容器的等效电路,这是没有考虑引脚分布参数时的等效电路。 等效电路中,C1位电容,R1为两电极之间的漏电阻,VD1为具有单向导通特性的氧化膜。 大容量电解电容器等效电路 电解电容器是一种低频电容器,即它主要工作在频率较低的电路中,不宜工作在频率较高的电路中,因为电解电容器的高频特性不好,容量很大的电解电容器其高频特新更差。 下图所示是大容量电解电容器等效电路,从图中可以找到大容量电解电容器高频特性差的原因。 从等效电路中可以看出,串连一只等效电感L0,当电解电容的容量越大时,等效电感L0也越大,高频特性越差。 普通晶闸管等效电路 下图所示是普通晶闸管结构示意图和等效电路。 从等效电路中可以看出,普通晶闸管相当于两只三极管进行一定方式的连接后的电路。 双向晶闸管等效电路 下图所示是双向晶闸管结构示意图和等效电路。 从等效电路中可以看出,双向晶闸管相当于两只普通晶闸管反向并联。 四极晶闸管等效电路 下图所示是四极晶闸管结构示意图和等效电路。 逆导晶闸管的等效电路 下图所示是逆导晶闸管的等效电路。 从等效电路中可以看出,逆导晶闸管相当于在普通晶闸管上反向并联一只二极管。 BTG晶闸管等效电路 下图所示是BTG晶闸管结构示意图和等效电路。 光控晶闸管等效电路 下图所示是光控晶闸管结构示意图和等效电路。 电阻器的等效电路 下图所示为电阻器的等效电路。等效电路中,R为标称电阻器,L为分布电感,C为分布电容。由于分布电感L和分布电容C均很小,所以当电阻器的工作频率不是很高时,它们的影响都可以不考虑。 在工作频率很高的电路中,应该使用高频电阻器,它们的分布电感L和分布电容C比普通电阻器的更小。 压敏电阻器等效电路 下图所示是压敏电阻器等效电路。等效电路中,Rn是晶界电阻,C是晶界电容,Rb是晶粒电阻。 下图是压敏电阻器伏-安特性曲线中的3个工作区示意图,它的3个工作区包括预击穿区、击穿区和上升区。 电感器等效电路 电感器固有电容又称为分布电容和寄生电容,它是由各种因素造成的,相当于并联在电感线圈两端的一个总的等效电容。 下图所示是电感器等效电路,电容C为电感器的固有电容,R为线圈的直流电阻,L为电感。 电感L与等效电容C构成一个LC并联谐振电路,这一电路将影响电感器的有效电感量的稳定性。 当电感器工作在高频电路中时,由于频率高,容抗小,所以等效电容对电路工作影响大,为此要尽量减小电感线圈的固有电容。 当电感器工作在低频电路中时,由于等效电容的容量很小,工作频率低时它的容抗很大,故相当于开路,所以对电路工作影响不大。 不同应用场合对电感器不同参数的要求是不同的,只有了解了这些参数的具体含义,才能正确使用这些参数。 变容二极管等效电路 下图所示是变容二极管等效电路。 等效电路中的C为可变结电容,它可近似看成为变容二极管的总电容,它包括结电容、外壳电容及其它分布电容。R是串联电阻,它包括PN结电阻、引线电阻及接线电阻;L是引线电感。 双向触发二极管等效电路 下图所示是双向触发二极管结构示意图和等效电路。 石英晶振等效电路 下图所示是石英晶振等效电路。从等效电路中可以看出,石英晶振相当于一个LC串联谐振电路。 陶瓷滤波器等效电路 图所示是陶瓷滤波器等效电路。陶瓷滤波器由1个或多个压电振子组成,双端陶瓷滤波器等效为一个LC串联谐振电路。由LC串联谐振电路特性可知,谐振时该电路的阻抗最小,且为纯阻性。不同场合下使用的双端陶瓷滤波器的谐振频率不同。 三端陶瓷滤波器相当于一个双调谐中频变压器,故比双端陶瓷滤波器的滤波性能要更好些。 普通复合管(达林顿管)内电路 复合管电路共有4种。复合管用两只三极管按一定方式连接起来,等效成1只三极管,下图所示是4种复合管等效电路。 复合管极性识别绝招:2只三极管复合后的极性取决于第1只三极管的极性。 大功率复合管内电路 下图所示是2种大功率复合管内电路。从内部电路中可以看出,它设有过电压保护电路(采用稳压二极管)。 带阻尼的行管等效电路 下图所示是带阻尼的行管电路符号和等效电路。 行输出级电路中需要一只阻尼二极管,在一些行输出三极管内部设置了这一阻尼二极管,在行输出管的电路符号中会表示出来。 这种三极管内部在基级和发射极之间还接入1只25欧姆的小电阻R0。将阻尼二极管设在行输出管的内部,减小了引线电阻,有利于改善行扫描线性和减小行频干扰,基级与发射极之间接入的电阻是为了适应行输出管工作在高反向耐压的状态。 END 版权归原作者所有,如有侵权,请联系删除。 ▍ 推荐阅读 资深工程师分享7种常见二极管应用电路解析 34个动控制原理图,老电工看了都说好! 学EMC避不开的10大经典问题 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2021-01-21 关键词: 等效电路 电子元器件

  • 一文看懂NPN与PNP的区别

    NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同,说得“专业”一点,就是“极性”问题。 NPN 是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即 VC > VB > VE PNP 是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即 VC < VB < VE 总之,VB 一般都是在中间,VC 和 VE 在两边,这跟通常的 BJT 符号中的位置是一致的,你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆;而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻,但电压方向和电流方向同样是一致的,不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。 如今流行的电路图画法,通常习惯“阳上阴下”,也就是“正电源在上负电源在下”。那NPN电路中,E 最终都是接到地板(直接或间接),C 最终都是接到天花板(直接或间接)。PNP电路则相反,C 最终都是接到地板(直接或间接),E 最终都是接到天花板(直接或间接)。这也是为了满足上面的VC 和 VE的关系。一般的电路中,有了NPN的,你就可以按“上下对称交换”的方法得到 PNP 的版本。 无论何时,只要满足上面的6个“极性”关系(4个电流方向和2个电压不等式),BJT电路就可能正常工作。当然,要保证正常工作,还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件,即所谓“工作点”条件。 对于NPN电路: 对于共射组态,可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点,通过控制VB来控制VBE(VBE=VB-VE),从而控制IB,并进一步控制IC(从电位更高的地方流进C极,你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗)。 对于共基组态,可以理解为把VB当作固定参考点,通过控制VE来控制VBE(VBE=VB-VE),从而控制IB,并进一步控制IC。 如果所需的输出信号不是电流形式,而是电压形式,这时就在 C 极加一个电阻 RC,把 IC 变成电压 IC*RC。但为满足 VC>VE, RC 另一端不接地,而接正电源。 而且纯粹从BJT本身角度,而不考虑输入信号从哪里来,共射组态和共基组态其实很相似,反正都是控制VBE,只不过一个“固定” VE,改变VB,一个固定VB,改变VE。 对于共射组态,没有“固定参考点”了,可以理解为利用VBE随IC或IE变化较小的特性,使得不论输出电流IE怎么变化(当然也有个限度),VE基本上始终跟随VB变化(VE=VB-VBE),VB升高,VE也升高,VB降低,VE也降低,这就是电压跟随器的名称的由来。 PNP电路跟NPN是对称的,例如: 对于共射组态,可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点,通过控制VB来控制VEB(VEB=VE-VB),从而控制IB,并进一步控制IC(从C极流向电位更低的地方,你也可以把C极看作朝下的出水管)。 对于共基组态,可以理解为把VB当作固定参考点,通过控制VE来控制VEB(VEB=VE-VB),从而控制IB,并进一步控制IC。 …… 上面所有的VE的“固定”二字都加了引号。因为E点有时是串联负反馈的引入点,这时VE也是变化的,但这个变化是反馈信号,即由VB变化这个因造成的果。 来源:网络 版权归原作者所有,如有侵权,请联系删除。 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-12-20 关键词: 三极管 电子元器件

  • 资深工程师分享7种常见二极管应用电路解析

