PDS760-13总功耗,包括二极管的传导损耗和交流损耗。二极管在MOS管关断期间续流,瞬时传导损耗以关断期间的输出电流乘以二极管的正向电压来计算。二极管的交流损耗是由于结电容的充放电和反向恢复电荷造成的。
随着人们对电源及电子设备的功能要求越来越高,为各种设备提供电源时需要进行的改动就越来越多。IGBT就是其中一种,然而在实际的设计过程中,很多朋友经常会遇到IGBT莫名其
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