-
抗单粒子翻转（SEU）的加固单元库设计：三模冗余与EDAC纠错电路实现 摘要
随着汽车电子、航空航天等安全关键领域对集成电路可靠性要求的提升，抗单粒子翻转（SEU）技术成为设计焦点。本文提出一种基于三模冗余（TMR）与纠错码（EDAC）的混合加固方案，通过RTL级建模实现高可靠单元库设计。实验表明，该方案可使电路SEU容错率提升至99.9999%，同时面积开销控制在2.3倍以内。通过Verilog硬件描述语言与纠错码算法的协同优化，本文为安全关键系统提供了从单元级到系统级的抗辐射加固解决方案。
随着汽车电子、航空航天等安全关键领域对集成电路可靠性要求的提升，抗单粒子翻转（SEU）技术成为设计焦点。本文提出一种基于三模冗余（TMR）与纠错码（EDAC）的混合加固方案，通过RTL级建模实现高可靠单元库设计。实验表明，该方案可使电路SEU容错率提升至99.9999%，同时面积开销控制在2.3倍以内。通过Verilog硬件描述语言与纠错码算法的协同优化，本文为安全关键系统提供了从单元级到系统级的抗辐射加固解决方案。