    许多初学者对二极管很“熟悉”,提起二极管的特性可以脱口而出它的单向导电特性,说到它在电路中的应用第一反应是整流,对二极管的其他特性和应用了解不多,认识上也认为掌握了二极管的单向导电特性,就能分析二极管参与的各种电路,实际上这样的想法是错误的,而且在某种程度上是害了自己,因为这种定向思维影响了对各种二极管电路工作原理的分析,许多二极管电路无法用单向导电特性来解释其工作原理。 二极管除单向导电特性外,还有许多特性,很多的电路中并不是利用单向导电特性就能分析二极管所构成电路的工作原理,而需要掌握二极管更多的特性才能正确分析这些电路,例如二极管构成的简易直流稳压电路,二极管构成的温度补偿电路等。 1 二极管简易直流稳压电路及故障处理 二极管简易稳压电路主要用于一些局部的直流电压供给电路中,由于电路简单,成本低,所以应用比较广泛。 二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降基本不变特性。 二极管的管压降特性:二极管导通后其管压降基本不变,对硅二极管而言这一管压降是0.6V左右,对锗二极管而言是0.2V左右。 如图9-40所示是由普通3只二极管构成的简易直流稳压电路。电路中的VD1、VD2和VD3是普通二极管,它们串联起来后构成一个简易直流电压稳压电路。 图9-40 3只普通二极管构成的简易直流稳压电路 1.电路分析思路说明 分析一个从没有见过的电路工作原理是困难的,对基础知识不全面的初学者而言就更加困难了。 关于这一电路的分析思路主要说明如下。 1)从电路中可以看出3只二极管串联,根据串联电路特性可知,这3只二极管如果导通会同时导通,如果截止会同时截止。 2)根据二极管是否导通的判断原则分析,在二极管的正极接有比负极高得多的电压,无论是直流还是交流的电压,此时二极管均处于导通状态。从电路中可以看出,在VD1正极通过电阻R1接电路中的直流工作电压+V,VD3的负极接地,这样在3只串联二极管上加有足够大的正向直流电压。由此分析可知,3只二极管VD1、VD2和VD3是在直流工作电压+V作用下导通的。 3)从电路中还可以看出,3只二极管上没有加入交流信号电压,因为在VD1正极即电路中的A点与地之间接有大容量电容C1,将A点的任何交流电压旁路到地端。 2.二极管能够稳定直流电压原理说明 电路中,3只二极管在直流工作电压的正向偏置作用下导通,导通后对这一电路的作用是稳定了电路中A点的直流电压。 众所周知,二极管内部是一个PN结的结构,PN结除单向导电特性之外还有许多特性,其中之一是二极管导通后其管压降基本不变,对于常用的硅二极管而言导通后正极与负极之间的电压降为0.6V。 根据二极管的这一特性,可以很方便地分析由普通二极管构成的简易直流稳压电路工作原理。3只二极管导通之后,每只二极管的管压降是0.6V,那么3只串联之后的直流电压降是0.6×3=1.8V。 3.故障检测方法 检测这一电路中的3只二极管最为有效的方法是测量二极管上的直流电压,如图9-41所示是测量时接线示意图。如果测量直流电压结果是1.8V左右,说明3只二极管工作正常;如果测量直流电压结果是0V,要测量直流工作电压+V是否正常和电阻R1是否开路,与3只二极管无关,因为3只二极管同时击穿的可能性较小;如果测量直流电压结果大于1.8V,检查3只二极管中有一只开路故障。 图9-41 测量二极管上直流电压接线示意图 4.电路故障分析 如表9-40所示是这一二极管电路故障分析: 表9-40 二极管电路故障分析 5.电路分析细节说明 关于上述二极管简易直流电压稳压电路分析细节说明如下。 1)在电路分析中,利用二极管的单向导电性可以知道二极管处于导通状态,但是并不能说明这几只二极管导通后对电路有什么具体作用,所以只利用单向导电特性还不能够正确分析电路工作原理。 2)二极管众多的特性中只有导通后管压降基本不变这一特性能够最为合理地解释这一电路的作用,所以依据这一点可以确定这一电路是为了稳定电路中A点的直流工作电压。 3)电路中有多只元器件时,一定要设法搞清楚实现电路功能的主要元器件,然后围绕它进行展开分析。分析中运用该元器件主要特性,进行合理解释。 2 二极管温度补偿电路及故障处理 众所周知,PN结导通后有一个约为0.6V(指硅材料PN结)的压降,同时PN结还有一个与温度相关的特性:PN结导通后的压降基本不变,但不是不变,PN结两端的压降随温度升高而略有下降,温度愈高其下降的量愈多,当然PN结两端电压下降量的绝对值对于0.6V而言相当小,利用这一特性可以构成温度补偿电路。如图9-42所示是利用二极管温度特性构成的温度补偿电路。 图9-42 二极管温度补偿电路 对于初学者来讲,看不懂电路中VT1等元器件构成的是一种放大器,这对分析这一电路工作原理不利。 在电路分析中,熟悉VT1等元器件所构成的单元电路功能,对分析VD1工作原理有着积极意义。了解了单元电路的功能,一切电路分析就可以围绕它进行展开,做到有的放矢、事半功倍。 1.需要了解的深层次电路工作原理 分析这一电路工作原理需要了解下列两个深层次的电路原理。 1)VT1等构成一种放大器电路,对于放大器而言要求它的工作稳定性好,其中有一条就是温度高低变化时三极管的静态电流不能改变,即VT1基极电流不能随温度变化而改变,否则就是工作稳定性不好。了解放大器的这一温度特性,对理解VD1构成的温度补偿电路工作原理非常重要。 2)三极管VT1有一个与温度相关的不良特性,即温度升高时,三极管VT1基极电流会增大,温度愈高基极电流愈大,反之则小,显然三极管VT1的温度稳定性能不好。由此可知,放大器的温度稳定性能不良是由于三极管温度特性造成的。 2.三极管偏置电路分析 电路中,三极管VT1工作在放大状态时要给它一定的直流偏置电压,这由偏置电路来完成。电路中的R1、VD1和R2构成分压式偏置电路,为三极管VT1基极提供直流工作电压,基极电压的大小决定了VT1基极电流的大小。如果不考虑温度的影响,而且直流工作电压+V的大小不变,那么VT1基极直流电压是稳定的,则三极管VT1的基极直流电流是不变的,三极管可以稳定工作。 在分析二极管VD1工作原理时还要搞清楚一点:VT1是NPN型三极管,其基极直流电压高,则基极电流大;反之则小。 3.二极管VD1温度补偿电路分析 根据二极管VD1在电路中的位置,对它的工作原理分析思路主要说明下列几点: 1)VD1的正极通过R1与直流工作电压+V相连,而它的负极通过R2与地线相连,这样VD1在直流工作电压+V的作用下处于导通状态。理解二极管导通的要点是:正极上电压高于负极上电压。 2)利用二极管导通后有一个0.6V管压降来解释电路中VD1的作用是行不通的,因为通过调整R1和R2的阻值大小可以达到VT1基极所需要的直流工作电压,根本没有必要通过串入二极管VD1来调整VT1基极电压大小。 3)利用二极管的管压降温度特性可以正确解释VD1在电路中的作用。假设温度升高,根据三极管特性可知,VT1的基极电流会增大一些。当温度升高时,二极管VD1的管压降会下降一些,VD1管压降的下降导致VT1基极电压下降一些,结果使VT1基极电流下降。由上述分析可知,加入二极管VD1后,原来温度升高使VT1基极电流增大的,现在通过VD1电路可以使VT1基极电流减小一些,这样起到稳定三极管VT1基极电流的作用,所以VD1可以起温度补偿的作用。 4)三极管的温度稳定性能不良还表现为温度下降的过程中。在温度降低时,三极管VT1基极电流要减小,这也是温度稳定性能不好的表现。接入二极管VD1后,温度下降时,它的管压降稍有升高,使VT1基极直流工作电压升高,结果VT1基极电流增大,这样也能补偿三极管VT1温度下降时的不稳定。 4.电路分析细节说明 电路分析的细节说明如下。 1)在电路分析中,若能运用元器件的某一特性去合理地解释它在电路中的作用,说明电路分析很可能是正确的。例如,在上述电路分析中,只能用二极管的温度特性才能合理解释电路中VD1的作用。 2)温度补偿电路的温度补偿是双向的,即能够补偿由于温度升高或降低而引起的电路工作的不稳定性。 3)分析温度补偿电路工作原理时,要假设温度的升高或降低变化,然后分析电路中的反应过程,得到正确的电路反馈结果。在实际电路分析中,可以只设温度升高进行电路补偿的分析,不必再分析温度降低时电路补偿的情况,因为温度降低的电路分析思路、过程是相似的,只是电路分析的每一步变化相反。 4)在上述电路分析中,VT1基极与发射极之间PN结(发射结)的温度特性与VD1温度特性相似,因为它们都是PN结的结构,所以温度补偿的结果比较好。 5)在上述电路中的二极管VD1,对直流工作电压+V的大小波动无稳定作用,所以不能补偿由直流工作电压+V大小波动造成的VT1管基极直流工作电流的不稳定性。 5.故障检测方法和电路故障分析 这一电路中的二极管VD1故障检测方法比较简单,可以用万用表欧姆档在路测量VD1正向和反向电阻大小的方法。 当VD1出现开路故障时,三极管VT1基极直流偏置电压升高许多,导致VT1管进入饱和状态,VT1可能会发烧,严重时会烧坏VT1。如果VD1出现击穿故障,会导致VT1管基极直流偏置电压下降0.6V,三极管VT1直流工作电流减小,VT1管放大能力减小或进入截止状态。 3 二极管控制电路及故障处理 二极管导通之后,它的正向电阻大小随电流大小变化而有微小改变,正向电流愈大,正向电阻愈小;反之则大。 利用二极管正向电流与正向电阻之间的特性,可以构成一些自动控制电路。如图9-43所示是一种由二极管构成的自动控制电路,又称ALC电路(自动电平控制电路),它在磁性录音设备中(如卡座)的录音电路中经常应用。 图9-43 二极管构成的自动控制电路 1.电路分析准备知识说明 二极管的单向导电特性只是说明了正向电阻小、反向电阻大,没有说明二极管导通后还有哪些具体的特性。 二极管正向导通之后,它的正向电阻大小还与流过二极管的正向电流大小相关。尽管二极管正向导通后的正向电阻比较小(相对反向电阻而言),但是如果增加正向电流,二极管导通后的正向电阻还会进一步下降,即正向电流愈大,正向电阻愈小,反之则大。 不熟悉电路功能对电路工作原理很不利,在了解电路功能的背景下能有的放矢地分析电路工作原理或电路中某元器件的作用。 ALC电路在录音机、卡座的录音卡中,录音时要对录音信号的大小幅度进行控制,了解下列几点具体的控制要求有助于分析二极管VD1自动控制电路。 1)在录音信号幅度较小时,不控制录音信号的幅度。 2)当录音信号的幅度大到一定程度后,开始对录音信号幅度进行控制,即对信号幅度进行衰减,对录音信号幅度控制的电路就是ALC电路。 3)ALC电路进入控制状态后,要求录音信号愈大,对信号的衰减量愈大。 通过上述说明可知,电路分析中要求自己有比较全面的知识面,这需要在不断的学习中日积月累。 2.电路工作原理分析思路说明 关于这一电路工作原理的分析思路主要说明下列几点: 1)如果没有VD1这一支路,从第一级录音放大器输出的录音信号全部加到第二级录音放大器中。