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[导读]PDS760-13总功耗,包括二极管的传导损耗和交流损耗。二极管在MOS管关断期间续流,瞬时传导损耗以关断期间的输出电流乘以二极管的正向电压来计算。二极管的交流损耗是由于结电容的充放电和反向恢复电荷造成的。


上一篇文章介绍了BUCK电路的电感关键参数的选型,本来打算写一下输出电容的选型,但是看了好多博主写的文章后,觉得自己理解的不够透彻,好多细节问题也没办法说清楚,所以今天的重点就变成了非同步BUCK的续流二极管。

以BUCK芯片TPS54540为例,下表为系统设计需求:



典型应用电路如下:



TPS54540 器件在 SW 引脚和 GND 之间需要一个外部钳位二极管。


二极管需求:


1.反向电压额定值必须等于或大于VIN(max)


2.峰值电流额定值必须大于最大电感电流


3.低正向电压


4.合适的额定功率和导热系数


手册推荐 PDS760-13,可以看出来VBRmin>42V,Iomax>5A;


PDS760-13的典型正向电压在5 A和25℃时为0.52 V,导通压降较小,符合要求。


PDS760-13总功耗,包括二极管的传导损耗和交流损耗。二极管在MOS管关断期间续流,瞬时传导损耗以关断期间的输出电流乘以二极管的正向电压来计算。二极管的交流损耗是由于结电容的充放电和反向恢复电荷造成的。



PDS760-13的耗散功率在5A时为2.2 W > 1.9 W。



后续如果因为器件成本和货期原因导致的替代料的选型,直接安照上述参数进行选取就好。


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