但是,有了VD1这一支路之后,从第一级录音放大器输出的录音信号有可能会经过C1和导通的VD1流到地端,形成对录音信号的分流衰减。 2)电路分析的第二个关键是VD1这一支路对第一级录音放大器输出信号的对地分流衰减的具体情况。显然,支路中的电容C1是一只容量较大的电容(C1电路符号中标出极性,说明C1是电解电容,而电解电容的容量较大),所以C1对录音信号呈通路,说明这一支路中VD1是对录音信号进行分流衰减的关键元器件。 3)从分流支路电路分析中要明白一点:从第一级录音放大器输出的信号,如果从VD1支路分流得多,那么流入第二级录音放大器的录音信号就小,反之则大。 4)VD1存在导通与截止两种情况,在VD1截止时对录音信号无分流作用,在导通时则对录音信号进行分流。 5)在VD1正极上接有电阻R1,它给VD1一个控制电压,显然这个电压控制着VD1导通或截止。所以,R1送来的电压是分析VD1导通、截止的关键所在。 分析这个电路最大的困难是在VD1导通后,利用了二极管导通后其正向电阻与导通电流之间的关系特性进行电路分析,即二极管的正向电流愈大,其正向电阻愈小,流过VD1的电流愈大,其正极与负极之间的电阻愈小,反之则大。 3.控制电路的一般分析方法说明 对于控制电路的分析通常要分成多种情况,例如将控制信号分成大、中、小等几种情况。就这一电路而言,控制电压Ui对二极管VD1的控制要分成下列几种情况。 1)电路中没有录音信号时,直流控制电压Ui为0,二极管VD1截止,VD1对电路工作无影响,第一级录音放大器输出的信号可以全部加到第二级录音放大器中。 2)当电路中的录音信号较小时,直流控制电压Ui较小,没有大于二极管VD1的导通电压,所以不足以使二极管VD1导通,此时二极管VD1对第一级录音放大器输出的信号也没有分流作用。 3)当电路中的录音信号比较大时,直流控制电压Ui较大,使二极管VD1导通,录音信号愈大,直流控制电压Ui愈大,VD1导通程度愈深,VD1的内阻愈小。 4)VD1导通后,VD1的内阻下降,第一级录音放大器输出的录音信号中的一部分通过电容C1和导通的二极管VD1被分流到地端,VD1导通愈深,它的内阻愈小,对第一级录音放大器输出信号的对地分流量愈大,实现自动电平控制。 5)二极管VD1的导通程度受直流控制电压Ui控制,而直流控制电压Ui随着电路中录音信号大小的变化而变化,所以二极管VD1的内阻变化实际上受录音信号大小控制。 4.故障检测方法和电路故障分析 对于这一电路中的二极管故障检测最好的方法是进行代替检查,因为二极管如果性能不好也会影响到电路的控制效果。 当二极管VD1开路时,不存在控制作用,这时大信号录音时会出现声音一会儿大一会儿小的起伏状失真,在录音信号很小时录音能够正常。 当二极管VD1击穿时,也不存在控制作用,这时录音声音很小,因为录音信号被击穿的二极管VD1分流到地了。 4 二极管限幅电路及故障处理 二极管最基本的工作状态是导通和截止两种,利用这一特性可以构成限幅电路。所谓限幅电路就是限制电路中某一点的信号幅度大小,让信号幅度大到一定程度时,不让信号的幅度再增大,当信号的幅度没有达到限制的幅度时,限幅电路不工作,具有这种功能的电路称为限幅电路,利用二极管来完成这一功能的电路称为二极管限幅电路。 如图9-44所示是二极管限幅电路。在电路中,A1是集成电路(一种常用元器件),VT1和VT2是三极管(一种常用元器件),R1和R2是电阻器,VD1~VD6是二极管。 图9-44 二极管限幅电路 1.电路分析思路说明 对电路中VD1和VD2作用分析的思路主要说明下列几点: 1)从电路中可以看出,VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6两组二极管的电路结构一样,这两组二极管在这一电路中所起的作用是相同的,所以只要分析其中一组二极管电路工作原理即可。 2)集成电路A1的①脚通过电阻R1与三极管VT1基极相连,显然R1是信号传输电阻,将①脚上输出信号通过R1加到VT1基极,由于在集成电路A1的①脚与三极管VT1基极之间没有隔直电容,根据这一电路结构可以判断:集成电路A1的①脚是输出信号引脚,而且输出直流和交流的复合信号。确定集成电路A1的①脚是信号输出引脚的目的是为了判断二极管VD1在电路中的具体作用。 3)集成电路的①脚输出的直流电压显然不是很高,没有高到让外接的二极管处于导通状态,理由是:如果集成电路A1的①脚输出的直流电压足够高,那么VD1、VD2和VD3导通,其导通后的内阻很小,这样会将集成电路A1的①脚输出的交流信号分流到地,对信号造成衰减,显然这一电路中不需要对信号进行这样的衰减,所以从这个角度分析得到的结论是:集成电路A1的①脚输出的直流电压不会高到让VD1、VD2和VD3导通的程度。 4)从集成电路A1的①脚输出的是直流和交流叠加信号,通过电阻R1与三极管VT1基极,VT1是NPN型三极管,如果加到VT1基极的正半周交流信号幅度出现很大的现象,会使VT1的基极电压很大而有烧坏VT1的危险。加到VT1基极的交流信号负半周信号幅度很大时,对VT1没有烧坏的影响,因为VT1基极上负极性信号使VT1基极电流减小。 5)通过上述电路分析思路可以初步判断,电路中的VD1、VD2、VD3是限幅保护二极管电路,防止集成电路A1的①脚输出的交流信号正半周幅度太大而烧坏VT1。 从上述思路出发对VD1、VD2、VD3二极管电路进一步分析,分析如果符合逻辑,可以说明上述电路分析思路是正确的。 2.二极管限幅电路 分析各种限幅电路工作是有方法的,将信号的幅度分两种情况: 1)信号幅度比较小时的电路工作状态,即信号幅度没有大到让限幅电路动作的程度,这时限幅电路不工作。 2)信号幅度比较大时的电路工作状态,即信号幅度大到让限幅度电路动作的程度,这时限幅电路工作,将信号幅度进行限制。 用画出信号波形的方法分析电路工作原理有时相当管用,用于分析限幅电路尤其有效,如图9-45所示是电路中集成电路A1的①脚上信号波形示意图。 图9-45 集成电路A1的①脚上信号波形示意图 图中,U1是集成电路A1的①脚输出信号中的直流电压,①脚输出信号中的交流电压是“骑”在这一直流电压上的。U2是限幅电压值。 结合上述信号波形来分析这个二极管限幅电路,当集成电路A1的①脚输出信号中的交流电压比较小时,交流信号的正半周加上直流输出电压U1也没有达到VD1、VD2和VD3导通的程度,所以各二极管全部截止,对①脚输出的交流信号没有影响,交流信号通过R1加到VT1中。 假设集成电路A1的①脚输出的交流信号其正半周幅度在某期间很大,见图8-12中的信号波形,由于此时交流信号的正半周幅度加上直流电压已超过二极管VD1、VD2和VD3正向导通的电压值,如果每只二极管的导通电压是0.7V,那么3只二极管的导通电压是2.1V。由于3只二极管导通后的管压降基本不变,即集  成电路A1的①脚最大为2.1V,所以交流信号正半周超出部分被去掉(限制),其超出部分信号其实降在了集成电路A1的①脚内电路中的电阻上(图中未画出)。 当集成电路A1的①脚直流和交流输出信号的幅度小于2.1V时,这一电压又不能使3只二极管导通,这样3只二极管再度从导通转入截止状态,对信号没有限幅作用。 3.电路分析细节说明 对于这一电路的具体分析细节说明如下。 1)集成电路A1的①脚输出的负半周大幅度信号不会造成VT1过电流,因为负半周信号只会使NPN型三极管的基极电压下降,基极电流减小,所以无须加入对于负半周的限幅电路。 2)上面介绍的是单向限幅电路,这种限幅电路只能对信号的正半周或负半周大信号部分进行限幅,对另一半周信号不限幅。另一种是双向限幅电路,它能同时对正、负半周信号进行限幅。 3)引起信号幅度异常增大的原因是多种多样的,例如偶然的因素(如电源电压的波动)导致信号幅度在某瞬间增大许多,外界的大幅度干扰脉冲窜入电路也是引起信号某瞬间异常增大的常见原因。 4)3只二极管VD1、VD2和VD3导通之后,集成电路A1的①脚上的直流和交流电压之和是2.1V,这一电压通过电阻R1加到VT1基极,这也是VT1最高的基极电压,这时的基极电流也是VT1最大的基极电流。 5)由于集成电路A1的①脚和②脚外电路一样,所以其外电路中的限幅保护电路工作原理一样,分析电路时只要分析一个电路即可。 6)根据串联电路特性可知,串联电路中的电流处处相等,这样可以知道VD1、VD2和VD3三只串联二极管导通时同时导通,否则同时截止,绝不会出现串联电路中的某只二极管导通而某几只二极管截止的现象。 4.故障检测方法和电路故障分析 对这一电路中的二极管故障检测主要采用万用表欧姆档在路测量其正向和反向电阻大小,因为这一电路中的二极管不工作在直流电路中,所以采用测量二极管两端直流电压降的方法不合适。 这一电路中二极管出现故障的可能性较小,因为它们工作在小信号状态下。如果电路中有一只二极管出现开路故障时,电路就没有限幅作用,将会影响后级电路的正常工作。 5. 二极管开关电路及故障处理 开关电路是一种常用的功能电路,例如家庭中的照明电路中的开关,各种民用电器中的电源开关等。 在开关电路中有两大类的开关: 1)机械式的开关,采用机械式的开关件作为开关电路中的元器件。 2)电子开关,所谓的电子开关,不用机械式的开关件,而是采用二极管、三极管这类器件构成开关电路。 1.开关二极管开关特性说明 开关二极管同普通的二极管一样,也是一个PN结的结构,不同之处是要求这种二极管的开关特性要好。 当给开关二极管加上正向电压时,二极管处于导通状态,相当于开关的通态;当给开关二极管加上反向电压时,二极管处于截止状态,相当于开关的断态。二极管的导通和截止状态完成开与关功能。 开关二极管就是利用这种特性,且通过制造工艺,开关特性更好,即开关速度更快,PN结的结电容更小,导通时的内阻更小,截止时的电阻很大。 如表9-41所示是开关时间概念说明。   表6.19 开关时间概念说明 2.典型二极管开关电路工作原理 二极管构成的电子开关电路形式多种多样,如图9-46所示是一种常见的二极管开关电路。 图9-46 二极管开关电路 通过观察这一电路,可以熟悉下列几个方面的问题,以利于对电路工作原理的分析: 1)了解这个单元电路功能是第一步。从图8-14所示电路中可以看出,电感L1和电容C1并联,这显然是一个LC并联谐振电路,是这个单元电路的基本功能,明确这一点后可以知道,电路中的其他元器件应该是围绕这个基本功能的辅助元器件,是对电路基本功能的扩展或补充等,以此思路可以方便地分析电路中的元器件作用。 2)C2和VD1构成串联电路,然后再与C1并联,从这种电路结构可以得出一个判断结果:C2和VD1这个支路的作用是通过该支路来改变与电容C1并联后的总容量大小,这样判断的理由是:C2和VD1支路与C1上并联后总电容量改变了,与L1构成的LC并联谐振电路其振荡频率改变了。所以,这是一个改变LC并联谐振电路频率的电路。 关于二极管电子开关电路分析思路说明如下几点: 1)电路中,C2和VD1串联,根据串联电路特性可知,C2和VD1要么同时接入电路,要么同时断开。如果只是需要C2并联在C1上,可以直接将C2并联在C1上,可是串入二极管VD1,说明VD1控制着C2的接入与断开。 2)根据二极管的导通与截止特性可知,当需要C2接入电路时让VD1导通,当不需要C2接入电路时让VD1截止,二极管的这种工作方式称为开关方式,这样的电路称为二极管开关电路。 3)二极管的导通与截止要有电压控制,电路中VD1正极通过电阻R1、开关S1与直流电压+V端相连,这一电压就是二极管的控制电压。 4)电路中的开关S1用来控制工作电压+V是否接入电路。根据S1开关电路更容易确认二极管VD1工作在开关状态下,因为S1的开、关控制了二极管的导通与截止。 如表9-42所示是二极管电子开关电路工作原理说明。 表9-42 二极管电子开关电路工作原理说明 在上述两种状态下,由于LC并联谐振电路中的电容不同,一种情况只有C1,另一种情况是C1与C2并联,在电容量不同的情况下LC并联谐振电路的谐振频率不同。所以,VD1在电路中的真正作用是控制LC并联谐振电路的谐振频率。 关于二极管电子开关电路分析细节说明下列二点: 1)当电路中有开关件时,电路的分析就以该开关接通和断开两种情况为例,分别进行电路工作状态的分析。所以,电路中出现开关件时能为电路分析提供思路。 2)LC并联谐振电路中的信号通过C2加到VD1正极上,但是由于谐振电路中的信号幅度比较小,所以加到VD1正极上的正半周信号幅度很小,不会使VD1导通。 3.故障检测方法和电路故障分析 如图9-47所示是检测电路中开关二极管时接线示意图,在开关接通时测量二极管VD1两端直流电压降,应该为0.6V,如果远小于这个电压值说明VD1短路,如果远大小于这个电压值说明VD1开路。另外,如果没有明显发现VD1出现短路或开路故障时,可以用万用表欧姆档测量它的正向电阻,要很小,否则正向电阻大也不好。 图9-47 检测电路中开关二极管时接线示意图 如果这一电路中开关二极管开路或短路,都不能进行振荡频率的调整。开关二极管开路时,电容C2不能接入电路,此时振荡频率升高;开关二极管短路时,电容C2始终接入电路,此时振荡频率降低。 4.同类电路工作原理分析 如图所示,电路中的VD1为开关二极管,控制电压通过R1加到VD1正极,控制电压是一个矩形脉冲电压,波形见图中所示。 当控制电压为0V时,VD1不能导通,相当于开路,这时对L1和C1、L2和C2电路没有影响;当控制电压为高电平时,控制电压使开关二极管VD1导通,VD1相当于通路,电路中A点的交流信号通过导通的VD1和电容C3接地,等于将电路中的A点交流接地,使L2和C2电路不起作用。 从上述分析可知,电路中的二极管VD1相当于一只开关,控制电路中的A点交流信号是否接地。 6 二极管检波电路及故障处理 如图9-48所示是二极管检波电路。电路中的VD1是检波二极管,C1是高频滤波电容,R1是检波电路的负载电阻,C2是耦合电容。 图9-48 二极管检波电路 1.电路分析准备知识 众所周知,收音机有调幅收音机和调频收音机两种,调幅信号就是调幅收音机中处理和放大的信号。见图中的调幅信号波形示意图,对这一信号波形主要说明下列几点: 1)从调幅收音机天线下来的就是调幅信号。 2)信号的中间部分是频率很高的载波信号,它的上下端是调幅信号的包络,其包络就是所需要的音频信号。 3)上包络信号和下包络信号对称,但是信号相位相反,收音机最终只要其中的上包络信号,下包络信号不用,中间的高频载波信号也不需要。 2.电路中各元器件作用说明 如表9-43所示是元器件作用解说。 表9-43 元器件作用解说 3.检波电路工作原理分析 检波电路主要由检波二极管VD1构成。 在检波电路中,调幅信号加到检波二极管的正极,这时的检波二极管工作原理与整流电路中的整流二极管工作原理基本一样,利用信号的幅度使检波二极管导通,如图9-49所示是调幅波形展开后的示意图。 图9-49 调幅波形时间轴展开示意图 从展开后的调幅信号波形中可以看出,它是一个交流信号,只是信号的幅度在变化。这一信号加到检波二极管正极,正半周信号使二极管导通,负半周信号使二极管截止,这样相当于整流电路工作一样,在检波二极管负载电阻R1上得到正半周信号的包络,即信号的虚线部分,见图中检波电路输出信号波形(不加高频滤波电容时的输出信号波形)。 检波电路输出信号由音频信号、直流成分和高频载波信号三种信号成分组成,详细的电路分析需要根据三种信号情况进行展开。这三种信号中,最重要的是音频信号处理电路的分析和工作原理的理解。 1)所需要的音频信号,它是输出信号的包络,如图9-50所示,这一音频信号通过检波电路输出端电容C2耦合,送到后级电路中进一步处理。 图9-50 检波电路输出端信号波形示意图 2)检波电路输出信号的平均值是直流成分,它的大小表示了检波电路输出信号的平均幅值大小,检波电路输出信号幅度大,其平均值大,这一直流电压值就大,反之则小。这一直流成分在收音机电路中用来控制一种称为中频放大器的放大倍数(也可以称为增益),称为AGC(自动增益控制)电压。AGC电压被检波电路输出端耦合电容隔离,不能与音频信号一起加到后级放大器电路中,而是专门加到AGC电路中。 3)检波电路输出信号中还有高频载波信号,这一信号无用,通过接在检波电路输出端的高频滤波电容C1,被滤波到地端。 一般检波电路中不给检波二极管加入直流电压,但在一些小信号检波电路中,由于调幅信号的幅度比较小,不足以使检波二极管导通,所以给检波二极管加入较小的正向直流偏置电压,如图所示,使检波二极管处于微导通状态。 从检波电路中可以看出,高频滤波电容C1接在检波电路输出端与地线之间,由于检波电路输出端的三种信号其频率不同,加上高频滤波电容C1的容量取得很小,这样C1对三种信号的处理过程不同。 1)对于直流电压而言,电容的隔直特性使C1开路,所以检波电路输出端的直流电压不能被C1旁路到地线。 2)对于音频信号而言,由于高频滤波电容C1的容量很小,它对音频信号的容抗很大,相当于开路,所以音频信号也不能被C1旁路到地线。 3)对于高频载波信号而言,其频率很高,C1对它的容抗很小而呈通路状态,这样惟有检波电路输出端的高频载波信号被C1旁路到地线,起到高频滤波的作用。 如图9-51所示是检波二极管导通后的三种信号电流回路示意图。负载电阻构成直流电流回路,耦合电容取出音频信号。 图9-51 检波二极管导通后三种信号电流回路示意图 4.故障检测方法及电路故障分析 对于检波二极管不能用测量直流电压的方法来进行检测,因这这种二极管不工作在直流电压中,所以要采用测量正向和反向电阻的方法来判断检波二极管质量。 当检波二极管开路和短路时,都不能完成检波任务,所以收音电路均会出现收音无声故障。 5.实用倍压检波电路工作原理分析 如图9-52所示是实用倍压检波电路,电路中的C2和VD1、VD2构成二倍压检波电路,在收音机电路中用来将调幅信号转换成音频信号。电路中的C3是检波后的滤波电容。通过这一倍压检波电路得到的音频信号,经耦合电容C5加到音频放大管中。 图9-52 实用倍压检波电路 7 继电器驱动电路中二极管保护电路及故障处理 继电器内部具有线圈的结构,所以它在断电时会产生电压很大的反向电动势,会击穿继电器的驱动三极管,为此要在继电器驱动电路中设置二极管保护电路,以保护继电器驱动管。 如图9-53所示是继电器驱动电路中的二极管保护电路,电路中的J1是继电器,VD1是驱动管VT1的保护二极管,R1和C1构成继电器内部开关触点的消火花电路。 1.电路工作原理分析 继电器内部有一组线圈,如图9-54所示是等效电路,在继电器断电前,流过继电器线圈L1的电流方向为从上而下,在断电后线圈产生反向电动势阻碍这一电流变化,即产生一个从上而下流过的电流,见图中虚线所示。根据前面介绍的线圈两端反向电动势判别方法可知,反向电动势在线圈L1上的极性为下正上负,见图中所示。如表9-44所示是这一电路中保护二极管工作原理说明。 表9-44 保护二极管工作原理说明 2.故障检测方法和电路故障分析 对于这一电路中的保护二极管不能采用测量二极管两端直流电压降的方法来判断检测故障,也不能采用在路测量二极管正向和反向电阻的方法,因为这一二极管两端并联着继电器线圈,这一线圈的直流电阻很小,所以无法通过测量电压降的方法来判断二极管质量。应该采用代替检查的方法。 当保护二极管开路时,对继电器电路工作状态没有大的影响,但是没有了保护作用而很有可能会击穿驱动管;当保护二极管短路时,相当于将继电器线圈短接,这时继电器线圈中没有电流流过,继电器不能动作。 END 版权归原作者所有,如有侵权,请联系删除。 ▍ 推荐阅读 太美了!PCB布线怎么可以这么美? 对于PCB厂的工程师来说,Layout就是硬件的艺术 图文并茂解析变压器各种绕线工艺!(包含各种拓扑) 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-12-18 关键词: 二极管 电子元器件

  • 大写的服!用电子元器件比喻人生,实在太绝了!

    热恋中的女人的心就像被加了一个差动放大器,男朋友的一切优点都被当成差模信号被放大,而他的缺点都被选择为共模信号抑制掉了。 男人的心就像是三极管放大器,恋爱时是共基极的,你的付出总可以在他那得到几百倍的回报,但是结婚后,就改成了共集电极了,往往你的付出都是得不到等价的输出了,兴许过了七年之痒,没心肺的那部分男人还会变成共射极,这时候的输出虽然放大很多,却是反相了,和你的期望完全不同了。暗恋就像根二极管,总是单向的电流。除非你运气好,表白时二极管反向击穿了,否则你就一直这样毫无回报的付出吧,别抱怨,谁让你选二极管呢。如果你爱一个男人,就和他结婚吧,男人的爱情就像绝缘栅场效应管,一般不可以测,所以,你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他,男人的防线就如模电老师形容那管子一样,一测试就坏,而且,就算坏了,你还不知道他是什么时候坏的。就像你不知道男人什么时候变心一样。爱情里的背叛就像用来消除交越失真的那根二极管,刚知道时你怎么也想不明白为什么是那个人抢了你爱人,可是后来才明白,原来交流和直流是不一样的,所以,无论男人女人,在结婚以前,都别把你想托付一生的那个人介绍给你最好的哥们姐们,因为往往最后,问题就出在这里。爱情就像功率放大器,失真小的电流周期长而且稳定,没什么激情,失真大的,导通角又小,只适合高频,不适合咱们低频。所以,只能折中一下,用个甲乙类放大器。所以最后,可能过一辈子的都是经济适用男和简单方便女。 爱情就像电桥一样,需要沟通,当无法沟通时,想方设法也要沟通,面对面永远好于背对背。因为造成爱情失败的本质原因往往不是缺乏了解,而是理解错了。只有沟通了,才能知道对方于自己到底需要什么。三角恋就像三极管,总能把电路搞的不一样,三角恋也会把生活变得热闹,但是,毕竟,生活不是电路,还是别那么戏剧化的好。爱情就像是三极管,放大倍数越高的,越不稳定。 模电和爱情一样,都很难懂,但是不同的是,模电不懂,只是挂科,失去的是奖学金,爱情你要是没懂,那就得失去一个人了。你要是把模电搞的很懂,你可以考个高分,可是,你要是把爱情搞的很懂,估计就只能出家了。有时候,马马虎虎也没什么不好。生活就行PN结一样,怎么造都会有电容影响,生活也都会有坎坷与不顺。你希望生活顺心如意,希望爱情一直甜蜜,希望婚姻幸福,对不起,这和消除PN结电容一样,是个世界性难题。爱情就是维系男女的PN结,老师说PN结改变了这个世界。同样,这个世界里爱情也创造着它的奇迹。爱情是文明的产物,PN结也是,爱情里需要一个男人与一个女人,PN结也需要两个不同的半导体。人类不能没有爱情就像这个时代不能没有PN结一样,PN结主导了电子世界,爱情主导了我们的文明历史。 人生就像放大器,无论多牛,都得有个接地端,所以,你这一生,总得有个归宿,老是飘着,虽然潇洒,但不是那么舒服,客死异乡,总是件有点凄凉感觉的事,除非你把自己献给梦想了。 人生就像双极型集成运放F007,虽然很经典,但却要被更好的替代了,就像那些历史人物,那些过去的生活,虽然很精彩,可是也只能放在课本里做教材,作为后人学习之用。长江后浪推前浪,前浪死在课本上。人生就像集成运放,总有些人是来提供社会前进动力的,就像那些电流源。人生就像集成运放,总是很难找到电流走向,就像你总是会迷茫一样。总是说要注重过程,可是大多数时候要用集成运放的人只关心结果。人生就像绝缘栅场效应管,虽然已经很小心的使用了,可是,还是不知道什么时候就会在没想到的因素中挂了。 人生就像三极管的输出特性曲线一样,有付出就有回报的永远只是饱和区里那一小块明显,大部分人都生活在放大区,当基极电流定下来后,由于存在着巨大的厄尔利电压,即使你在努力,起伏也不大,只能在那个小范围里慢慢前进有限的距离,等到啥时候时间把你带到击穿区,看似你飞升了,确实你也飞升了,直接飞到了天堂。所以,当你觉得委屈时,看看你脚下,还有很多更低的电压线呢。有的人连导通电压都没过呢,当你没房子时,想想非洲人民,连水都喝不上呢。 版权归原作者所有,如有侵权,请联系删除。 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-12-16 关键词: 三极管 电子元器件

  • 详解二极管限幅电路和钳位电路

    关注+星标公众号,不错过精彩内容 转自 | 记得诚电子设计 二极管最重要的特性是单向导电性,利用这一特性可以设计很多好玩实用的电路,本文主要讲述限幅电路和钳位电路。 本文目录(点击查看大图) ▉ 正限幅电路 正半周时且Vin的电压大于等于0.7V时,二极管导通,Vout会被钳位在0.7V;在负半周和Vin电压小于0.7V时,二极管是截止状态,所以Vout=Vin,即Vout波形跟随Vin波形。 ▉ 负限幅电路 在正半周时,二极管截止,Vout=Vin,即波形跟随;在负半周Vin电压小于等于-0.7V时,二极管会导通,Vout电压会被钳位在-0.7V。 ▉ 双向限幅电路 双向限幅是结合了上面两个电路,用了两个二极管。正半周,通过D1将超出的部分钳位在0.7V,负半周通过D2将超出的部分钳位在-0.7V。 ▉ 正偏压限幅 为了产生不同的限幅电压,有时候会在电路中加入偏置电压Vbias,当Vin的电压大于等于Vbias+0.7V时,二极管导通,Vout被钳位。 ▉ 负偏压限幅 负偏压是一样的道理,Vin电压小于等于-0.7-Vbias时,二极管导通,Vout被钳位。 ▉ 双向偏压限幅 双向偏压限幅是两个二极管加两个偏置电压,正半周大于等于4.7V时,D1导通,超出部分被钳位在4.7V;负半周小于等于-6.7V时,D2导通,超出部分被钳位在-6.7V。 上面几种都是不含有电容的电路,主要是用来限幅。 下面几种是含有电容的二极管钳位电路,以下分析不考虑二极管的导通压降(即二极管正向导通相当于一根导线,反向截止断路),RC时间常数足够大,保证输出波形不失真。 ▉ 简单型正钳位电路 电路原理: 输入Vin在负半周时(Vin上负下正),二极管导通,电流如红色箭头所示,电容充电至+V(左负右正),Vout=0V; 输入Vin在正半周时(Vin上正下负),二极管截止,电流如蓝色箭头所示,Vout电压等于电容电压加上正半周电压,所以Vout=2V; ▉ 偏压型正钳位电路 偏压型钳位电路和限幅电路很类似,在电路中加入偏置电压来提高或者降低钳位值。 Figure a为正向偏压型,所加的偏压与二极管导通方向一致时,波形向上,即钳位值会提高V1。 Figure b为反向偏压型,所加的偏压与二极管导通方向相反时,波形向下,即钳位值会降低V1。 ▉ 简单型负钳位电路 电路原理: 输入Vin在正半周时(Vin上正下负),二极管导通,电流如红色箭头所示,电容两端压差充电至+V(左正右负),Vout=0V; 输入Vin在负半周时(Vin上负下正),二极管截止,电流如红色箭头所示,Vout电压等于负的(电容电压+负半周电压),即Vout=-2V; ▉ 偏压型负钳位电路 偏压型负钳位同偏压型正钳位类似,在电路中加入偏置电压来提高或者降低钳位值。 Figure C为反向偏压型,所加的偏压与二极管导通方向相反时,波形向上,即钳位值会提高V1。 Figure D为正向偏压型,所加的偏压与二极管导通方向相同时,波形向下,即钳位值会降低V1。 ▉ 常见的双向二极管钳位电路 在一些ADC检测电路中会用两个二极管进行钳位保护,原理很简单,0.7V为D1和D2的导通压降,Vin进来的电压大于等于Vmax时,D1导通,Vout会被钳位在Vmax;Vin小于等于Vmin时,Vout被钳位在Vmin,一般D2的正极接地。 今天的文章内容到这里就结束了,希望对你有帮助,我们下一期见。 ------------ END ------------ 推荐阅读: 精选汇总 | 专栏 | 目录 | 搜索 精选汇总 | ARM、Cortex-M 精选汇总 | ST工具、下载编程工具 关注 微信公众号『嵌入式专栏』,底部菜单查看更多内容,回复“加群”按规则加入技术交流群。 点击“阅读原文”查看更多分享,欢迎点分享、收藏、点赞、在看。 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-12-13 关键词: 二极管 电子元器件

  • 二极管有哪些主要参数?常用型号有哪些?

    二极管相信大家再熟悉不过了,但你能详细说得出二极管有哪几项主要参数吗?今天电路菌跟大家一起细数一下二极管的几项主要参数! 二极管的参数主要有以下几点: 1.反向饱和漏电流IR 指在二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,该电流与半导体材料和温度有关。 2.额定整流电流IF 指二极管长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。 3. 最大平均整流电流IO 在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。 4. 最大浪涌电流IFSM 允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。 5.最大反向峰值电压VRRM 即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交 流电压,它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的VRRM值可达几千伏。 6. 最大直流反向电压VR 上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路,最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。 7.最高工作频率fM 由于PN结的结电容存在,当工作频率超过某一值时,它的单向导电性将变差。点接触式二极管的fM值较高,在100MHz以上;整流二极管的fM较低,一般不高于几千赫。 8.反向恢复时间Trr 当工作电压从正向电压变成反向电压时,二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上,一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量,就是反向恢复时 间。虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。也即当二极管由导通突然反向时,反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时,此项指标至为重要。 9. 最大功率P 二极管中有电流流过,就会发热,而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管,可变电阻二极管显得特别重要。 下面附上一张常用二极管型号的表格,大家看看自己用过哪些管子。 注:以下数据可能会有错误,详情请查阅数据手册。 1N4000系列普通二极管 序号 型号 VRRM[V] Io[A] CJ[pF] IFSM[A] 封装 说明 1 1N4001 50 1 - 30 DO-41 普通二极管 2 1N4002 100 1 - 30 DO-41 普通二极管 3 1N4003 200 1 - 30 DO-41 普通二极管 4 1N4004 400 1 - 30 DO-41 普通二极管 5 1N4005 600 1 - 30 DO-41 普通二极管 6 1N4006 800 1 - 30 DO-41 普通二极管 7 1N4007 1000 1 - 30 DO-41 普通二极管 开关二极管 序号 型号 VRRM[V] Io[A] CJ[pF] IFSM[A] 封装 说明 1 1N4148 100 0.2 - 1 DO-35 开关二极管 2 1N4150 50 0.2 - 1 DO-35 开关二极管 3 1N4448 50 0.2 - 1 DO-35 开关二极管 4 1N4454 50 0.2 - 1 DO-35 开关二极管 5 1N457 70 0.2 - 1 DO-35 开关二极管 6 1N457 70 0.2 - 1 DO-35 开关二极管 7 1N914 50 0.2 - 1 DO-35 开关二极管 8 1N914A 50 0.2 - 1 DO-35 开关二极管 9 1N916 50 0.2 - 1 DO-35 开关二极管 10 1N916A 50 0.2 - 1 DO-35 开关二极管 1N47xx系列稳压二极管 序号 型号 Vz[V] Zz[Ω] Iz[mA] IRZ[uA] 封装 说明 1 1N4728 3.3 10 76 100 DO-41 稳压二极管 2 1N4729 3.6 10 69 100 DO-41 稳压二极管 3 1N4730 3.9 9 64 50 DO-41 稳压二极管 4 1N4731 4.3 9 58 10 DO-41 稳压二极管 5 1N4732 4.7 8 53 10 DO-41 稳压二极管 6 1N4733 5.1 7 49 10 DO-41 稳压二极管 7 1N4734 5.6 5 45 10 DO-41 稳压二极管 8 1N4735 6.2 2 41 10 DO-41 稳压二极管 9 1N4736 6.8 3.5 37 10 DO-41 稳压二极管 10 1N4737 7.5 4 34 10 DO-41 稳压二极管 11 1N4738 8.2 4.5 31 10 DO-41 稳压二极管 12 1N4739 9.1 5 28 10 DO-41 稳压二极管 13 1N4740 10 7 25 10 DO-41 稳压二极管 14 1N4741 11 8 23 5 DO-41 稳压二极管 15 1N4742 12 9 21 5 DO-41 稳压二极管 16 1N4743 13 10 19 5 DO-41 稳压二极管 17 1N4744 15 14 17 5 DO-41 稳压二极管 18 1N4745 16 16 15.5 5 DO-41 稳压二极管 19 1N4746 18 20 14 5 DO-41 稳压二极管 20 1N4747 20 22 12.5 5 DO-41 稳压二极管 21 1N4748 22 23 11.5 5 DO-41 稳压二极管 22 1N4749 24 25 10.5 5 DO-41 稳压二极管 23 1N4750 27 35 9.5 5 DO-41 稳压二极管 24 1N4751 30 40 8.5 5 DO-41 稳压二极管 25 1N4752 33 45 7.5 5 DO-41 稳压二极管 1N52xx系列稳压二极管 序号 型号 VRRM[V] Io[A] CJ[pF] IFSM[A] 封装 说明 1 1N5221B - - - - DO-41 系列稳压二极管 -1N5257B 1N539x系列二极管 序号 型号 VRRM[V] Io[A] CJ[pF] IFSM[A] 封装 说明 1 1N5391 50 1.5 - 50 DO-15 普通二极管 2 1N5391 50 1.5 - 50 DO-15 普通二极管 3 1N5392 100 1.5 - 50 DO-15 普通二极管 4 1N5393 200 1.5 - 50 DO-15 普通二极管 5 1N5394 300 1.5 - 50 DO-15 普通二极管 6 1N5395 400 1.5 - 50 DO-15 普通二极管 7 1N5396 500 1.5 - 50 DO-15 普通二极管 8 1N5397 600 1.5 - 50 DO-15 普通二极管 9 1N5398 800 1.5 - 50 DO-15 普通二极管 10 1N5399 1000 1.5 - 50 DO-15 普通二极管 1N54xx系列二极管 序号 型号 VRRM[V] Io[A] CJ[pF] IFSM[A] 封装 说明 1 1N5401 50 3 - 200 DO-201AD 普通二极管 2 1N5402 100 3 - 200 DO-201AD 普通二极管 3 1N5403 200 3 - 200 DO-201AD 普通二极管 4 1N5404 400 3 - 200 DO-201AD 普通二极管 5 1N5405 500 3 - 200 DO-201AD 普通二极管 6 1N5406 600 3 - 200 DO-201AD 普通二极管 7 1N5407 800 3 - 200 DO-201AD 普通二极管 8 1N5408 1000 3 - 200 DO-201AD 普通二极管 1N7xx系列二极管 序号 型号 Vz[V] Zz[Ω] Iz[mA] IRZ[uA] 封装 说明 1 1N746A 3.3 28 20 30 DO-35 稳压二极管 2 1N747A 3.6 24 20 30 DO-35 稳压二极管 3 1N748A 3.9 23 20 30 DO-35 稳压二极管 4 1N749A 4.3 22 20 30 DO-35 稳压二极管 5 1N750A 4.7 19 20 30 DO-35 稳压二极管 6 1N751A 5.1 17 20 20 DO-35 稳压二极管 7 1N752A 5.6 11 20 20 DO-35 稳压二极管 8 1N753A 7.3 7 20 20 DO-35 稳压二极管 9 1N754A 6.8 5 20 20 DO-35 稳压二极管 10 1N755A 7.5 6 20 20 DO-35 稳压二极管 11 1N756A 8.2 8 20 20 DO-35 稳压二极管 12 1N757A 9.1 10 20 20 DO-35 稳压二极管 13 1N758A 10 17 20 20 DO-35 稳压二极管 14 1N759A 12 30 20 20 DO-35 稳压二极管 1N9xxx系列二极管 序号 型号 Vz[V] Zz[Ω] Iz[mA] IRZ[uA] 封装 说明 1 1N957B 6.8 4.5 18.5 150 DO-35 系列二极管 2 1N958B 7.5 5.5 16.5 75 DO-35 系列二极管 3 1N959B 8.2 6.5 15 50 DO-35 系列二极管 4 1N960B 9.1 7.5 14 25 DO-35 系列二极管 5 1N961B 10 8.5 12.5 10 DO-35 系列二极管 6 1N962B 11 9.5 11.5 5 DO-35 系列二极管 7 1N963B 12 11.5 10.5 5 DO-35 系列二极管 8 1N964B 13 13 9.5 5 DO-35 系列二极管 9 1N965B 15 16 8.5 5 DO-35 系列二极管 10 1N966B 16 17 7.8 5 DO-35 系列二极管 11 1N967B 18 21 7 5 DO-35 系列二极管 12 1N968B 20 25 6.2 5 DO-35 系列二极管 13 1N969B 22 29 5.6 5 DO-35 系列二极管 14 1N970B 24 33 5.2 5 DO-35 系列二极管 15 1N971B 27 41 4.6 5 DO-35 系列二极管 16 1N972B 30 49 4.2 5 DO-35 系列二极管 17 1N973B 33 58 3.8 5 DO-35 系列二极管 BYxxx系列二极管 序号 型号 VRRM[V] Io[A] CJ[pF] IFSM[A] 封装 说明 1 BYQ28E - - - - TO-220 - 2 BYP100 - - - - TO-220 - 3 BYP103 - - - - TO-220 - 4 BYP301 - - - - TO-220 - 5 BYP302 - - - - TO-220 - 6 BYP303 - - - - TO-220 - 7 BYV26A 200 1 - 30 SOD-57 - 8 BYV26B 400 1 - 30 SOD-57 - 9 BYV26C 600 1 - 30 SOD-57 - 10 BYV26D 800 1 - 30 SOD-57 - 11 BYV26E 1000 1 - 30 SOD-57 - 12 BYW29-50 50 8 - 100 TO-220 快恢复二极管 13 BYW29-100 100 8 - 100 TO-220 快恢复二极管 14 BYW29-150 150 8 - 100 TO-220 快恢复二极管 15 BYW29-200 200 8 - 100 TO-220 快恢复二极管 FR10x系列二极管 序号 型号 VRRM[V] Io[A] CJ[pF] IFSM[A] 封装 说明 1 FR101 50 1 50 35 DO-41 快恢复二极管 2 FR102 100 1 50 35 DO-41 - 3 FR103 200 1 50 35 DO-41 快恢复二极管 4 FR104 400 1 50 35 DO-41 快恢复二极管 5 FR105 600 1 50 35 DO-41 快恢复二极管 6 FR106 800 1 50 35 DO-41 快恢复二极管 7 FR107 1000 1 50 35 DO-41 快恢复二极管 8 FR107-STR 1000 1 50 35 DO-41 - HERxxx系列快恢复二极管 序号 型号 VRRM[V] Io[A] CJ[pF] IFSM[A] 封装 说明 1 HER1601C 50 16 40 200 TO-220 快恢复 2 HER1602C 100 16 40 200 TO-220 快恢复 3 HER1603C 200 16 40 200 TO-220 快恢复 4 HER1604C 300 16 40 200 TO-220 快恢复 5 HER1605C 400 16 40 200 TO-220 快恢复 MURxxx系列快恢复二极管 序号 型号 VRRM[V] Io[A] CJ[pF] IFSM[A] 封装 说明 1 MUR1620 - - - - - - 2 MUR3020CT - - - - - - 3 MUR3040CT - - - - - - 4 MUR3060CT - - - - - - 5 MUR805 50 8 - 100 TO-220AC 快恢复二极管 6 MUR810 100 8 - 100 TO-220AC 快恢复二极管 7 MUR815 150 8 - 100 TO-220AC 快恢复二极管 8 MUR820 200 8 - 100 TO-220AC 快恢复二极管 9 MUR840 400 8 - 100 TO-220AC 快恢复二极管 10 MUR860 100 8 - 100 TO-220AC 快恢复二极管 END 来源:电子电路 版权归原作者所有,如有侵权,请联系删除。 ▍ 推荐阅读 太美了!PCB布线怎么可以这么美? 对于PCB厂的工程师来说,Layout就是硬件的艺术 图文并茂解析变压器各种绕线工艺!(包含各种拓扑) 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-12-08 关键词: 二极管 电子元器件

  • Altium官方讲解!极小BGA器件(0.4mm pitch)的布局布线设计!

    SMT(Surface Mount Technology 表面安装)技术顺应了智能电子产品小型化,轻型化的发展潮流,为实现电子产品的轻、薄、短、小打下了基础。SMT技术在90年代也走向成熟的阶段。但随着电子产品向便携式/小型化、网络化方向的迅速发展,对电子组装技术提出了更高的要求,其中BGA(Ball Grid Array 球栅阵列封装)就是一项已经进入实用化阶段的高密度组装技术。 BGA技术的研究始于60年代,最早被美国IBM公司采用,但一直到90年代初,BGA 才真正进入实用化的阶段。由于之前流行的类似QFP封装的高密管脚器件,其精细间距的局限性在于细引线易弯曲、质脆而易断,对于引线间的共平面度和贴装精度的要求很高。BGA技术采用的是一种全新的设计思维方式,它采用将圆型或者柱状点隐藏在封装下面的结构,引线间距大、引线长度短。这样, BGA就消除了精细间距器件中由于引线问题而引起的共平面度和翘曲的缺陷。 BGA是PCB上常用的元器件,通常80﹪的高频信号及特殊信号将会由这类型的封装Footprint内拉出。因此,如何处理BGA 器件的走线,对重要信号会有很大的影响。 通常的BGA器件如何走线? 普通的BGA器件在布线时,一般步骤如下: 先根据BGA器件焊盘数量确定需要几层板,进行叠层设计。 然后对主器件BGA进行扇出(即从焊盘引出一小段线,然后在线的末端放置一个过孔,以此过孔到达另一层)。 再然后从过孔处逃逸式布线到器件的边缘,通过可用的层来进行扇出,一直到所有的焊盘都逃逸式布线完毕。 扇出及逃逸时布线是根据适用的设计规则来进行的。包括扇出控制 Fanout Control 规则,布线宽度 Routing Width 规则,布线过孔方式 Routing Via Style 规则,布线层 Routing Layers 规则和电气间距 Electrical Clearance 规则。如果规则设置的不合理,比如层数不够,不限宽度太宽走不出来,过孔太大打不下孔,间距违犯安全距离等等,扇出都会失败。当扇出操作没有反应的时候,请检查您的各处规则设置并进行合适的修改,没有问题之后扇出才能成功。如下图所示。每一层的走线颜色是不同的。 扇出对话框可让你控制并定义扇出和逃逸式布线的相关选项,同时有些选项用于盲孔(层对之间的钻孔,可在层栈管理器 Layer Stack Manager 对话框设置)。其他的选项包含是否在内部行列扇出的同时扇出另外两行列,以及是否仅有网络分配到的焊盘被扇出。 极小BGA(0.4mm间距)器件该如何布线? BGA因为其加工工艺复杂,在设计阶段除了考虑其功能设计之外,最主要还是要和PCB制板厂和贴片装配厂沟通一下,不同的厂家所采取的工艺不同,能力也不一样。对于加工制造成本方面,打样和批量生产也不同。所以,BGA设计更重要的还要考虑加工成本,生产的良品率等等因素。 今天要聊的这款BGA可不是个省油的灯。这一类BGA模块设计已经是刷新底线,属于最小加工能力范畴。我们先来看看它的参数特征: BGA焊盘0.3mm(12mil) BGA中心间距是0.4mm(16mil) 焊盘与焊盘边到边的X Y方向均为0.1mm(4mil)。 焊盘与焊盘边沿对角线方向均为0.27mm(10.8mil) 那么问题来了! 我们回顾一下之前一篇博文“规则设置如何应用于我的pcb设计?-——-pcb制造线宽线距与孔径”,里面有对PCB加工板厂的最精密加工能力的介绍。现在对主要的线宽线距和孔径极限加工能力截图如下: 这里各位看官注意了!最小线宽0.1mm(4mil),最小安全间距0.1mm(4mil),最小镭射孔径0.1mm(4mil)。咱也不考虑机械打孔了,激光孔都放不下! 问题1:线走不出来!——解决办法:盲埋孔打孔方式替代通孔 如上图所示,最小4mil线宽的线走不出来,因为间距只有0.1mm(4mil)。 该BGA器件除了最外面一圈能走线出去,里面的线没办法布出来! 所以通孔(Through Hole)是行不通的,它在每一层都会挡住里面焊盘的走线。 只能采用盲埋孔,错层打孔错层布线。 问题2:孔没有地方打!——解决办法:盘中孔(Via in Pad) 如上图所示,最小激光孔0.1mm(4mil)没办法打在焊盘之间,因其焊盘边沿对角线最大间距0.27mm。最小的孔打在中间也满足不了最小间距4mil的安全规则。因此,只能打盘中孔。但是,盘中孔工艺复杂,需要后续处理,填孔塞孔,加电镀,磨平表面等等工序。加工成本也会相应增加。 极小BGA(0.4mm间距)器件的布线解决方案结论: 技术上只能进行4层以上的多层板布线。BGA器件0.4mm球间距,0.3mm球焊盘直径,需要做激光盲孔来做互联(激光最小加工孔径能力为 0.1mm),根据设计要求有可能做2阶互联;并且需要做盘中孔设计。 加工制造方工艺与成本考虑 含有BGA器件的PCB在设计的时候,除了技术功能层面上的设计之外,还需要跟相应的有此加工能力的PCB制造板厂沟通。包括制造工艺以及相应的成本。不同的加工工艺会影响到将来的装贴难度,产品的良品率。经与某制造板厂(深圳市伟强森电子有限公司)工程技术人员沟通与咨询,相对含有这款小间距BGA器件的PCB在设计在工程设计与加工工艺以及大概成本方面的反馈信息如下。 加工工艺方面,激光盲孔工艺需要做VCP侧喷脉冲电镀铜将盲孔填平,研磨后做负片酸性蚀刻来确保BGA的完整性,蚀刻后BGA最终尺寸在0.27mm~0.28mm。另外,因BGA间距小,加工过程需要注意事项; 工程设计对BGA的补偿处理,确保最终焊盘的要求; 阻焊开窗,保证开窗不能上BGA焊盘,否则影响贴装; 油墨的选择, 因间距比较小优先选择粘度高的绿色油墨; 表面处理工艺的选择,通常BGA封装的PCB板表面处理选择相对平整的表面处理工艺,才能保证后面芯片锡球和PCB板的最佳贴装效果; 表面工艺分:热风整平,沉金, 化银, 化锡, OSP 等几种表面工艺。OSP的助焊性最优越,但需要注意保护氧化膜不被氧化和檫花。本文所用示例PCB,可以做OSP表面工艺。PCB表面处理做OSP后要求在3个月内做完贴装,否则影响焊接。成本方面OSP表面处理工艺相对加工成本低。 下面科普一下PCB加工制造的表面处理工艺 PCB表面处理目的 表面处理最基本的目的是保证良好的可焊性或电性能。 由于自然界的铜在空气中倾向于以氧化物的形式存在,不大可能长期保持为原铜,因此需要对铜进行其他处理。 虽然在后续的组装中,可以采用强助焊剂除去大多数铜的氧化物,但强助焊剂本身不易去除,因此业界一般不采用强助焊剂。 常见PCB表面处理工艺 现在业界有很多种表面处理工艺,常见的五种表面处理工艺。是热风整平(喷锡)、有机涂覆(OSP)、沉金、浸银(化银)和浸锡(化锡)这五种工艺,下面将逐一介绍。 热风整平(喷锡) 有机涂覆OSP板(OrganicSolderabilityPreservatives) 化金板(ElectrolessNi/Au,ENIG) 化银板(ImmersionAg) 化锡板(ImmersionTin) 常见PCB表面处理工艺介绍         每种表面处理都有它身的特点,表面处理工艺的选择主要取决于最终组装元器件的类型和产品的使用场合,下面对以上五种常见表面处理工艺进行对比; 热风整平。又名热风焊料整平,它是在PCB表面涂覆熔融锡铅焊料并用加热压缩空气整(吹)平的工艺,使其形成一层既抗铜氧化,又可提供良好的可焊性的涂覆层。热风整平时焊料和铜在结合处形成铜锡金属间化合物。保护铜面的焊料厚度大约有1-2mi。PCB进行热风整平时要浸在熔融的焊料中;风刀在焊料凝固之前吹平液态的焊料;风刀能够将铜面上焊料的弯月状最小化和阻止焊料桥接。热风整平分为垂直式和水平式两种,一般认为水平式较好,主要是水平式热风整平镀层比较均匀,可实现自动化生产。热风整平工艺的一般流程为:微蚀→预热→涂覆助焊剂→喷锡→清洗。  有机涂覆工艺不同于其他表面处理工艺,它是在铜和空气间充当阻隔层;有机涂覆工艺简单、成本低廉,这使得它能够在业界广泛使用。在后续的焊接过程中,如果铜面上只有一层的有机涂覆层是不行的,必须有很多层。这就是为什么化学槽中通常需要添加铜液。在涂覆第一层之后, 涂覆层吸附铜; 接着第二层的有机涂覆分子与铜结合,直至二十甚至上百次的有机涂覆分子集结在铜面,这样可以保证进行多次回流焊。 试验表明: 最新的有机涂覆工艺能够在多次无铅焊接过程中保持良好的性能。 化学镀镍/浸金工艺不像有机涂覆那样简单,化学镀镍/浸金好像给PCB穿上厚厚的盔甲;另外化学镀镍/浸金工艺也不像有机涂覆作为防锈阻隔层,它能够在PCB长期使用过程中有用并实现良好的电性能。因此,化学镀镍/浸金是在铜面上包裹一层厚厚的、电性良好的镍金合金,这可以长期保护PCB;另外它也具有其它表面处理工艺所不具备的对环境的忍耐性。镀镍的原因是由于金和铜间会相互扩散,而镍层能够阻止金和铜间的扩散;如果没有镍层,金将会在数小时内扩散到铜中去。化学镀镍/浸金的另一个好处是镍的强度,仅仅5微米厚度的镍就可以限制高温下Z方向的膨胀。此外化学镀镍/浸金也可以阻止铜的溶解,这将有益于无铅组装。 化银。浸银工艺介于有机涂覆和化学镀镍/浸金之间,工艺比较简单、快速;不像化学镀镍/浸金那样复杂,也不是给PCB穿上一层厚厚的盔甲,但是它仍然能够提供好的电性能。银是金的小兄弟,即使暴露在热、湿和污染的环境中,银仍然能够保持良好的可焊性,但会失去光泽。浸银不具备化学镀镍/浸金所具有的好的物理强度因为银层下面没有镍。另外浸银有好的储存性,浸银后放几年组装也不会有大的问题。 化锡。由于目前所有的焊料都是以锡为基础的,所以锡层能与任何类型的焊料相匹配。从这一点来看,浸锡工艺极具有发展前景。但是以前的PCB经浸锡工艺后出现锡须,在焊接过程中锡须和锡迁徙会带来可靠性问题,因此浸锡工艺的采用受到限制。后来在浸锡溶液中加入了有机添加剂,可使得锡层结构呈颗粒状结构,克服了以前的问题,而且还具有好的热稳定性和可焊性。浸锡工艺可以形成平坦的铜锡金属间化合物,这个特性使得浸锡具有和热风整平一样好的可焊性而没有热风整平令人头痛的平坦性问题;浸锡也没有化学镀镍/浸金金属间的扩散问题——铜锡金属间化合物能够稳固的结合在一起。浸锡板不可存储太久,组装时必须根据浸锡的先后顺序进行。   以下列出了一个表格,关于目前最为通用的几种表面处理工艺的总结与比较。 工艺 沉金ENIG 化锡(Immersion Tin) 化银(Immersion silver) OSP 机理 先在电路板裸铜表面反应沉积形成一层含磷7-9%的镍镀层,厚度约3-6um,再于镍表面置换一层厚约0.03-0.15um的纯金 在电路板裸铜表面经化学置换反应形成一层洁白而致密的锡镀层,厚度约0.7-1.2um 在电路板裸铜表面经化学置换反应形成一层洁白而致密的银镀层,厚度约0.1-0.5um 在电路板裸铜表面沉积形成一层平整而致密的有机覆盖层,厚度约0.2-0.6um,既可保护铜面,又可保证焊接性能 通过化学沉积方式在铜表面沉上一层镍和金层, 通过化学沉积方式在铜表面沉上一层纯锡层, 通过化学沉积方式在铜表面沉上一层镍和金层, 在铜面上沉积上一层有机覆盖膜, 优点 表面平整,厚度均匀 表面平整,厚度均匀 表面洁白平整,厚度均匀 覆盖层平整 可与无铅焊料和免清洗助焊剂匹配 可与无铅焊料和免清洗助焊剂匹配 可与无铅焊料和免清洗助焊剂匹配 可与无铅焊料和免清洗助焊剂匹配 适于多次组装工艺 适于2-3次组装工艺 适于2-3次组装工艺 适于2-3次组装工艺 可焊性可保持到12个月以上 可焊性可保持到6个月或更长时间 可焊性可保持到6-12个月 可焊性可保持到6个月 可焊性良好,打线良好,低表面电阻,并可耐多次接触(适用于一些按键位置) 表面处理层平整,易于进行元器件装贴,适合于高密度IC封装的PCB 表面处理层平整,易于进行元器件装贴 表面处理层平整,易于进行元器件装贴 缺点 有机会出现黑焊盘 有可能出现锡须 不能接触含硫物质 客户装配重工困难 表面处理后若受到污染易产生焊接不良 表面易被污染而影响焊接性能 表面易被污染,银面容易变色,从而影响焊接性能和外观 保存环境差的情况下易出现OSP膜变色,焊接不良等 成本很高 沉锡表面处理后如再受到高温烘板或停放时间较长,会导致沉锡层的减少 有可能产生银迁移现象 部分微小孔容易产生OSP不良现 我找板厂要了两幅图片如下,左图一张是BGA过孔油墨覆盖不完全,导致贴装后油墨起泡,相邻BGA短路;右图另一张是BGA正常OSP表面加工成品图片。 关于盘中孔塞孔技术 随着电子产品向轻、薄、小的方向发展, PCB 也推向了高密度、高难度发展。根据IPC-2226定义,HDI是指单位面积布线密度高于常规印刷电路板。与常规PCB技术相比,这些电路板采用更细的导线和间隙(≤ 100 µm/0.10 mm)、更小的导通孔(

    时间:2020-11-20 关键词: 半导体 PCB 电子元器件

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